Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона |
|---|
Стабілітрон Д818Д
#12244
|
24626 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри стабілітрона Д818Д: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,002%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 9V | kd-8 | |||||||
Мікросхема К142ЕН6А (К16) Au
#12246
|
27628 | СНГ | — |
270 грн.
|
|
— | Мікросхема К142ЕН6А є двополярним стабілізатором напруги з фіксованою вихідною напругою ±15 В і струмом навантаження 200 мА. При експлуатації допускається підключення навантаження до одного або одночасно до двох входів (каналів) мікросхеми. | 2.5 | — | — | — | SMD | — | — | живлення | — | — | — | — | 5 штук. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ812В
#12261
|
24643 | СНГ | — |
50 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 200 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 16 | — | kt-9 | Біполярний | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 50Вт | 20шт. | 200В | 8А | 3МГц | 10 | — | — | |||||||
Тиристор КУ202Д1
#12262
|
24644 | СНГ | — |
15 грн.
|
— | Тиристори кремнієві КУ202Д1 планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. | 2.1 | — | — | — | DIP | 100V | 10A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КР544УД1А
#12263
|
24645 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Мікросхеми КР544УД1А є операційними диференціальними підсилювачами з високим вхідним опором і низьким рівнем вхідних струмів, з внутрішньою частотною корекцією, що забезпечує стійку роботу при будь-яких режимах негативного зворотного зв'язку, включаючи режими інтеграторів і повторювачів напруги. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ940Б
#12264
|
24646 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Кремнієвий епітаксійно-планарний біполярний структури npn підсилювальний. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 10Вт | 200шт. | 250В | 100мА | 90МГц | 25 | — | — | |||||||
Транзистор КТ817А
#12265
|
24647 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817А кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 40В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | |||||||
Транзистор КТ817В
#12266
|
24648 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817В кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 60В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | |||||||
Транзистор КП303Е Au
#12267
|
24649 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | — | КТ-1 | Польовий | DIP | — | — | — | МОП n-канальний | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ3102А
#12269
|
24651 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 250 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 100 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,05 мкА (50В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 100...250; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 10 дБ на частоті 1 кГц • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 100 пс. | 0.34 | — | КТ-1 | — | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 250мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 300МГц | 250 | — | — | |||||||
Транзистор П27
#12270
|
24652 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори П27 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 1МГц | 100 | — | — | |||||||
Транзистор П28
#12271
|
24653 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистори П28 – германієві, підсилювальні, малої потужності низькочастотні, з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1КГц, структури – pnp. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 5МГц | 200 | — | — | |||||||
Транзистор МП37
#12272
|
24654 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистори МП37 германієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | — | — | |||||||
Транзистор КТ601А Au
#12273
|
24655 | СНГ | — |
45 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ601А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,25 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 40 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 100 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 2 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 16; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 600 пс. | 2 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 100В | 30мА | 40МГц | 25 | — | — | |||||||
Транзистор КТ603Б Au
#12274
|
24656 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 30В | 300мА | 200МГц | 60 | — | — | |||||||
| 24658 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ808А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7,2 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 120 (250 імп.); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюзі база-емітер: 3 мА (120В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 500 пФ. | 30 | — | КТЮ-3-20 | Біполярний | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 50Вт | 10 шт. | 120В | 10А | — | 50 | — | — | ||||||||
Тиристор 2У202Л (=КУ202Л)
#12278
|
24660 | СНГ | — |
35 грн.
|
— | Тиристори кремнієві 2У202Л планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. | 11 | — | — | — | Гвинт | 300V | 10A | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К140УД1Б Au
#12279
|
24661 | СНГ | — |
48 грн.
|
|
— | Мікросхеми є операційними підсилювачами середньої точності без частотної корекції. | 1.3 | — | — | — | DIP | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор П422
#12280
|
24662 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Германієві транзистори, дифузійно-сплавні, pnp, підсилювальні, малопотужні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1,6 МГц. Призначені для роботи в підсилювальних та генераторних каскадах каскадах ВЧ. | 1.5 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | PNP | — | — | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 50МГц | 100 | — | — | |||||||
Мікросхема STM8L151C6T6
#12287
|
30001 | ST MICROELECTRONICS | — |
54 грн.
|
|
— | 8-bit ultra-low-power MCU, до 32 KB Flash, 1 KB Data EEPROM, RTC, LCD, timers, USART, I2C, SPI, ADC, DAC, comparators. | 0.5 | LQFP48 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема STM8L151G6U6TR
#12288
|
30003 | ST MICROELECTRONICS | — |
90 грн.
|
|
— | 8-bit ultra-low-power MCU, до 32 KB Flash, 1 KB Data EEPROM, RTC, LCD, timers, USART, I2C, SPI, ADC, DAC, comparators. | 0.2 | UFQFPN32 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема STM32F105RCT6
#12289
|
30006 | ST MICROELECTRONICS | — |
150 грн.
|
|
— | ARM Cortex-M3 32-bit, Flash: 64K, RAM: 20K, UART 5, ЦАП: 2 x 12bit. | 4 | LQFP64 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 160шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема STM32F030F4P6
#12290
|
30012 | ST MICROELECTRONICS | — |
38 грн.
|
|
— | 48 МГц, 16 Кбайт Flash, 4 Кбайта SRAM, 4 таймери 16 біт, 11 каналів 12-бітного АЦП, по 1 інтерфейсу SPI, I2C та USART. | 1 | TSSOP20 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 37шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема PIC18LF6527-I/PT
#12291
|
30013 | MICROCHIP TECHNOLOGY | — |
227 грн.
|
|
— | MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP. | 1.5 | TQFP64 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 160шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема STM32F030C8T6
#12292
|
30015 | ST MICROELECTRONICS | — |
36 грн.
|
|
— | ARM Microcontrollers - MCU Value-Line ARM MCU 64kB 48MHz. | 0.9 | LQFP48 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема PIC16F676-I/SL
#12293
|
30016 | MICROCHIP TECHNOLOGY | — |
36 грн.
|
|
— | 14-Pin, Flash-Based 8-bit CMOS Microcontroller. | 0.34 | SO14 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 57шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема STM8L051F3P6
#12294
|
30020 | ST MICROELECTRONICS | — |
28 грн.
|
|
— | Ядро: STM8, 8-біт; FLASH: 8 КБ; EEPROM: 256 байт; RAM: 1 Кбайт. | 1 | TSSOP20 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 74шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема ATmega324PA-AU
#12295
|
30026 | ATMEL | — |
82 грн.
|
|
— | IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44TQFP. | 1.5 | TQFP44 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 160шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема STM32F030R8T6
#12296
|
30030 | ST MICROELECTRONICS | — |
66 грн.
|
|
— | ARM Microcontrollers - MCU Value-Line ARM MCU 64kB 48MHz. | 1.5 | LQFP64 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 160шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема PIC16F1824-I/SL
#12297
|
30032 | MICROCHIP TECHNOLOGY | — |
41 грн.
|
|
— | 8-bit Microcontrollers - MCU 7 KB Flash 256b RAM 32 MHz. | 0.4 | SO14 | — | — | SMD | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | 57шт. | — | — | — | — | — | — |
