Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
24651 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 250 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 100 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,05 мкА (50В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 100...250; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 10 дБ на частоті 1 кГц • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 100 пс. 0.34 КТ-1 DIP NPN 250мВт 100шт. 50В 200мА 300МГц 250
24652 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори П27 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 30мВт 100шт. 6mA 1МГц 100
24653 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори П28 – германієві, підсилювальні, малої потужності низькочастотні, з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1КГц, структури – pnp. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 30мВт 100шт. 6mA 5МГц 200
24654 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори МП37 германієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 30
24655 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ601А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,25 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 40 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 100 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 2 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 16; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 600 пс. 2 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 100В 30мА 40МГц 25
24656 СНГ
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 30В 300мА 200МГц 60
24658 СНГ
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ808А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7,2 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 120 (250 імп.); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюзі база-емітер: 3 мА (120В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 500 пФ. 30 КТЮ-3-20 Біполярний DIP NPN 50Вт 10 шт. 120В 10А 50
24660 СНГ
35 грн.
Тиристори кремнієві 2У202Л планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 Гвинт 300V 10A 40шт.
24661 СНГ
48 грн.
10+45,60 грн.
50+43,20 грн.
100+38,40 грн.
Мікросхеми є операційними підсилювачами середньої точності без частотної корекції. 1.3 DIP Підсилювачі 20шт.
24662 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Германієві транзистори, дифузійно-сплавні, pnp, підсилювальні, малопотужні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1,6 МГц. Призначені для роботи в підсилювальних та генераторних каскадах каскадах ВЧ. 1.5 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 50МГц 100
30001 ST MICROELECTRONICS
54 грн.
10+51,30 грн.
50+48,60 грн.
100+43,20 грн.
8-bit ultra-low-power MCU, до 32 KB Flash, 1 KB Data EEPROM, RTC, LCD, timers, USART, I2C, SPI, ADC, DAC, comparators. 0.5 LQFP48 SMD Мікроконтролери 250шт.
30003 ST MICROELECTRONICS
90 грн.
10+85,50 грн.
50+81 грн.
100+72 грн.
8-bit ultra-low-power MCU, до 32 KB Flash, 1 KB Data EEPROM, RTC, LCD, timers, USART, I2C, SPI, ADC, DAC, comparators. 0.2 UFQFPN32 SMD Мікроконтролери 3000шт.
30006 ST MICROELECTRONICS
150 грн.
10+142,50 грн.
50+135 грн.
100+120 грн.
ARM Cortex-M3 32-bit, Flash: 64K, RAM: 20K, UART 5, ЦАП: 2 x 12bit. 4 LQFP64 SMD Мікроконтролери 160шт.
30012 ST MICROELECTRONICS
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
48 МГц, 16 Кбайт Flash, 4 Кбайта SRAM, 4 таймери 16 біт, 11 каналів 12-бітного АЦП, по 1 інтерфейсу SPI, I2C та USART. 1 TSSOP20 SMD Мікроконтролери 37шт.
30013 MICROCHIP TECHNOLOGY
227 грн.
10+215,65 грн.
50+204,30 грн.
100+181,60 грн.
MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP. 1.5 TQFP64 SMD Мікроконтролери 160шт.
30015 ST MICROELECTRONICS
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
ARM Microcontrollers - MCU Value-Line ARM MCU 64kB 48MHz. 0.9 LQFP48 SMD Мікроконтролери 250шт.
30016 MICROCHIP TECHNOLOGY
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
14-Pin, Flash-Based 8-bit CMOS Microcontroller. 0.34 SO14 SMD Мікроконтролери 57шт.
30020 ST MICROELECTRONICS
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Ядро: STM8, 8-біт; FLASH: 8 КБ; EEPROM: 256 байт; RAM: 1 Кбайт. 1 TSSOP20 SMD Мікроконтролери 74шт.
30026 ATMEL
82 грн.
10+77,90 грн.
50+73,80 грн.
100+65,60 грн.
IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44TQFP. 1.5 TQFP44 SMD Мікроконтролери 160шт.
30030 ST MICROELECTRONICS
66 грн.
10+62,70 грн.
50+59,40 грн.
100+52,80 грн.
ARM Microcontrollers - MCU Value-Line ARM MCU 64kB 48MHz. 1.5 LQFP64 SMD Мікроконтролери 160шт.
30032 MICROCHIP TECHNOLOGY
41 грн.
10+38,95 грн.
50+36,90 грн.
100+32,80 грн.
8-bit Microcontrollers - MCU 7 KB Flash 256b RAM 32 MHz. 0.4 SO14 SMD Мікроконтролери 57шт.
30036 ATMEL
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
8-бітний мікроконтролер з 2K Bytes of In-System Programmable Flash. 0.5 DIP8 DIP Мікроконтролери 50шт.
30037 ATMEL
66 грн.
10+62,70 грн.
50+59,40 грн.
100+52,80 грн.
8-bit Microcontrollers - MCU 1.8V - 5.5V 20MHz 8KB Programmable Flash. 0.4 QFN32 SMD Мікроконтролери 490шт.
30039 NXP
53 грн.
10+50,35 грн.
50+47,70 грн.
100+42,40 грн.
IC MCU 8BIT 32KB FLASH 40DIP. 3.5 DIP40 DIP Мікроконтролери 10 шт.
30042 ST MICROELECTRONICS
84 грн.
10+79,80 грн.
50+75,60 грн.
100+67,20 грн.
ARM Cortex-M3 32-bit. Швидкість: 72 МГц. Кількість вводів/виводів: 51. Розмір пам'яті: 256KB (256K x 8). Тип пам'яті, що програмується: FLASH. Розмір пам'яті: 48K x 8. -40°C ~ 85°C. 1.2 LQFP64 SMD Мікроконтролери 160шт.
30043 NXP
134 грн.
10+127,30 грн.
50+120,60 грн.
100+107,20 грн.
IC MCU 8BIT ROMLESS 68PLCC. 4.5 PLCC68 DIP Мікроконтролери 18шт.
30046 TEXAS INSTRUMENTS
59 грн.
10+56,05 грн.
50+53,10 грн.
100+47,20 грн.
16-bit Microcontrollers - MCU 16-bit Ultra Low Pwr 1kB Flash 2kB RAM. 0.4 TSSOP14 SMD Мікроконтролери 90шт.
30047 ATMEL
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
IC MCU 8BIT 2KB FLASH 14SOIC. 0.4 SO14 SMD Мікроконтролери 57шт.
30049 MICROCHIP TECHNOLOGY
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
8-bit Microcontrollers - MCU 3.5KB 128B RAM 32MHz. 0.4 SO14 SMD Мікроконтролери 57шт.
30050 TEXAS INSTRUMENTS
348 грн.
10+330,60 грн.
50+313,20 грн.
100+278,40 грн.
Microcontroller 128KB, 250MHz. 2.5 TQFP144 SMD Мікроконтролери 60шт.