Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Конструкція діода
24175 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
92 грн.
10+87,40 грн.
50+82,80 грн.
100+73,60 грн.
7 TO247 IGBT DIP 378Вт 30шт. 600В 60А
24174 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
95 грн.
10+90,25 грн.
50+85,50 грн.
100+76 грн.
7 TO247 IGBT DIP 600Вт 30шт. 600В 60А
24172 INFINEON TECHNOLOGIES
58 грн.
10+55,10 грн.
50+52,20 грн.
100+46,40 грн.
7 TO247 IGBT DIP 187Вт 30шт. 600В 30А
24171 INFINEON TECHNOLOGIES
64 грн.
10+60,80 грн.
50+57,60 грн.
100+51,20 грн.
7 TO247 IGBT DIP 306Вт 30шт. 600В 40А
24170 INFINEON TECHNOLOGIES
85 грн.
10+80,75 грн.
50+76,50 грн.
100+68 грн.
7 TO247 IGBT DIP 333Вт 30шт. 600В 50А
24161 ON SEMICONDUCTOR
235 грн.
10+223,25 грн.
50+211,50 грн.
100+188 грн.
8 TO264 IGBT DIP 180Вт 25шт. 1кВ 60А
24160 Silan Semiconductor
63 грн.
10+59,85 грн.
50+56,70 грн.
100+50,40 грн.
5.7 TO3P IGBT DIP 290Вт 30шт. 600В 40А
24159 TOSHIBA
65 грн.
10+61,75 грн.
50+58,50 грн.
100+52 грн.
5.7 TO3P IGBT DIP 230Вт 25шт. 600В 50А
24158 Silan Semiconductor
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
5.7 TO3P IGBT DIP 321Вт 30шт. 600В 60А
24157 FUJI
39 грн.
10+37,05 грн.
50+35,10 грн.
100+31,20 грн.
5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 500В 23А 315Вт 25шт.
24156 NEC
46 грн.
10+43,70 грн.
50+41,40 грн.
100+36,80 грн.
5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 500В 20А 140Вт 30шт.
24153 Silan Semiconductor
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 900В 150Вт 30шт.
24152 ON SEMICONDUCTOR
40 грн.
100+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
6.5 DIP TO-247 200V 2x15A Швидкий 30шт. подвійний загальний катод
24151 ST MICROELECTRONICS
72 грн.
100+64,80 грн.
200+57,60 грн.
500+50,40 грн.
4.5 DIP TO-247 300V 2x15A Швидкий 30шт. подвійний загальний катод
24150 ON SEMICONDUCTOR
48 грн.
100+43,20 грн.
200+38,40 грн.
500+33,60 грн.
5 DIP TO247-2 1200V 30A Швидкий 30шт. одиночний
24149 ST MICROELECTRONICS
120 грн.
100+108 грн.
200+96 грн.
500+84 грн.
5 DIP TO247-2 1200V 60A Швидкий 30шт. одиночний
24089 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
54 грн.
100+48,60 грн.
200+43,20 грн.
500+37,80 грн.
5 DIP TO-3P 300V 2x30A Швидкий 30шт. подвійний загальний катод
24090 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
48 грн.
100+43,20 грн.
200+38,40 грн.
500+33,60 грн.
5 DIP TO-3P 600V 2x15A Швидкий 30шт. подвійний загальний катод
24927 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
ЧМ тракт радіоприймального пристрою для прийому та обробки сигналів з частотною модуляцією УКХ діапазону, а також посилення сигналів низької частоти. 1.1 DIP16 DIP Радіоприйом 90шт.
24935 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Двійково-десятковий дешифратор. 1.3 DIP16 DIP Логіка 90шт.
24940 СНГ
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
ЧМ тракт радіоприймального пристрою для прийому та обробки сигналів з частотною модуляцією УКХ діапазону, а також посилення сигналів низької частоти. 1.2 DIP16 DIP Радіоприйом 90шт.
24941 Telefunken
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Призначений для індикації рівня сигналу на світлодіодних лінійках. 1.2 DIP18 DIP Драйвери 25шт.
24949 PHILIPS
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
0.3 SOT223 Польовий SMD МОП n-канальний 50В 3.2А 1.8Вт 1000шт.
24991 HKZ
16 грн.
100+14,40 грн.
200+12,80 грн.
500+11,20 грн.
TO220-2pin(16A; 600В; 35ns). 2.5 DIP TO-220 600V 16A Швидкий 50шт. одиночний
24994 MIC
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 DIP DO-15 600V 2A Швидкий 500шт. одиночний
24998 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори 2Т312В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 250
24999 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори 2Т312А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 80МГц 100
25000 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Транзистори 2Т312Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 100
25001 СНГ
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
Транзистори 2Т608А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
25002 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори 2Т313А кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.4 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP 300мВт 100шт. 50В 350мА 200МГц 120