Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга пробою Конструкція діода
24158 Silan Semiconductor
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
5.7 TO3P IGBT DIP 321Вт 30шт. 600В 60А
24157 FUJI
39 грн.
10+37,05 грн.
50+35,10 грн.
100+31,20 грн.
5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 500В 23А 315Вт 25шт.
24156 NEC
46 грн.
10+43,70 грн.
50+41,40 грн.
100+36,80 грн.
5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 500В 20А 140Вт 30шт.
24153 Silan Semiconductor
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 900В 150Вт 30шт.
24152 ON SEMICONDUCTOR
40 грн.
100+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
6.5 DIP TO-247 200V 2x15A Швидкий 30шт. подвійний загальний катод
24151 ST MICROELECTRONICS
72 грн.
100+64,80 грн.
200+57,60 грн.
500+50,40 грн.
4.5 DIP TO-247 300V 2x15A Швидкий 30шт. подвійний загальний катод
24150 ON SEMICONDUCTOR
48 грн.
100+43,20 грн.
200+38,40 грн.
500+33,60 грн.
5 DIP TO247-2 1200V 30A Швидкий 30шт. одиночний
24149 ST MICROELECTRONICS
120 грн.
100+108 грн.
200+96 грн.
500+84 грн.
5 DIP TO247-2 1200V 60A Швидкий 30шт. одиночний
24089 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
54 грн.
100+48,60 грн.
200+43,20 грн.
500+37,80 грн.
5 DIP TO-3P 300V 2x30A Швидкий 30шт. подвійний загальний катод
24090 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
48 грн.
100+43,20 грн.
200+38,40 грн.
500+33,60 грн.
5 DIP TO-3P 600V 2x15A Швидкий 30шт. подвійний загальний катод
24927 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
ЧМ тракт радіоприймального пристрою для прийому та обробки сигналів з частотною модуляцією УКХ діапазону, а також посилення сигналів низької частоти. 1.1 DIP16 DIP Радіоприйом 90шт.
24935 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Двійково-десятковий дешифратор. 1.3 DIP16 DIP Логіка 90шт.
24940 СНГ
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
ЧМ тракт радіоприймального пристрою для прийому та обробки сигналів з частотною модуляцією УКХ діапазону, а також посилення сигналів низької частоти. 1.2 DIP16 DIP Радіоприйом 90шт.
24941 Telefunken
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Призначений для індикації рівня сигналу на світлодіодних лінійках. 1.2 DIP18 DIP Драйвери 25шт.
24949 PHILIPS
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
0.3 SOT223 Польовий SMD МОП n-канальний 50В 3.2А 1.8Вт 1000шт.
24991 HKZ
16 грн.
100+14,40 грн.
200+12,80 грн.
500+11,20 грн.
TO220-2pin(16A; 600В; 35ns). 2.5 DIP TO-220 600V 16A Швидкий 50шт. одиночний
24994 MIC
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 DIP DO-15 600V 2A Швидкий 500шт. одиночний
24998 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори 2Т312В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 250
24999 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори 2Т312А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 80МГц 100
25000 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Транзистори 2Т312Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 100
25001 СНГ
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
Транзистори 2Т608А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
25002 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори 2Т313А кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.4 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP 300мВт 100шт. 50В 350мА 200МГц 120
25003 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Біполярний германієвий транзистор ГТ311Б, npn, малої потужності, надвисокої частоти. 1.2 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 30
25005 СНГ
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-1К гр. • Розмір фоточутливого елемента діаметр 1,8 мм; • Область спектральної фоточутливості: 0,5...1,12 мкм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,8...0,9 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 3 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,4 мкА/лк. 0.3 Фото DIP 100шт.
25007 TOSHIBA
342 грн.
10+324,90 грн.
50+307,80 грн.
100+273,60 грн.
9.2 SDIP64 DIP TV 10 шт.
25111 ST MICROELECTRONICS
469 грн.
10+445,55 грн.
50+422,10 грн.
100+375,20 грн.
ARM® Cortex®-M4 STM32 F4 Microcontroller IC 32-bit 180MHz 1MB (1M x 8) FLASH. 2.5 LQFP100 SMD Мікроконтролери 90шт.
25116 ST MICROELECTRONICS
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
0.4 SO16 SMD Інтерфейси 2000шт.
25118 VISHAY
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.5 SMD SMB Захисний 600Вт 750шт. 28V одиночний
25119 Nihon
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 SMD SMA 40V 1A Шотки 2000шт. одиночний
25122 NXP
216 грн.
10+205,20 грн.
50+194,40 грн.
100+172,80 грн.
2.1 LQFP100 SMD Мікроконтролери 90шт.