Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)
#12648
|
25003 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Біполярний германієвий транзистор ГТ311Б, npn, малої потужності, надвисокої частоти. | 1.2 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 12В | 50мА | 300МГц | 30 | — | — | — | |||||||
Фототранзистор ФТ-1К гр.
#12650
|
25005 | СНГ | — |
11 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-1К гр. • Розмір фоточутливого елемента діаметр 1,8 мм; • Область спектральної фоточутливості: 0,5...1,12 мкм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,8...0,9 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 3 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,4 мкА/лк. | 0.3 | — | — | Фото | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
| 25007 | TOSHIBA | — |
342 грн.
|
|
— | 9.2 | SDIP64 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 10 шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема STM32F429VGT6
#12755
|
25111 | ST MICROELECTRONICS | — |
469 грн.
|
|
— | ARM® Cortex®-M4 STM32 F4 Microcontroller IC 32-bit 180MHz 1MB (1M x 8) FLASH. | 2.5 | LQFP100 | — | — | SMD | — | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
| 25116 | ST MICROELECTRONICS | — |
17 грн.
|
|
— | 0.4 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 25118 | VISHAY | — |
3 грн.
|
|
— | 0.5 | — | — | — | SMD | SMB | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 750шт. | — | — | — | — | — | 28V | одиночний | |||||||||
Діод EC10QS04 (=S4)
#12763
|
25119 | Nihon | — |
1 грн.
|
|
— | 0.25 | — | — | — | SMD | SMA | 40V | 1A | — | — | Шотки | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Мікросхема LPC1768FBD100
#12765
|
25122 | NXP | — |
216 грн.
|
|
— | 2.1 | LQFP100 | — | — | SMD | — | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 25127 | PHILIPS | — |
216 грн.
|
|
— | Мікросхема TDA9345PS/N3/3 (прош. Beko шасі E1). | 10 | SDIP64 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 10 шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 25130 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 3Вт | 40шт. | 40В | 1.5А | 30МГц | 120 | — | — | — | ||||||||
Транзистор ГТ701А
#12774
|
25131 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ701А германієвий сплавний структури pnp універсальний. Призначений для застосування в системах запалювання двигунів внутрішнього згоряння, а також у перетворювачах напруги. | 22 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 50Вт | 20шт. | 100В | 12А | — | 75 | — | — | — | |||||||
Тиристор КУ101Г
#12775
|
25132 | СНГ | — |
10 грн.
|
— | Основні технічні параметри тиристора КУ101Г: • Максимальна постійна зворотна напруга: 80 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 80 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 1 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,075 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,15 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 12 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 1,5...8 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 100 В/мкс; • Час увімкнення: 2 мкс; • Час вимкнення: 35 мкс. | 2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діод НВЧ Д605
#12776
|
25133 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Діод НВЧ Д605 кремнієвий, точковий, детекторний. Призначений для детектування амплітудно-модульованих імпульсних сигналів, індикації імпульсної потужності в діапазоні хвиль 3,2..10см. | 2.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | НВЧ | — | — | 10 шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Діод НВЧ Д408
#12777
|
25134 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Діод Д408 кремнієвий точковий змішувальний. Призначений для застосування в перетворювачах частоти діапазоні довжин хвиль 4,5..10 с. | 2.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | НВЧ | — | — | 10 шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Діод НВЧ 2А511А
#12778
|
25135 | СНГ | — |
90 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри НВЧ діода 2А511А: • Загальна ємність: 0,55...0,75 пФ; • Прямий опір втрат: не більше 2 Ом; • Нагромаджений заряд діода: трохи більше 350 нКл; • Постійна зворотна напруга: 50...200 В; • Постійний прямий струм: 700 мА; • Значення допустимого статичного потенціалу: 100 В. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | НВЧ | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Діод НВЧ ДК-В2
#12779
|
25136 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Діоди НВЧ ДК-В2 кремнієві, точкові, детекторні. Призначені для визначення сигналів на довжині хвилі 10 см. | 0.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | НВЧ | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Діод 1Д507А (= ГД507А)
#12780
|
25137 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди 1Д507А германієві, мікросплавні, імпульсні. Призначені для обмеження та модуляції імпульсних сигналів. Основні технічні характеристики діода 1Д507А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 20 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,5 В при Inp 5 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 20 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 0,1 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,8 пФ. | 0.25 | — | — | — | DIP | КД-121 | 20V | 16mA | 200mA | — | Імпульсний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Діод Д311
#12781
|
25138 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Германієвий, мезадіфузійний, імпульсний. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 30V | 40mA | — | — | Імпульсний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
| 25139 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабілітрони 2С133А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 3,3 В діапазоні струмів стабілізації 3...81 мА. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 200шт. | — | — | — | — | 3V3 | — | — | ||||||||
Мікросхема LM2902DG
#12808
|
25166 | ON SEMICONDUCTOR | — |
6 грн.
|
|
— | 0.4 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема LA78045
#12809
|
25167 | SANYO | — |
18 грн.
|
|
— | 2.5 | TO-220-7 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема LA78141
#12810
|
25168 | SANYO | — |
18 грн.
|
|
— | 2.5 | TO-220-7 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема LM2901D (=2901)
#12811
|
25169 | ST MICROELECTRONICS | — |
5 грн.
|
|
— | 0.4 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 60шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема LM2904D (=LM2904)
#12812
|
25171 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
5 грн.
|
|
— | 0.4 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема LM317LZ
#12813
|
25172 | WS | — |
4 грн.
|
|
— | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема 88E1543-LKJ2
#12850
|
25202 | MARVELL | — |
198 грн.
|
|
— | Мікросхема 88E1543-LKJ2 | 2 | QFP128 | — | — | SMD | — | — | — | — | Ethernet | — | — | — | 72шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Радіолампа 6С52Н-В
#12952
|
25223 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | 6C52H-В Надмініатюрний металокерамічний тріод підвищеної надійності та механічної міцності. Призначений для посилення та генерування слабких сигналів у пристроях широкого застосування. Катод оксидний непрямого напруження. Працює у будь-якому положенні. Довговічність щонайменше 5000 год. Маса трохи більше 3 р. Розташування штирьків РШ8. | 3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор 2Т908А (=КТ908А)
#12953
|
25224 | СНГ | — |
120 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т908А мезапланарні кремнієві структури npn перемикальні. Призначені для застосування у стабілізаторах та перетворювачах напруги, імпульсних модуляторах. Корпус металевий із скляними ізоляторами та жорсткими висновками. | 22 | — | КТЮ-3-20 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 50Вт | 10 шт. | 100В | 10А | 50МГц | 60 | — | — | — | |||||||
Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)
#12954
|
25225 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистори 1Т305Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. | 0.4 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 75мВт | 100шт. | 15В | 6mA | 20МГц | 180 | — | — | — | |||||||
Транзистор 2Т306А (=КТ306А)
#12958
|
25229 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т306А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 300МГц | 60 | — | — | — |
