Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Призначення | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму |
|---|
Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)
#12959
|
25230 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т306Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 500МГц | 120 | |||||||||
Транзистор 2Т306В (=КТ306В)
#12960
|
25231 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т306В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 300МГц | 100 | |||||||||
Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)
#12961
|
25232 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т306Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. | 0.6 | — | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 500МГц | 200 | |||||||||
Мікросхема 78L10
#12965
|
25237 | WS | — |
3 грн.
|
|
— | Стабілізатор 10V/0.1A | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | живлення | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | |||||||||
| 25239 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
7 грн.
|
|
— | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | NPN | 75Вт | 50шт. | 400В | 4А | — | — | |||||||||||
| 25392 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Мікросхеми КР1434УД1Б є малошумливими двоканальними операційними підсилювачами середньої точності. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | Підсилювачі | — | — | 100шт. | — | — | — | — | ||||||||||
| 25456 | CHINA | — |
30 грн.
|
— | Термопара K-типу 0,5 метра в екранованому дроті кріплення – болт М6. | 13 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | 2 шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25457 | CHINA | — |
35 грн.
|
— | Термопара K-типу 1 метр в екранованому дроті кріплення – болт М6. | 19 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25458 | CHINA | — |
52 грн.
|
— | Термопара K-типу 2 метри в екранованому дроті кріплення - болт М6. | 30 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25459 | CHINA | — |
70 грн.
|
— | Термопара K-типу 3 метри в екранованому дроті кріплення - болт М6. | 43 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25464 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
24 грн.
|
|
— | 7 | — | TO3 | Біполярний | DIP | — | NPN | 130Вт | 30шт. | 400В | 12А | 4МГц | 30 | |||||||||||
| 25534 | CHINA | — |
3 грн.
|
— | Фоторезистор GL5528 є найпростішим датчиком світла. Залежно від сили освітлення, а точніше від сили світла, що падають на датчик променів, змінюється внутрішній опір фоторезистора. | 0.5 | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25535 | CHINA | — |
3 грн.
|
— | Фоторезистор GL5537 є найпростішим датчиком світла. Залежно від сили освітлення, а точніше від сили світла променів, що падають на датчик, змінюється внутрішній опір фоторезистора. | 0.5 | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 25536 | CHINA | — |
3,50 грн.
|
— | Фоторезистор GL5549 є найпростішим датчиком світла. Залежно від сили освітлення, а точніше від сили світла променів, що падають на датчик, змінюється внутрішній опір фоторезистора. | 0.5 | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема TL072CP
#13534
|
25660 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
10 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | Підсилювачі | — | — | 50шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ603Б
#13540
|
25671 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. | 1.5 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | NPN | 500мВт | 100шт. | 30В | 300мА | 200МГц | 60 | |||||||||
Транзистор ГТ321А
#13541
|
25672 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистори ГТ321А германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 60 | |||||||||
Транзистор ГТ322Б
#13544
|
25675 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистори ГТ322Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. Призначені для застосування в підсилювачах проміжної та високої частот. | 0.5 | — | КТ-1-7 | Біполярний | DIP | — | PNP | 50мВт | 100шт. | 6В | 10мА | 80МГц | 120 | |||||||||
Транзистор ГТ322В
#13545
|
25676 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистори ГТ322В германієві дифузійно-сплавні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. Призначені для застосування в підсилювачах проміжної та високої частот. | 0.5 | — | КТ-1-7 | Біполярний | DIP | — | PNP | 50мВт | 100шт. | 10В | 10мА | 50МГц | 200 | |||||||||
| 25677 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. | 0.5 | — | КТ-1-7 | Біполярний | DIP | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 50мА | 600МГц | 100 | ||||||||||
Транзистор МП36А
#13547
|
25679 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор германієвий сплавний npn низькочастотний підсилювач з ненормованим і нормованим на частоті 1 кГц коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 45 | |||||||||
Транзистор МП20
#13549
|
25682 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор МП20 германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 30В | 50мА | 2МГц | 150 | |||||||||
Мікросхема К176ИЕ5А
#13551
|
25684 | СНГ | — |
18 грн.
|
|
— | 15-розрядний двійковий дільник частоти. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | Логіка | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема К176ИЕ10
#13552
|
25685 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Зсувний регістр. | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | Логіка | — | — | 90шт. | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема OB2358AP
#13556
|
25690 | LITE-ON | — |
12 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | живлення | — | — | 50шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема TM1650
#13558
|
25692 | TITAN | — |
7 грн.
|
|
— | Драйвер чотирирозрядного семисегментного індикатора I2C. | 0.4 | SO16 | — | — | SMD | Драйвери | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема 74HC04D (=74HC04)
#13559
|
25693 | NXP | — |
6 грн.
|
|
— | Логічна ІВ, 6 інверторів. | 0.3 | SO14 | — | — | DIP | Логіка | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема 74HC164D
#13560
|
25694 | NXP | — |
5 грн.
|
|
— | 8-бітовий зсувний регістр із послідовним входом, паралельним виходом. | 0.4 | SO14 | — | — | SMD | Логіка | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема TTP223-BA6
#13561
|
25695 | CHINA | — |
6 грн.
|
|
— | Мікросхеми сенсорний датчик. | 0.1 | SOT23-6 | — | — | SMD | Датчики | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема PAM8403
#13562
|
25696 | PAM | — |
6 грн.
|
|
— | Мікросхема підсилювач низької частоти D-класу 2х3 Вт. | 0.4 | SO16 | — | — | SMD | Підсилювачі | — | — | 2500шт. | — | — | — | — |
