Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

	MPN	Артикул	Бренд	На складі	Ціна	Знижки	Кількість	Опис	Вага г.	Тип корпусу	Тип корпусу транзистора	Тип транзистора	Тип монтажу	Тип корпусу	Uзв. max, В	Iпр. max.	Iпр. імп. max.	Призначення	Тип діода	Структура	Потужність	Заводська упаковка	Напруга колектор-емітер	Струм колектора	Частота	Коефіцієнт посилення струму	Напруга стабілізації	Напруга пробою	Конструкція діода

Мікросхема КМ531ІР19 (=Am25S08)

#13771

25944

СНГ

63 шт

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

4-розрядний паралельний зсувний регістр на D-тригерах.

1.2

DIP16

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—

Транзистор П216Г

#16926

29173

СНГ

63 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Основні технічні характеристики транзистора П216Г: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: &gt;5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

24Вт

20шт.

50В

7,5A

0,1МГц

—

Діод Д242А

#17037

24628

СНГ

63 шт

30 грн.

50+	27 грн.
200+	24 грн.
500+	21 грн.

Основні технічні характеристики діода Д242А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 100 В.

—

Гвинт

КДЮ-11

100V

10A

—

Випрямний

—

50шт.

—

одиночний

Оптопара TLP421F (=PC421) smd

#1761

22740

TOSHIBA

62 шт

10 грн.

10+	9 грн.
50+	8 грн.

0.3

SO4

—

SMD

—

500шт.

—

P6KE13A, Захисний діод, 600Вт, 13В

#11232

25880

Taychipst

62 шт

3 грн.

10+	2,85 грн.
30+	2,70 грн.
50+	2,40 грн.

0.4

—

DIP

DO-15

—

Захисний

—

600Вт

1000шт.

—

13V

—

Мікросхема SN74HC14PWR

#17139

29389

TEXAS INSTRUMENTS

62 шт

17 грн.

10+	16,15 грн.
50+	15,30 грн.
100+	13,60 грн.

0.43

TSSOP14

—

SMD

—

Логіка

—

2000шт.

—

Транзистор 1Т308А (=ГТ308А)

#6848

29130

СНГ

61 шт

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

Транзистори 1Т308А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

PNP

150мВт

100шт.

15В

120мА

120МГц

—

P6KE18A, Захисний діод, 600Вт, 18В

#11236

23365

Taychipst

61 шт

3 грн.

10+	2,85 грн.
30+	2,70 грн.
50+	2,40 грн.

0.4

—

DIP

DO-15

—

Захисний

—

600Вт

1000шт.

—

18V

—

Стабілітрон КС515Г

#14114

26292

СНГ

61 шт

7 грн.

50+	6,30 грн.
100+	5,60 грн.
250+	5,25 грн.

Стабілітрони КС515Г кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності, прецизійні. Призначені для стабілізації номінальної напруги 15 В діапазоні струмів стабілізації 3 до 31 мА з високими вимогами до стабільності напруги в діапазоні температур -60...+100 °С. Основні технічні параметри стабілітрону КС515Г: • Номінальна напруга стабілізації: 15 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 14,25...15,75 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,005%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрона: 25 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 31 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С.

0.6

—

DIP

—

500мВт

50шт.

—

15V

—

Мікросхема КР142ЕН1Б

#927

21926

СНГ

60 шт

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

Мікросхеми КР142ЕН1Б є стабілізатори напруги компенсаційного типу з регульованою вихідною напругою позитивної полярності і струмом навантаження 150 мА. Мають захист від короткого замикання та перевантажень та схему дистанційного вимкнення зовнішнім сигналом. Для регулювання вихідної напруги використовується зовнішній дільник.

DIP14

—

DIP

—

живлення

—

100шт.

—

Симистор BTA41-600B

#5625

21138

ST MICROELECTRONICS

60 шт

56 грн.

10+	50,40 грн.
50+	44,80 грн.

—

DIP

TO-3P

600V

40A

—

30шт.

—

Сімістор BT137-600E

#5635

21150

NXP

60 шт

15 грн.

10+	13,50 грн.
50+	12 грн.

2.8

—

DIP

TO-220AB

600V

—

50шт.

—

Мікросхема КР580ВТ42

#7451

22217

СНГ

60 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

Адресний мультиплексор та лічильник відновлення динамічної пам&#39;яті.

DIP28

—

DIP

—

Логіка

—

36шт.

—

Мікросхема КМ555ІР11А

#10166

22045

СНГ

60 шт

7 грн.

10+	6,65 грн.
50+	6,30 грн.
100+	5,60 грн.

Чотирирозрядний універсальний регістр зсуву.

1.2

DIP16

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—

Тиристор КУ201Д

#10411

22422

СНГ

60 шт

10 грн.

• Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 100 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С

—

Гвинт

—

100V

—

30A

—

40шт.

—

Транзистор 1Т905А

#14616

26832

СНГ

60 шт

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

Транзистори 1Т905А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування у перемикаючих та імпульсних підсилювальних пристроях, у вихідних каскадах підсилювачів потужності низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора 1Т905А: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 6 Вт; • fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 75 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 35...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 200 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,17 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 300 пс.

3.5

—

Біполярний

DIP

—

PNP

6Вт

50шт.

65В

3А

30МГц

100

—

P6KE6.8A, Захисний діод, 600Вт, 6.8В

#11220

23354

Taychipst

59 шт

3 грн.

10+	2,85 грн.
30+	2,70 грн.
50+	2,40 грн.

0.4

—

DIP

DO-15

—

Захисний

—

600Вт

1000шт.

—

6.8V

—

Мікросхема К561СА1

#3948

21408

СНГ

58 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхема К561СА1 є дванадцятирозрядною схемою порівняння (контролер парності 12-розрядного числа). Містить 224 інтегральні елементи. Корпус типу 238.16-1, маса трохи більше 1,5 г.

1.1

DIP16

—

DIP

—

Логіка

—

90шт.

—

Мікросхема HT7150 (1501) (SOT23-5)

#11206

23334

Holtek

58 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

0.12

SOT23-5

—

SMD

—

живлення

—

2500шт.

—

Мікросхема КР185РУ9

#14480

26692

СНГ

58 шт

31 грн.

10+	29,45 грн.
50+	27,90 грн.
100+	24,80 грн.

ОЗУ ємністю 576 біт (64х9р).

DIP28

—

DIP

—

Пам`ять

—

40шт.

—

Мікросхема К224СА3

#15482

27722

СНГ

58 шт

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

Амплітудна схема порівняння.

ZIP-9

—

DIP

—

Аудіо

—

100шт.

—

Транзистор МП101А

#16893

29140

СНГ

58 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

Транзистори МП101Б кремнієві сплавні npn підсилювальні низькочастотні з ненормованим МП101, МП101Б та нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

20мА

0,5МГц

—

Мікросхема К157УН1Б

#705

22220

СНГ

57 шт

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

Підсилювач низької частоти.

DIP14

—

DIP

—

Підсилювачі

—

100шт.

—

Мікросхема К174ГФ1

#802

22125

СНГ

57 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

Мікросхема К174ГФ1 є задає (імпульсний) генератор малої розгортки з автопідстроюванням частоти і фази.

DIP14

—

DIP

—

100шт.

—

1.5KE300A, Захисний діод, 1500Вт, 300В

#4253

20168

VISHAY

57 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
30+	5,40 грн.
50+	4,80 грн.

DO-201

1.1

—

DIP

DO-201AD

—

Захисний

—

1.5кВт

200шт.

—

300V

—

Мікросхема КР531ЛР9 (=SN74S64)

#10127

21903

СНГ

57 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

Логічний елемент 4-2-3-2І-4АБО-НЕ.

DIP14

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—

Транзистор П210В

#12951

25222

СНГ

57 шт

60 грн.

10+	57 грн.
50+	54 грн.
100+	48 грн.

Транзистори П210В германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. Тип приладу вказано на корпусі. Маса транзистора не більше 37 г з наконечниками висновків і не більше 48,5 г з фланцем кріплення. Технічні умови: аА0.336.483 ТУ. Основні технічні характеристики транзистора П210В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 45 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 15 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

45Вт

10 шт.

45В

12А

—

Транзистор П306М

#15477

27717

СНГ

57 шт

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

Транзистори П306М германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги.

2.5

—

TO220

Біполярний

DIP

—

PNP

10Вт

100шт.

60В

400мА

1МГц

—

Мікросхема К174УП1

#804

22000

СНГ

56 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

Підсилювач яскравості

1.2

DIP16

—

DIP

—

90шт.

—

IN74AC34N (=КР1554ЛІ9)

#10326

22312

INTEGRAL

56 шт

19 грн.

10+	18,05 грн.
50+	17,10 грн.
100+	15,20 грн.

6 логічних елементів І.І.

DIP14

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—