Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Транзистор 1Т905А
#14616
|
26832 | СНГ | 60 шт |
20 грн.
|
|
Транзистори 1Т905А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування у перемикаючих та імпульсних підсилювальних пристроях, у вихідних каскадах підсилювачів потужності низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора 1Т905А: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 6 Вт; • fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 75 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 35...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 200 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,17 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 300 пс. | 3.5 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 6Вт | 50шт. | 65В | 3А | 30МГц | 100 | — | — | — | — | ||||||||
| 23354 | Taychipst | 59 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 6.8V | — | ||||||||||
Діод Д242А
#17037
|
24628 | СНГ | 59 шт |
30 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода Д242А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 100 В. | 13 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 100V | 10A | — | Випрямний | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Мікросхема К561СА1
#3948
|
21408 | СНГ | 58 шт |
6 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхема К561СА1 є дванадцятирозрядною схемою порівняння (контролер парності 12-розрядного числа). Містить 224 інтегральні елементи. Корпус типу 238.16-1, маса трохи більше 1,5 г. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К561ЛА7
#7436
|
21898 | СНГ | 58 шт |
10 грн.
|
|
Чотири логічні елементи 2І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 23334 | Holtek | 58 шт |
6 грн.
|
|
0.12 | SOT23-5 | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КР185РУ9
#14480
|
26692 | СНГ | 58 шт |
31 грн.
|
|
ОЗУ ємністю 576 біт (64х9р). | 4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К224СА3
#15482
|
27722 | СНГ | 58 шт |
12 грн.
|
|
Амплітудна схема порівняння. | 1 | ZIP-9 | — | — | DIP | — | — | — | Аудіо | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП101А
#16893
|
29140 | СНГ | 58 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори МП101Б кремнієві сплавні npn підсилювальні низькочастотні з ненормованим МП101, МП101Б та нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 0,5МГц | 30 | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К157УН1Б
#705
|
22220 | СНГ | 57 шт |
20 грн.
|
|
Підсилювач низької частоти. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К174ГФ1
#802
|
22125 | СНГ | 57 шт |
10 грн.
|
|
Мікросхема К174ГФ1 є задає (імпульсний) генератор малої розгортки з автопідстроюванням частоти і фази. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 20168 | VISHAY | 57 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 300V | — | |||||||||
| 21903 | СНГ | 57 шт |
6 грн.
|
|
Логічний елемент 4-2-3-2І-4АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор МП42А
#12255
|
24637 | СНГ | 57 шт |
6 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкеr проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 200 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 20 Ом. | 1.6 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 15В | 200мА | 1МГц | 50 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П210В
#12951
|
25222 | СНГ | 57 шт |
60 грн.
|
|
Транзистори П210В германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. Тип приладу вказано на корпусі. Маса транзистора не більше 37 г з наконечниками висновків і не більше 48,5 г з фланцем кріплення. Технічні умови: аА0.336.483 ТУ. Основні технічні характеристики транзистора П210В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 45 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 15 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10. | 34 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 45Вт | 10 шт. | 45В | 12А | — | 10 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П306М
#15477
|
27717 | СНГ | 57 шт |
12 грн.
|
|
Транзистори П306М германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 100шт. | 60В | 400мА | 1МГц | 25 | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К174УП1
#804
|
22000 | СНГ | 56 шт |
10 грн.
|
|
Підсилювач яскравості | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Симистор BTA41-600B
#5625
|
21138 | ST MICROELECTRONICS | 56 шт |
56 грн.
|
|
7 | — | — | — | DIP | TO-3P | 600V | 40A | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
IN74AC34N (=КР1554ЛІ9)
#10326
|
22312 | INTEGRAL | 56 шт |
19 грн.
|
|
6 логічних елементів І.І. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон КС456А
#13965
|
26145 | СНГ | 56 шт |
8 грн.
|
|
Стабілітрони КС456А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 5,6 В діапазоні струмів стабілізації 3...139 мА. Основні технічні параметри стабілітрону КС456А: • Номінальна напруга стабілізації: 5,6 при Iст 36 мА; • Розкид напруги стабілізації: 5.04...6,16 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0…0,05 %/°С; • Диференціальний опір стабілітрона: 10 Ом при Іст 30 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 139 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 200шт. | — | — | — | — | 5V6 | kd-8 | — | — | ||||||||
| 21033 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 55 шт |
50 грн.
|
|
2.8 | TO220F-5 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Симистор MAC97A8
#5630
|
21143 | ON SEMICONDUCTOR | 55 шт |
4 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | DIP | TO-92 | 600V | 600mA | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема КР531ЛА17
#9833
|
21439 | СНГ | 55 шт |
6 грн.
|
|
Два елементи 4І-НЕ з можливістю переведення виходу у високоімпедансний стан при подачі на вхід Е лог. 1 | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КМ555ЛА1
#14349
|
26557 | СНГ | 55 шт |
10 грн.
|
|
Два логічні елементи 4І-НЕ. | 1.3 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діодний міст DB107S
#3388
|
21443 | SEP | 54 шт |
3 грн.
|
|
1 | — | — | — | SMD | — | 1000V | 1A | — | Випрямний | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема К561ИР9
#4060
|
21932 | СНГ | 54 шт |
6 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхема К561ІР9 є чотирирозрядним послідовно-паралельний регістр. Містить 207 інтегральних елементів. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КМ155ІП4
#4076
|
21282 | СНГ | 54 шт |
10 грн.
|
|
Мікросхеми КМ155ИП4 є блоком прискореного перенесення для арифметичного вузла. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон 1N5373B(68V)
#11079
|
23095 | ON SEMICONDUCTOR | 54 шт |
4,40 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 500шт. | — | — | — | — | 68V | do201 | — | — | |||||||||
Мікросхема К176ИР2
#848
|
21865 | СНГ | 53 шт |
6 грн.
|
|
Здвоєний чотирирозрядний статичний регістр зсуву. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 23379 | Taychipst | 53 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 39V | — |
