Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
| 23359 | Taychipst | 65 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | 10V | — | ||||||||||
| 26553 | СНГ | 65 шт |
6 грн.
|
|
Логічний елемент "12І-НЕ" із трьома станами на виході. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КТ837У
#16662
|
28901 | INTEGRAL | 65 шт |
12 грн.
|
|
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 30Вт | 100шт. | 40В | 7,5A | 1МГц | 80 | — | — | — | ||||||||
| 20179 | VISHAY | 64 шт |
8 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | 400V | — | |||||||||
Діодний міст КЦ405АТ
#13929
|
26108 | СНГ | 64 шт |
10 грн.
|
Діодний міст 1.2А 400В | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 400V | 1.2A | — | — | Діодний міст | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Діодне складання КД205БТ
#13978
|
26158 | СНГ | 64 шт |
16 грн.
|
Діодні зборки КД205БТ, що складаються з двох кремнієвих, дифузійних діодів, з роздільними висновками. Призначені для перетворення змінної напруги частотою до 5 кгц в блоках електроживлення радіоелектронної апаратури. Основні технічні характеристики діода КД205БТ: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 500 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 400 В | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 400V | 500mA | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | складання | |||||||||
Мікросхема LM5010ASD/NOPB
#16853
|
29099 | TEXAS INSTRUMENTS | 64 шт |
180 грн.
|
|
0.34 | WSON-10 | — | — | SMD | — | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема КМ155ЛА7
#757
|
21330 | СНГ | 63 шт |
6 грн.
|
|
Мікросхеми КМ155ЛА7 є 2 логічних елементи 4І-НЕ з відкритим колекторним виходом і великим коефіцієнтом розгалуження по виходу (елемент індикації). | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема TNY253PN
#3270
|
25815 | Power Integrations | 63 шт |
25 грн.
|
|
0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
BSP295
#5456
|
20354 | INFINEON TECHNOLOGIES | 63 шт |
8 грн.
|
|
скачати datasheet BSP295 pdf,453 КБ | 0.3 | — | SOT223 | Польовий | SMD | — | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 60В | 1.8А | 1.8Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 23379 | Taychipst | 63 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | 39V | — | ||||||||||
| 25944 | СНГ | 63 шт |
8 грн.
|
|
4-розрядний паралельний зсувний регістр на D-тригерах. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор П216Г
#16926
|
29173 | СНГ | 63 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П216Г: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: >5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 24Вт | 20шт. | 50В | 7,5A | 0,1МГц | — | — | — | — | ||||||||
Діод Д242А
#17037
|
24628 | СНГ | 63 шт |
30 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода Д242А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 100 В. | 13 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 100V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Мікросхема SN74HC14PWR
#17139
|
29389 | TEXAS INSTRUMENTS | 63 шт |
17 грн.
|
|
0.43 | TSSOP14 | — | — | SMD | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема КР142ЕН1Б
#927
|
21926 | СНГ | 62 шт |
12 грн.
|
|
Мікросхеми КР142ЕН1Б є стабілізатори напруги компенсаційного типу з регульованою вихідною напругою позитивної полярності і струмом навантаження 150 мА. Мають захист від короткого замикання та перевантажень та схему дистанційного вимкнення зовнішнім сигналом. Для регулювання вихідної напруги використовується зовнішній дільник. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 22740 | TOSHIBA | 62 шт |
10 грн.
|
|
0.3 | SO4 | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К561ЛН3
#8386
|
22198 | СНГ | 62 шт |
6 грн.
|
|
Шість повторювачів. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 29130 | СНГ | 61 шт |
8 грн.
|
|
Транзистори 1Т308А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 120мА | 120МГц | 75 | — | — | — | |||||||||
Стабілітрон КС515Г
#14114
|
26292 | СНГ | 61 шт |
7 грн.
|
|
Стабілітрони КС515Г кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності, прецизійні. Призначені для стабілізації номінальної напруги 15 В діапазоні струмів стабілізації 3 до 31 мА з високими вимогами до стабільності напруги в діапазоні температур -60...+100 °С. Основні технічні параметри стабілітрону КС515Г: • Номінальна напруга стабілізації: 15 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 14,25...15,75 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,005%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрона: 25 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 31 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С. | 0.6 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 50шт. | — | — | — | — | 15V | — | — | ||||||||
| 20139 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 60 шт |
3 грн.
|
|
3A. 40V | 0.2 | — | — | — | SMD | DO-214AC, SMA | 40V | 3.0A | — | — | Шотки | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Сімістор BT137-600E
#5635
|
21150 | NXP | 60 шт |
15 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220AB | 600V | 8A | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема КР580ВТ42
#7451
|
22217 | СНГ | 60 шт |
10 грн.
|
|
Адресний мультиплексор та лічильник відновлення динамічної пам'яті. | 4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КМ555ІР11А
#10166
|
22045 | СНГ | 60 шт |
7 грн.
|
|
Чотирирозрядний універсальний регістр зсуву. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ201Д
#10411
|
22422 | СНГ | 60 шт |
10 грн.
|
• Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 100 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 11 | — | — | — | Гвинт | — | 100V | — | 30A | — | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23334 | Holtek | 60 шт |
4 грн.
|
|
0.12 | SOT23-5 | — | — | SMD | — | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 1Т905А
#14616
|
26832 | СНГ | 60 шт |
20 грн.
|
|
Транзистори 1Т905А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування у перемикаючих та імпульсних підсилювальних пристроях, у вихідних каскадах підсилювачів потужності низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора 1Т905А: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 6 Вт; • fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 75 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 35...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 200 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,17 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 300 пс. | 3.5 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 6Вт | 50шт. | 65В | 3А | 30МГц | 100 | — | — | — | ||||||||
| 23354 | Taychipst | 59 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | 6.8V | — | ||||||||||
Мікросхема К561СА1
#3948
|
21408 | СНГ | 58 шт |
6 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхема К561СА1 є дванадцятирозрядною схемою порівняння (контролер парності 12-розрядного числа). Містить 224 інтегральні елементи. Корпус типу 238.16-1, маса трохи більше 1,5 г. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КР185РУ9
#14480
|
26692 | СНГ | 58 шт |
31 грн.
|
|
ОЗУ ємністю 576 біт (64х9р). | 4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Пам'ять | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — |
