Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Мікросхема К224СА3
#15482
|
27722 | СНГ | 58 шт |
12 грн.
|
|
Амплітудна схема порівняння. | 1 | ZIP-9 | — | — | DIP | — | — | — | Аудіо | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП101А
#16893
|
29140 | СНГ | 58 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори МП101Б кремнієві сплавні npn підсилювальні низькочастотні з ненормованим МП101, МП101Б та нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 0,5МГц | 30 | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К157УН1Б
#705
|
22220 | СНГ | 57 шт |
20 грн.
|
|
Підсилювач низької частоти. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К174ГФ1
#802
|
22125 | СНГ | 57 шт |
10 грн.
|
|
Мікросхема К174ГФ1 є задає (імпульсний) генератор малої розгортки з автопідстроюванням частоти і фази. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діодний міст DB107S
#3388
|
21443 | SEP | 57 шт |
3 грн.
|
|
1 | — | — | — | SMD | — | 1000V | 1A | — | Випрямний | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 20168 | VISHAY | 57 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 300V | — | |||||||||
| 21903 | СНГ | 57 шт |
6 грн.
|
|
Логічний елемент 4-2-3-2І-4АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор П210В
#12951
|
25222 | СНГ | 57 шт |
60 грн.
|
|
Транзистори П210В германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. Тип приладу вказано на корпусі. Маса транзистора не більше 37 г з наконечниками висновків і не більше 48,5 г з фланцем кріплення. Технічні умови: аА0.336.483 ТУ. Основні технічні характеристики транзистора П210В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 45 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 15 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10. | 34 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 45Вт | 10 шт. | 45В | 12А | — | 10 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П306М
#15477
|
27717 | СНГ | 57 шт |
12 грн.
|
|
Транзистори П306М германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 10Вт | 100шт. | 60В | 400мА | 1МГц | 25 | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К174УП1
#804
|
22000 | СНГ | 56 шт |
10 грн.
|
|
Підсилювач яскравості | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К176ИР2
#848
|
21865 | СНГ | 56 шт |
6 грн.
|
|
Здвоєний чотирирозрядний статичний регістр зсуву. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
IN74AC34N (=КР1554ЛІ9)
#10326
|
22312 | INTEGRAL | 56 шт |
19 грн.
|
|
6 логічних елементів І.І. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон КС456А
#13965
|
26145 | СНГ | 56 шт |
8 грн.
|
|
Стабілітрони КС456А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 5,6 В діапазоні струмів стабілізації 3...139 мА. Основні технічні параметри стабілітрону КС456А: • Номінальна напруга стабілізації: 5,6 при Iст 36 мА; • Розкид напруги стабілізації: 5.04...6,16 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0…0,05 %/°С; • Диференціальний опір стабілітрона: 10 Ом при Іст 30 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 139 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 200шт. | — | — | — | — | 5V6 | kd-8 | — | — | ||||||||
Мікросхема К561ЛЕ10
#989
|
21918 | СНГ | 55 шт |
6 грн.
|
|
Три тривхідні елементи АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 21033 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 55 шт |
50 грн.
|
|
2.8 | TO220F-5 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КР531ЛА17
#9833
|
21439 | СНГ | 55 шт |
6 грн.
|
|
Два елементи 4І-НЕ з можливістю переведення виходу у високоімпедансний стан при подачі на вхід Е лог. 1 | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КМ555ЛА1
#14349
|
26557 | СНГ | 55 шт |
5 грн.
|
|
Два логічні елементи 4І-НЕ. | 1.3 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К561ИР9
#4060
|
21932 | СНГ | 54 шт |
6 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхема К561ІР9 є чотирирозрядним послідовно-паралельний регістр. Містить 207 інтегральних елементів. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КМ155ІП4
#4076
|
21282 | СНГ | 54 шт |
7 грн.
|
|
Мікросхеми КМ155ИП4 є блоком прискореного перенесення для арифметичного вузла. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон 1N5373B(68V)
#11079
|
23095 | ON SEMICONDUCTOR | 54 шт |
4,40 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 500шт. | — | — | — | — | 68V | do201 | — | — | |||||||||
Мікросхема 74HC175
#14434
|
26644 | TSL | 53 шт |
10 грн.
|
|
Четвірний D-тригер зі скиданням. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діод Д102
#16154
|
28396 | СНГ | 53 шт |
3 грн.
|
|
Діоди Д102 кремнієві, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 50V | 30mA | — | Випрямний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
| 20172 | VISHAY | 52 шт |
7 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 12V | — | |||||||||
Мікросхема BD6538G
#7301
|
20359 | ROHM SEMICONDUCTOR | 52 шт |
30 грн.
|
|
0.2 | SSOP5 | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема КС500ЛЕ106
#13584
|
25730 | СНГ | 52 шт |
8 грн.
|
|
Три елементи АБО-НЕ. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П217
#16929
|
29176 | СНГ | 52 шт |
20 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутій: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 15; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. | 11 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 30Вт | 40шт. | 60В | 7,5A | 0,1МГц | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К531ЛИ3П
#10797
|
22986 | СНГ | 51 шт |
4 грн.
|
|
Три логічні елементи 3І. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема 78M10
#11203
|
23330 | ST MICROELECTRONICS | 51 шт |
4 грн.
|
|
Інтегральний стабілізатор напруги 10V/0.5A. | 0.4 | DPAK | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Сімістор BT137S-600E
#15207
|
27446 | NXP | 51 шт |
15 грн.
|
|
1.2 | — | — | — | SMD | DPAK;TO-252 | 600V | 8A | — | — | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор FDS4435BZ
#16852
|
29098 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 51 шт |
17 грн.
|
|
0.4 | — | SO8 | Польовий | SMD | — | — | — | — | — | МОП р-канальний | 30В | 8.8А | 2.5Вт | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
