Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Конструкція діода
27956 СНГ 14 шт
90 грн.
10+85,50 грн.
50+81 грн.
100+72 грн.
0.7 SO16 SMD Телефонія 40шт.
28040 СНГ 14 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Діоди Д101 кремнієві, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. 0.9 DIP 75V 30mA Випрямний 500шт. одиночний
28133 СНГ 14 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Двоканальний восьмирозрядний формувач з трьома станами на виході. 1.5 DIP20 DIP Логіка 80шт.
28473 СНГ 14 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Мікросхема К531ТВ10П є подвійним JK-тригером. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
29288 СНГ 14 шт
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
Основні технічні характеристики діода Д215А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,0 В при Inp 10 А; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбр 200 В. 13 Гвинт КДЮ-11 200V 10A Випрямний 50шт. одиночний
22451 MIC 13 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 DIP DO-41 1000V 1A Швидкий 1000шт. одиночний
20957 13 шт
144 грн.
10+136,80 грн.
50+129,60 грн.
100+115,20 грн.
21113 ATMEL 13 шт
182 грн.
10+172,90 грн.
50+163,80 грн.
100+145,60 грн.
3 PLCC44 SMD Мікроконтролери 27шт.
22864 EON 13 шт
23 грн.
10+21,85 грн.
50+20,70 грн.
100+18,40 грн.
0.5 DIP8 DIP Пам`ять 50шт.
21682 СНГ 13 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Подвійний цифровий селектор-мультиплексор 4-1. 1 DIP16 DIP Логіка 100шт.
22320 FUJITSU 13 шт
65 грн.
10+61,75 грн.
50+58,50 грн.
100+52 грн.
8.5 DIP28 DIP Пам`ять 10 шт.
24021 СНГ 13 шт
130 грн.
10+123,50 грн.
50+117 грн.
100+104 грн.
Інтегральний фільтр НЧ. 7.5 DIP Фільтри 30шт.
24242 СНГ 13 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 2Т321Д кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 120
24639 СНГ 13 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Логічний елемент 8І-НЕ. 1.5 DIP Логіка 40шт.
25724 СНГ 13 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Надмалошумний, широкосмуговий підсилювач. 0.5 DIP8 DIP Підсилювачі 200шт.
29177 СНГ 13 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 20... 60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. 11 Біполярний DIP PNP 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц
20949 12 шт
96 грн.
10+91,20 грн.
50+86,40 грн.
100+76,80 грн.
Тип корпусу: PDIP-28 Короткий опис: 8-біт мікроконтролер з 4 кбайт програмованої Flash Харчування, В: 1,8...5,5 Робоча температура, °С: -40...+85
21107 12 шт
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
20561 12 шт
115 грн.
10+109,25 грн.
50+103,50 грн.
100+92 грн.
20273 TEXAS INSTRUMENTS 12 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
0.3 SOT223 SMD живлення 2500шт.
22117 СНГ 12 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Дворозрядний (двійковий) повний суматор. 1.5 DIP14 DIP Логіка 100шт.
22197 СНГ 12 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Логічний елемент 3АБО-НЕ/3АБО з можливістю розширення АБО і з навантажувальними резисторами на виходах. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
23487 СНГ 12 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори КТ629А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp перемикальні безкорпусні на керамічному кристалотримачі із захисним покриттям з гнучкими висновками. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних пристроях у складі гібридних інтегральних мікросхем. 1.8 Біполярний SMD PNP 1Вт 100шт. 250МГц 25
23740 ST MICROELECTRONICS 12 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.4 SOT223 SMD живлення 1000шт.
23879 СНГ 12 шт
20 грн.
Основні технічні параметри тиристора КУ221Г: • імпульсна напруга, що повторюється: 50 В; • імпульсна напруга, Що Повторюється, в закритому стані: 600 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 100 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 3,2 А; • Імпульсна напруга у відкритому стані: не більше 3,5 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: 10 В; • імпульсний струм, що повторюється, в закритому стані: не більше 0,3 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 150 мА; • Імпульсна напруга управління, що відпирає: не більше 7 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 200 В/мкс; • Час вимкнення: не більше 10 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 6 DIP 600V 3.2A 50шт.
28374 DIOTEC SEMICONDUCTOR 12 шт
6 грн.
100+5,40 грн.
200+4,80 грн.
500+4,20 грн.
100V 6A 1.8 DIP R-6 100V 6A Випрямний 1000шт. одиночний
28437 СНГ 12 шт
20 грн.
12 DIP 50V 10A 50шт.
28759 СНГ 12 шт
30 грн.
Основні технічні параметри тиристора 2У203Д: • імпульсна напруга, що повторюється: 200 В; • імпульсна напруга, Що Повторюється, в закритому стані: 200 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 100 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 5 А; • Імпульсна напруга у відкритому стані: не більше 2 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: не менше 0,1 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 10 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 10 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 450 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 2,5 В; • Імпульсна напруга управління, що відпирає: 10 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: не більше 20 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 3 мкс; • Час вимкнення: не більше 7 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 33 DIP 10A 20Вт 20шт.
28868 СНГ 12 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
Стабілізатор постійного струму КЖ101А кремнієвий, планарний, n-канальний транзистор ДМОП з вбудованим каналом. 0.5 DIP8 DIP живлення 400шт.
22308 СНГ 11 шт
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Схема вибору телевізійних програм. 4 DIP28 DIP TV 36шт.