Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Конструкція діода |
|---|
Транзистор П217А
#16930
|
29177 | СНГ | 13 шт |
20 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П217А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 20... 60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. | 11 | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 30Вт | 40шт. | 60В | 7,5A | 0,1МГц | — | — | ||||||||
ATmega48PA-PU
#2750
|
20949 | — | 12 шт |
96 грн.
|
|
Тип корпусу: PDIP-28 Короткий опис: 8-біт мікроконтролер з 4 кбайт програмованої Flash Харчування, В: 1,8...5,5 Робоча температура, °С: -40...+85 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема L293B
#3028
|
21107 | — | 12 шт |
60 грн.
|
|
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
MIP3E3SMY
#3202
|
20561 | — | 12 шт |
115 грн.
|
|
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КМ155ІМ2
#7383
|
22117 | СНГ | 12 шт |
6 грн.
|
|
Дворозрядний (двійковий) повний суматор. | 1.5 | DIP14 | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К137ЛМ1
#8396
|
22197 | СНГ | 12 шт |
6 грн.
|
|
Логічний елемент 3АБО-НЕ/3АБО з можливістю розширення АБО і з навантажувальними резисторами на виходах. | 1 | DIP14 | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ629А
#11376
|
23487 | СНГ | 12 шт |
7 грн.
|
|
Транзистори КТ629А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp перемикальні безкорпусні на керамічному кристалотримачі із захисним покриттям з гнучкими висновками. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних пристроях у складі гібридних інтегральних мікросхем. | 1.8 | — | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | — | PNP | 1Вт | 100шт. | — | 1А | 250МГц | 25 | — | ||||||||
| 23740 | ST MICROELECTRONICS | 12 шт |
6 грн.
|
|
0.4 | SOT223 | — | SMD | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | ||||||||||
Тиристор КУ221Г
#15520
|
23879 | СНГ | 12 шт |
20 грн.
|
Основні технічні параметри тиристора КУ221Г: • імпульсна напруга, що повторюється: 50 В; • імпульсна напруга, Що Повторюється, в закритому стані: 600 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 100 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 3,2 А; • Імпульсна напруга у відкритому стані: не більше 3,5 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: 10 В; • імпульсний струм, що повторюється, в закритому стані: не більше 0,3 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 150 мА; • Імпульсна напруга управління, що відпирає: не більше 7 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 200 В/мкс; • Час вимкнення: не більше 10 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 6 | — | — | DIP | — | 600V | 3.2A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Діод P600B (6A, 100V)
#16135
|
28374 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 12 шт |
6 грн.
|
|
100V 6A | 1.8 | — | — | DIP | R-6 | 100V | 6A | — | — | Випрямний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Тиристор Д235А
#16191
|
28437 | СНГ | 12 шт |
20 грн.
|
12 | — | — | DIP | — | 50V | — | 10A | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | ||||||||||
Тиристор 2У203Г (=КУ203Г)
#16511
|
28759 | СНГ | 12 шт |
30 грн.
|
Основні технічні параметри тиристора 2У203Д: • імпульсна напруга, що повторюється: 200 В; • імпульсна напруга, Що Повторюється, в закритому стані: 200 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 100 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 5 А; • Імпульсна напруга у відкритому стані: не більше 2 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: не менше 0,1 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 10 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 10 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 450 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 2,5 В; • Імпульсна напруга управління, що відпирає: 10 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: не більше 20 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 3 мкс; • Час вимкнення: не більше 7 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 33 | — | — | DIP | — | — | 10A | — | — | — | — | 20Вт | 20шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема КЖ101А
#16630
|
28868 | СНГ | 12 шт |
24 грн.
|
|
Стабілізатор постійного струму КЖ101А кремнієвий, планарний, n-канальний транзистор ДМОП з вбудованим каналом. | 0.5 | DIP8 | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 400шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К1106ХП2
#690
|
22308 | СНГ | 11 шт |
16 грн.
|
|
Схема вибору телевізійних програм. | 4 | DIP28 | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К500ІВ165
#707
|
22240 | СНГ | 11 шт |
6 грн.
|
|
Кодуючий елемент із пріоритетом. | 1.3 | DIP16 | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
| 23475 | ST MICROELECTRONICS | 11 шт |
5 грн.
|
|
Стабілізатор -9V/0.1A | 0.3 | TO-92 | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема AR7240-AH1A
#4135
|
22933 | ATHEROS | 11 шт |
209 грн.
|
|
32-бітний процесор MIPS 24K, що працює з частотою до 400 МГц з 8 KB ICACHE та 32 KB DCache. | 5 | QFP128 | — | SMD | — | — | — | — | Ethernet | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
Варикап 2В105А
#8874
|
22649 | СНГ | 11 шт |
40 грн.
|
Варикапи кремнієві, дифузійно-сплавні, підлаштовані. Призначені для застосування у схемах розбудови контурів резонансних підсилювачів. | 1 | — | — | DIP | КД-9 | — | — | — | — | Варікап | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема MAX7400ESA
#8996
|
21185 | Maxim Integrated | 11 шт |
84 грн.
|
|
0.4 | SO8 | — | SMD | — | — | — | — | Фільтри | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
| 21863 | СНГ | 11 шт |
6 грн.
|
|
Подвійний JK-тригер. | 1 | DIP14 | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема SN74LS03N
#11381
|
23492 | TEXAS INSTRUMENTS | 11 шт |
17 грн.
|
|
1 | DIP14 | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Кенотрон ВІ1-18/32
#11643
|
23873 | СНГ | 11 шт |
400 грн.
|
|
ВІ1-18/32 Високовольтний імпульсний кенотрон. Балон металоскляний. Висота 142мм, діаметр 80 мм. Катод вольфрамовий. Охолодження природне. Довговічність щонайменше 500 год. | 450 | — | — | Затискач | — | — | — | — | — | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
Кенотрон В1-0.03/13
#11648
|
23878 | СНГ | 11 шт |
150 грн.
|
|
Високовольтний кенотрон. В1-0.03/13 призначений для випрямлення змінного струму в безперервному та імпульсному режимах роботи в апаратурі спеціального призначення. Катод - оксидний прямого розжарення. Оформлення скляне із цоколем. | 50 | — | — | Затискач | — | — | — | — | — | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
| 24096 | JRC | 11 шт |
5 грн.
|
|
0.4 | SO8 | — | SMD | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод 2Д201Г (=КД201Г)
#12957
|
25228 | СНГ | 11 шт |
40 грн.
|
|
Діоди 2Д201Г кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. | 13 | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 200V | 10A | 15A | — | Випрямний | — | — | 40шт. | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Мікросхема КР521СА4
#13601
|
25753 | СНГ | 11 шт |
25 грн.
|
|
Швидкодіючий компаратор напруги. | 1 | DIP14 | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема TNY266GN
#13658
|
25822 | Power Integrations | 11 шт |
25 грн.
|
|
0.5 | SMD-8B | — | SMD | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор П214А
#13777
|
25956 | СНГ | 11 шт |
15 грн.
|
|
Транзистори П214А германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Основні технічні характеристики транзистора П214А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 11 | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 20шт. | 55В | 5А | 0,15МГц | 150 | — | ||||||||
Діод P600G (6A, 400V)
#16136
|
28375 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 11 шт |
8 грн.
|
|
400V 6A | 1.8 | — | — | DIP | R-6 | 400V | 6A | — | — | Випрямний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Діод КД203Г
#16186
|
28431 | СНГ | 11 шт |
50 грн.
|
|
Діоди КД203Г кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 5 кГц. Основні технічні характеристики діода КД203Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 700 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 1500 мкА при Uoбр 1000 В. | 13 | — | — | Гвинт | — | 700V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | 25шт. | — | — | — | — | одиночний |
