Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
Симистор MAC97A6
#5629
|
21142 | NXP | 535 шт |
3 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | TO-92 | 400V | 600mA | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема CY27C256-70WC
#9868
|
21647 | CYPRESS | 534 шт |
50 грн.
|
|
4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | 14шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор МП15
#3476
|
23010 | СНГ | 533 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор МП15 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 2МГц | 60 | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К155РЕ3
#962
|
21276 | СНГ | 521 шт |
10 грн.
|
|
Мікросхеми К155РЕ3 являють собою електрично програмоване за допомогою перепалювання плавких перемичок постійне пристрій (ППЗУ) ємністю 256 біт (з організацією 32 слова х 8 розрядів). | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КР559ІП11
#9720
|
22302 | СНГ | 518 шт |
6 грн.
|
|
4-розрядний приймач-передавач | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод КД202Д
#14040
|
26219 | СНГ | 514 шт |
8 грн.
|
|
Діоди КД202Д кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 5 кГц. Основні технічні характеристики діода КД202Д: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 200 В | 5 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 140V | 5A | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема 318НР10В
#11945
|
24231 | СНГ | 509 шт |
90 грн.
|
|
0.7 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Телефонія | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Діод КД209Б
#15523
|
27762 | СНГ | 501 шт |
1 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода КД209Б: • Uoбp max – Максимальна постійна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 500 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 600 В. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | 600V | 500mA | — | Випрямний | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Діодний міст КЦ405Е
#8870
|
22957 | СНГ | 497 шт |
6 грн.
|
Діодний міст 1А 100В. | 4 | — | — | — | DIP | — | 100V | 1A | — | Діодний міст | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 26303 | ST MICROELECTRONICS | 497 шт |
6 грн.
|
|
0.5 | SOT223 | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Стабілітрон 1N5349B(12V)
#11059
|
23078 | ON SEMICONDUCTOR | 495 шт |
4 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 500шт. | — | — | — | — | 12V | do201 | — | |||||||||||
Стабілітрон Д815Д
#13776
|
25955 | СНГ | 495 шт |
7 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 12В Основні технічні параметри стабілітрона Д815Д: • Розкид напруги стабілізації: 10,8... 13,3 при Iст 500 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,09%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±4%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 2 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 25 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 650 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 8 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 4.2 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 12V | ks620 | — | ||||||||||
| 24035 | СНГ | 492 шт |
24 грн.
|
|
Транзисторні зборки, що складаються з двох кремнієвих епітаксійно-планарних структур pnp підсилювальних транзисторів на одному кристалі з роздільними висновками. Призначені для застосування у широкосмугових балансних, диференціальних та операційних підсилювачах та інших каскадах герметизованої апаратури, в яких потрібна ідентичність параметрів двох транзисторів. | 2 | — | — | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | PNP x2 | 20мВт | 150шт. | 10В | 20мА | 500МГц | 180 | — | — | — | |||||||||||
| 26195 | СНГ | 490 шт |
8 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 27В Основні технічні параметри стабілітрона Д816Б: • Розкид напруги стабілізації: 24,2... 29,5 при Iст 150 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,12%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±5%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 8 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 10 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 180 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С | 2.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 27V | ks620 | — | |||||||||||
Мікросхема К293ЛП1А dip8
#7421
|
21976 | СНГ | 487 шт |
6 грн.
|
|
Оптронний перемикач-інвертор. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон Д818А
#13964
|
26144 | СНГ | 487 шт |
3 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрона Д818А: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 9...11 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0...+0,023 %/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,11 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 70 Ом при Іст 3 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 200шт. | — | — | — | — | 9V | kd-8 | — | ||||||||||
Мікросхема NE555D
#9024
|
20574 | TEXAS INSTRUMENTS | 486 шт |
5 грн.
|
|
0.5 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | Таймери | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ502А
#10350
|
22338 | СНГ | 486 шт |
5 грн.
|
|
Транзистори КТ502А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — | ||||||||||
| 29480 | EVERLIGHT | 486 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | DIP4 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 29479 | EVERLIGHT | 485 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | DIP4 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
SS9014C (S9014)
#8690
|
20398 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 484 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 450мВт | 500шт. | 45В | 100мА | — | 600 | — | — | — | |||||||||||
Тиристор BT169D
#9850
|
21629 | NXP | 483 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Діод 20A10 (20A, 1000V)
#17182
|
29432 | YFW | 478 шт |
11 грн.
|
|
1000V 20A | 1.8 | — | — | — | DIP | R-6 | 1000V | 20A | — | Випрямний | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема КР142ЕН1А
#926
|
21927 | СНГ | 474 шт |
12 грн.
|
|
Мікросхеми КР142ЕН1А являють собою стабілізатори напруги компенсаційного типу з регульованою вихідною напругою позитивної полярності та струмом навантаження 150 мА. Мають захист від короткого замикання та перевантажень та схему дистанційного вимкнення зовнішнім сигналом. Для регулювання вихідної напруги використовується зовнішній дільник. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К561ТР2А
#4056
|
21405 | СНГ | 473 шт |
6 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхеми К561ТР2А являють собою чотири RS-тригери (асинхронні) з третім станом на вході. Містять 154 інтегральні елементи. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 22323 | СНГ | 466 шт |
8 грн.
|
|
ШИМ-контролер до 200 кгц. Uпіт = 8-40В, Iвих = 200 мА | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 29481 | EVERLIGHT | 466 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | SO4 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Мікросхема К561РУ2
#732
|
22140 | СНГ | 460 шт |
10 грн.
|
|
Статичний оперативний пристрій ємністю 256 біт (256 х 1) зі схемою управління. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 29478 | EVERLIGHT | 458 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | DIP4 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Транзистор МП25
#10814
|
23007 | СНГ | 457 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор МП25 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 40В | 150мА | — | 25 | — | — | — |
