Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
Транзистор BC547C
#2231
|
23481 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 638 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 2500шт. | 45В | 100мА | — | 400 | — | — | — | |||||||||||
Транзистор MMBT4401 (2X)
#9700
|
21035 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 638 шт |
1 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | NPN | 350мВт | 3000шт. | 40В | 600мА | — | 300 | — | — | — | |||||||||||
Стовп випрямний КЦ201В
#9876
|
21655 | СНГ | 637 шт |
40 грн.
|
|
Стовп із кремнієвих, дифузійних, лавинних діодів, імпульсний. Призначений для перетворення змінної імпульсної напруги частотою до 1 кГц. | 63 | — | — | — | Гвинт | — | 6kV | 500mA | — | Високовольтний | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | складання | ||||||||||
| 22063 | СНГ | 637 шт |
10 грн.
|
|
АЛУ для запису двох 4-розрядних слів. | 5 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ645А
#10316
|
22265 | INTEGRAL | 628 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 1000шт. | 50В | 300мА | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 28264 | MICROHCHIP | 628 шт |
22 грн.
|
|
0.11 | SOT23 | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 21846 | INTEGRAL | 626 шт |
2,50 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | NPN | 100мВт | 1000шт. | 40В | 100мА | 150МГц | 250 | — | — | — | ||||||||||||
Мікросхема КМ155ЛР1
#950
|
21300 | СНГ | 622 шт |
5 грн.
|
|
2 логічні елементи 2-2І-2АБО-НЕ, один розширюється по АБО. | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон КС224Ж
#10099
|
21837 | СНГ | 618 шт |
2,50 грн.
|
|
Стабілітрон Р=0.125Вт U=24В при Iст=2мА | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 125мВт | 1000шт. | — | — | — | — | 24V | kd2 | — | ||||||||||
Диод ES1D-E3/61T (ED)
#16913
|
29160 | VISHAY | 618 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | SMD | DO-214AC, SMA | 200V | 1A | — | Швидкий | — | — | 1800шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Стабілітрон Д816Б
#11968
|
24257 | СНГ | 617 шт |
6 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 27В Основні технічні параметри стабілітрона Д816Б: • Розкид напруги стабілізації: 24,2... 29,5 при Iст 150 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,12%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±5%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 8 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 10 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 180 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С | 2.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 27V | ks620 | — | ||||||||||
Мікросхема К561ПУ4
#3950
|
21931 | СНГ | 615 шт |
4 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхеми К561ПУ4 є шість перетворювачів рівня. Застосовуються для узгодження КМОП- та ТТЛ-схем, а також низькопорогових та високопорогових КМОП-схем. Містять 104 інтегральні елементи. Корпус типу 2103Ю.16-Д, маса трохи більше 1,5 г. | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К155РЕ3
#962
|
21276 | СНГ | 601 шт |
6 грн.
|
|
Мікросхеми К155РЕ3 являють собою електрично програмоване за допомогою перепалювання плавких перемичок постійне пристрій (ППЗУ) ємністю 256 біт (з організацією 32 слова х 8 розрядів). | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Пам'ять | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К131ЛН1
#746
|
21203 | СНГ | 599 шт |
4 грн.
|
|
6 логічних елементів НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К174УР1
#854
|
21967 | СНГ | 597 шт |
10 грн.
|
|
Мікросхеми К174УР1 є вузлами обробки ЧС сигналу. Призначені для посилення та обмеження напруги проміжної та різницевої частот, частотного детектування та електронного регулювання напруги звукової частоти в телевізійній та радіомовній приймальній апаратурі. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К561ИЕ11
#724
|
21374 | СНГ | 593 шт |
6 грн.
|
|
Чотирирозрядний двійковий реверсивний лічильник. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод КД221В
#11453
|
23583 | СНГ | 592 шт |
0,80 грн.
|
|
Діоди КД221В кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 50 кГц. | 0.3 | — | — | — | DIP | КД-5А | 400V | 300mA | — | Випрямний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
| 29026 | NXP | 587 шт |
37 грн.
|
|
5Mbps SOIC-8 CAN Transceivers. | 0.2 | SOIC-8 | — | — | SMD | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема SN74LS138N
#10115
|
21854 | MOTOROLA | 585 шт |
13 грн.
|
|
1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор П214В
#12366
|
24701 | СНГ | 584 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П214В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 50шт. | 55В | 5А | — | — | — | — | — | ||||||||||
Тиратрон МТХ-90
#14130
|
26311 | СНГ | 583 шт |
15 грн.
|
|
Тиратрон тліючого розряду Випускається у скляному оформленні. Балон наповнений неоном. Виводи електродів жорсткі дротяні. Працює у будь-якому положенні. Температура довкілля від 60 до +85°. Охолодження природне. | 3.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон Д815Б
#14018
|
26197 | СНГ | 579 шт |
6 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 6,8В Основні технічні параметри стабілітрона Д815Б: • Розкид напруги стабілізації: 6,1...7,5 при Iст 1 А; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,05%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±4%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 0,8 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 50 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 1,15 А; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 8 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 2.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 6V8 | ks620 | — | ||||||||||
Мікросхема К176ИЕ1
#8380
|
22297 | СНГ | 576 шт |
6 грн.
|
|
6-розрядний двійковий лічильник. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон Д815Ж
#14014
|
26193 | СНГ | 568 шт |
7 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 180В Основні технічні параметри стабілітрона Д815Ж: • Розкид напруги стабілізації: 16,2... 19,8 при Iст 500 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,11%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±4%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 3 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 25 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 450 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 8 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 2.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 18V | ks620 | — | ||||||||||
Стабілітрон Д817А
#11962
|
24251 | СНГ | 565 шт |
6 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 56В Основні технічні параметри стабілітрона Д817А: • Розкид напруги стабілізації: 50,5... 61,5 при Iст 50 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,14%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±6%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрона: 35 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 90 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С | 3.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 56V | ks620 | — | ||||||||||
| 20624 | TEXAS INSTRUMENTS | 562 шт |
12 грн.
|
|
0.5 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Логіка | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Стабілітрон КС433А
#11425
|
23542 | СНГ | 561 шт |
4 грн.
|
|
Стабілітрони КС433А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 3,3 В діапазоні струмів стабілізації 3...191 мА. Основні технічні параметри стабілітрону КС433А: • Номінальна напруга стабілізації: 3,3 при Iст 30 мА; • Розкид напруги стабілізації: 2,97...3,63 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,1%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрона: 25 Ом при Іст 30 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 191 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С | 0.7 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 500шт. | — | — | — | — | 3V3 | kd-8 | — | ||||||||||
Мікросхема К561ІД1
#7360
|
21326 | СНГ | 560 шт |
6 грн.
|
|
Двійково-десятковий дешифратор. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод КД209Б
#15523
|
27762 | СНГ | 551 шт |
1 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода КД209Б: • Uoбp max – Максимальна постійна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 500 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 600 В. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | 600V | 500mA | — | Випрямний | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема КМ155ЛН1
#981
|
21293 | СНГ | 550 шт |
8 грн.
|
|
Мікросхеми КМ155ЛН1 є 6 логічних елементів НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — |
