Зверніть увагу: з технічних причин обробка, видача та відправка замовлень, оформлених у четвер (15.10), розпочнуться в п’ятницю (16.10). Дякуємо за терпіння та розуміння!

Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
22290 СНГ 805 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Формувач тонального викликного сигналу і призначена для застосування у пристроях телефонних апаратів і в пристроях звукової сигналізації. 1 DIP14 — — DIP — — — Телефонія — — — — — 100шт. — — — — — — —
21208 СНГ 800 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Операційний підсилювач середньої точності з транзисторами на вході з надвисоким посиленням, з малими вхідними струмами, із внутрішньою частотною корекцією та схемою захисту виходу від короткого замикання. 0.5 DIP8 — — DIP — — — Підсилювачі — — — — — 100шт. — — — — — — —
22339 СНГ 800 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503Д кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 — TO92 Біполярний DIP — — — — — NPN — — 350мВт 1000шт. 60В 350мА 5МГц 120 — — —
22386 СНГ 796 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Стабілітрон кремнієвий, дифузійно-сплавний, малої потужності. 0.2 — — — DIP — — — — — — — — 125мВт 1000шт. — — — — 3V9 kd-4 —
21941 СНГ 795 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
2 D-тригери з установкою «0» та «1». 1 DIP14 — — DIP — — — Логіка — — — — — 100шт. — — — — — — —
23578 ON SEMICONDUCTOR 789 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
0.25 — TO92 Польовий DIP — — — — — МОП n-канальний 240В 200мА 350мВт 1000шт. — — — — — — —
20222 Rectron Semiconductor 777 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабілітрон 22V 0.5W (BZX55C 22V) 0.12 — — — DIP — — — — — — — — 500мВт 500шт. — — — — 22V DO-35 —
22783 СНГ 775 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Призначений для застосування у вхідних та наступних каскадах малошумливих підсилювачів надвисоких частот. 0.1 — КТ-22 Біполярний SMD — — — — — NPN — — 75мВт 200шт. — 8,5мА 5ГГц 110 — — —
26693 СНГ 766 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
Стабілітрони КС508А кремнієві, планарні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 12,0 В діапазоні струмів стабілізації 0,25...23,0 мА. Основні технічні параметри стабілітрона КС508А: • Номінальна напруга стабілізації: 12 В при Іст 10,5 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,11%/°С; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 0,25 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 23 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+85 °С. 0.2 — — — DIP — — — — — — — — 500мВт 400шт. — — — — 12V kd2 —
23501 СНГ 759 шт
0,70 грн.
50+0,63 грн.
200+0,56 грн.
500+0,49 грн.
Діоди КД221Б кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 50 кГц. 0.3 — — — DIP КД-5А 200V 500mA — Випрямний — — — — 500шт. — — — — — — одиночний
21386 СНГ 755 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Мікросхема КР1816ВЕ39 є однокристальною 8-розрядною мікро-ЕОМ без ПЗУ, призначену для обробки цифрової інформації в обчислювальній техніці. Кількість команд – 96; ємність ОЗП - 128 байт, число ліній введення/виводу - 27, можливість адресації до зовнішнього ПЗП програм - до 4 Кбайт. Містить 18 ТОВ інтегральних елементів. Корпус типу 2123.40-2, маса трохи більше 5 г. 5 DIP40 — — DIP — — — Мікроконтролери — — — — — 36шт. — — — — — — —
28881 DIOTEC SEMICONDUCTOR 752 шт
12 грн.
100+10,80 грн.
200+9,60 грн.
500+8,40 грн.
0.6 — — — DIP DO-201AD 600V 5A — Швидкий — — — — 1000шт. — — — — — — одиночний
26148 СНГ 750 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори МП104 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — PNP — — 150мВт 100шт. 60В 10мА 0,1МГц 10 — — —
22271 СНГ 741 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
КТ604БМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn. 1 — TO126 Біполярний DIP — — — — — NPN — — 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 120 — — —
20392 TEXAS INSTRUMENTS 740 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.5 DIP8 — — DIP — — — Таймери — — — — — 50шт. — — — — — — —
22037 СНГ 728 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
8-розрядний двонаправлений драйвер з 3 станами 1.5 DIP20 — — DIP — — — Логіка — — — — — 70шт. — — — — — — —
25688 СНГ 728 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Логічний елемент 10АБО-НЕ/10АБО. 1 DIP14 — — DIP — — — Логіка — — — — — 100шт. — — — — — — —
22139 СНГ 725 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Чотири двонаправлені перемикачі. 1 DIP14 — — DIP — — — Логіка — — — — — 100шт. — — — — — — —
26706 СНГ 715 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Діоди КД243Г кремнієві, дифузійні, випрямляючі. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 70 кГц. Основні технічні характеристики діода КД243Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1 А; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 6 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,1 В при Inp 1 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 10 мкА при Uoбp 400 В. 0.4 — — — DIP КД-4 400V 1A — Випрямний — — — — 1000шт. — — — — — — одиночний
20230 Rectron Semiconductor 681 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабілітрон 3.6V 0.5W (BZX55C 3V6) 0.12 — — — DIP — — — — — — — — 500мВт 500шт. — — — — 3V6 DO-35 —
22340 СНГ 680 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 — КТ-13 Біполярний DIP — — — — — PNP — — 150мВт 1000шт. 35В 50мА 250МГц 350 — — —
20151 SEMTECH ELECTRONICS 666 шт
1,50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
1000V*1A 0.3 — — — DIP DO-41 1000V 1A — Випрямний — — — — 5000шт. — — — — — — одиночний
23499 Rectron Semiconductor 657 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабілітрон BZV55C12V SOD-80 12V 0,5W 0.2 — — — SMD — — — — — — — — 500мВт 2500шт. — — — — 12V SOD-80 —
20498 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 653 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 — TO92 Біполярний DIP — — — — — PNP — — 450мВт 500шт. 45В 100мА 200МГц 600 — — —
26682 СНГ 645 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори МП13 германієві сплавні pnp універсальні низькочастотні малопотужні. Призначені для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів, застосування у фериттранзисторних осередках. Основні технічні характеристики транзистора МП13: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 0,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 25...55; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. 1.8 — КТЮ-3-6 Біполярний DIP — — — — — PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 0,5МГц 12 — — —
21378 СНГ 640 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхеми К561ТВ1А є два JK-тригери з асинхронними RS-входами і динамічним управлінням запису. Містять 138 інтегральних елементів. Корпус типу 238.16-1, маса трохи більше 1,5 г. 1.1 DIP16 — — DIP — — — Логіка — — — — — 90шт. — — — — — — —
21655 СНГ 637 шт
40 грн.
50+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
Стовп із кремнієвих, дифузійних, лавинних діодів, імпульсний. Призначений для перетворення змінної імпульсної напруги частотою до 1 кГц. 63 — — — Гвинт — 6kV 500mA — Високовольтний — — — — 20шт. — — — — — — складання
22063 СНГ 637 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
АЛУ для запису двох 4-розрядних слів. 5 DIP24 — — DIP — — — Логіка — — — — — 36шт. — — — — — — —
21035 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 634 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.1 — SOT23 Біполярний SMD — — — — — NPN — — 350мВт 3000шт. 40В 600мА — 300 — — —
23555 СНГ 633 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 — КТ-13 Біполярний DIP — — — — — NPN — — 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350 — — —