Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
Мікросхема ISL6353CRTZ-T
#17116
|
29365 | RENESAS | 811 шт |
130 грн.
|
|
Многофазный ШИМ-регулятор для систем памяти VR12 DDR. | 0.4 | TQFN-EP-40 | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 6000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 22290 | СНГ | 805 шт |
6 грн.
|
|
Формувач тонального викликного сигналу і призначена для застосування у пристроях телефонних апаратів і в пристроях звукової сигналізації. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Телефонія | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 21208 | СНГ | 800 шт |
10 грн.
|
|
Операційний підсилювач середньої точності з транзисторами на вході з надвисоким посиленням, з малими вхідними струмами, із внутрішньою частотною корекцією та схемою захисту виходу від короткого замикання. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ503Д
#10351
|
22339 | СНГ | 800 шт |
5 грн.
|
|
Транзистори КТ503Д кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон КС139Г
#10379
|
22386 | СНГ | 796 шт |
3 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий, дифузійно-сплавний, малої потужності. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 125мВт | 1000шт. | — | — | — | — | 3V9 | kd-4 | — | ||||||||||
| 20392 | TEXAS INSTRUMENTS | 792 шт |
6 грн.
|
|
0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Таймери | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Транзистор VN2410L
#7289
|
23578 | ON SEMICONDUCTOR | 789 шт |
12 грн.
|
|
0.25 | — | TO92 | Польовий | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 240В | 200мА | 350мВт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Стабілітрон BZX55C 22V
#4207
|
20222 | Rectron Semiconductor | 777 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 22V 0.5W (BZX55C 22V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 22V | DO-35 | — | ||||||||||
Транзистор КТ3115А-2
#10726
|
22783 | СНГ | 775 шт |
30 грн.
|
|
Призначений для застосування у вхідних та наступних каскадах малошумливих підсилювачів надвисоких частот. | 0.1 | — | КТ-22 | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 75мВт | 200шт. | — | 8,5мА | 5ГГц | 110 | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон КС508А
#14481
|
26693 | СНГ | 771 шт |
2 грн.
|
|
Стабілітрони КС508А кремнієві, планарні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 12,0 В діапазоні струмів стабілізації 0,25...23,0 мА. Основні технічні параметри стабілітрона КС508А: • Номінальна напруга стабілізації: 12 В при Іст 10,5 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,11%/°С; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 0,25 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 23 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+85 °С. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 400шт. | — | — | — | — | 12V | kd2 | — | ||||||||||
Діод КД221Б
#11390
|
23501 | СНГ | 759 шт |
0,70 грн.
|
|
Діоди КД221Б кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 50 кГц. | 0.3 | — | — | — | DIP | КД-5А | 200V | 500mA | — | Випрямний | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема К555АП6
#913
|
22037 | СНГ | 758 шт |
7 грн.
|
|
8-розрядний двонаправлений драйвер з 3 станами | 1.5 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21386 | СНГ | 755 шт |
40 грн.
|
|
Мікросхема КР1816ВЕ39 є однокристальною 8-розрядною мікро-ЕОМ без ПЗУ, призначену для обробки цифрової інформації в обчислювальній техніці. Кількість команд – 96; ємність ОЗП - 128 байт, число ліній введення/виводу - 27, можливість адресації до зовнішнього ПЗП програм - до 4 Кбайт. Містить 18 ТОВ інтегральних елементів. Корпус типу 2123.40-2, маса трохи більше 5 г. | 5 | DIP40 | — | — | DIP | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Діод BY500-600
#16602
|
28881 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 752 шт |
12 грн.
|
|
0.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 600V | 5A | — | Швидкий | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Транзистор МП104
#13968
|
26148 | СНГ | 750 шт |
7 грн.
|
|
Транзистори МП104 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 60В | 10мА | 0,1МГц | 10 | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К172ЛМ2
#5708
|
25688 | СНГ | 748 шт |
8 грн.
|
|
Логічний елемент 10АБО-НЕ/10АБО. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20151 | SEMTECH ELECTRONICS | 746 шт |
1,50 грн.
|
|
1000V*1A | 0.3 | — | — | — | DIP | DO-41 | 1000V | 1A | — | Випрямний | — | — | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Транзистор КТ604БМ
#10321
|
22271 | СНГ | 741 шт |
4 грн.
|
|
КТ604БМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn. | 1 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 3Вт | 200шт. | 250В | 200мА | 40МГц | 120 | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К561КТ3А
#3947
|
22139 | СНГ | 725 шт |
6 грн.
|
|
Чотири двонаправлені перемикачі. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод КД243Г
#14491
|
26706 | СНГ | 715 шт |
2 грн.
|
|
Діоди КД243Г кремнієві, дифузійні, випрямляючі. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 70 кГц. Основні технічні характеристики діода КД243Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1 А; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 6 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,1 В при Inp 1 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 10 мкА при Uoбp 400 В. | 0.4 | — | — | — | DIP | КД-4 | 400V | 1A | — | Випрямний | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Транзистор КТ361Г1
#10352
|
22340 | СНГ | 700 шт |
2 грн.
|
|
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. | 0.2 | — | КТ-13 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 1000шт. | 35В | 50мА | 250МГц | 350 | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ315Е
#6840
|
23555 | СНГ | 688 шт |
2 грн.
|
|
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. | 0.25 | — | КТ-13 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 800 шт. | 35В | 100мА | 250МГц | 350 | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон BZX55C 3V6
#4188
|
20230 | Rectron Semiconductor | 681 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 3.6V 0.5W (BZX55C 3V6) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 3V6 | DO-35 | — | ||||||||||
Транзистор BC558B
#2383
|
22519 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 670 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 500мВт | 4000шт. | 30В | 100мА | — | 450 | — | — | — | |||||||||||
| 20498 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 663 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 450мВт | 500шт. | 45В | 100мА | 200МГц | 600 | — | — | — | ||||||||||||
| 21707 | INTEGRAL | 663 шт |
6 грн.
|
|
— | 1 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 12.5Вт | 1000шт. | 80В | 1.5А | — | — | — | — | — | |||||||||||
Стабілітрон BZV55C12V
#11388
|
23499 | Rectron Semiconductor | 661 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон BZV55C12V SOD-80 12V 0,5W | 0.2 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 2500шт. | — | — | — | — | 12V | SOD-80 | — | ||||||||||
Мікросхема К561ТВ1
#3951
|
21378 | СНГ | 650 шт |
4 грн.
|
|
Цифрова мікросхема серії КМОП. Мікросхеми К561ТВ1А є два JK-тригери з асинхронними RS-входами і динамічним управлінням запису. Містять 138 інтегральних елементів. Корпус типу 238.16-1, маса трохи більше 1,5 г. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор МП13
#14471
|
26682 | СНГ | 645 шт |
8 грн.
|
|
Транзистори МП13 германієві сплавні pnp універсальні низькочастотні малопотужні. Призначені для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів, застосування у фериттранзисторних осередках. Основні технічні характеристики транзистора МП13: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 0,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 25...55; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 0,5МГц | 12 | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон Д814В
#13944
|
26123 | СНГ | 641 шт |
3 грн.
|
|
Стабілітрони Д814В кремнієві, сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 9,0-10,5 В діапазоні струмів стабілізації 3...32 мА. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 340мВт | 500шт. | — | — | — | — | 10V | kd-8 | — |
