Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Транзистор МП101Б
#13702
|
25863 | СНГ | 1005 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори МП101Б кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим МП101, МП101Б і нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 20В | 20мА | 0,5МГц | 45 | — | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон КС168В
#15468
|
27707 | СНГ | 1001 шт |
4 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрона КС168В: • Номінальна напруга стабілізації: 6,8 при Iст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,05%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрона: 28 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 20 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,15 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -55...+100 °С. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 150мВт | 1000шт. | — | — | — | — | 6V8 | kd25 | — | — | ||||||||
Діод HER306G
#17232
|
29485 | MCC | 1000 шт |
4 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | DO-27 | 600V | 3.0A | — | — | Швидкий | — | — | — | — | 1200шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Транзистор КТ829Г
#13386
|
25510 | СНГ | 995 шт |
12 грн.
|
|
Транзистори КТ829Г кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, що перемикають пристрої. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 60Вт | 200шт. | 45В | 8А | 4МГц | 750 | — | — | — | — | ||||||||
Діод HER108 LGE
#17231
|
29484 | LGE | 990 шт |
1,50 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | DIP | DO-41 | 1000V | 1A | — | — | Швидкий | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
| 20135 | MIC | 987 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | DO-41 | 1000V | 1A | — | — | Швидкий | — | — | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Стабілітрон BZX55C 11V
#4201
|
20205 | Rectron Semiconductor | 975 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 11V 0.5W (BZX55C 11V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 11V | DO-35 | — | — | ||||||||
Транзистор BSS138 (SS)
#2481
|
22865 | ON SEMICONDUCTOR | 965 шт |
2 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Польовий | SMD | — | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 50В | 200мА | 225мВт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Лампа генераторна ГС-13
#9924
|
21715 | СНГ | 964 шт |
110 грн.
|
|
Генераторний тріод ГС-13 для генерування, посилення та множення коливань високої частоти в сантиметровому та дециметровому діапазонах хвиль. Оформлення – титанокерамічне. | 11 | — | — | — | Затискач | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 29248 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 952 шт |
22 грн.
|
|
0.25 | — | PowerDI3333-8(SWP) | Польовий | SMD | — | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 60В | 41А | 1.17 Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20174 | VISHAY | 951 шт |
5 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 30V | — | |||||||||
| 22750 | ST MICROELECTRONICS | 930 шт |
1,50 грн.
|
0.1 | — | — | — | DIP | DO-35 | 32V | 100mA | — | — | Діністор | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Стабілітрон Д816Д
#11970
|
24259 | СНГ | 930 шт |
6 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 47В Основні технічні параметри стабілітрона Д816Д: • Розкид напруги стабілізації: 42,5...51,5 при Iст 150 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,12%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±5%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 15 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 10 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 110 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С | 4.2 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 47V | ks620 | — | — | ||||||||
Стабілітрон КС407А
#14482
|
26694 | СНГ | 921 шт |
2 грн.
|
|
Стабілітрони КС407А кремнієві, планарні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 3,3 В діапазоні струмів стабілізації 1...100 мА. Основні технічні параметри стабілітрону КС407А: • Номінальна напруга стабілізації: 3,3 при Iст 20 мА; • Розкид напруги стабілізації: 3,1...3,5 В; • Диференціальний опір стабілітрона: 28 Ом при Іст 20 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -40...+85 °С. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 400шт. | — | — | — | — | 3V3 | kd2 | — | — | ||||||||
Діод 1N4148WS
#9702
|
21041 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 918 шт |
1 грн.
|
|
0.05 | — | — | — | SMD | SOD-323 | 100V | 300mA | — | — | Імпульсний | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
| 25140 | СНГ | 917 шт |
55 грн.
|
|
Призначення – диференціальна система для апаратури цифрової системи ІКМ-30-4. | 2 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Телефонія | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема К561ЛЕ6А
#775
|
21399 | СНГ | 903 шт |
4 грн.
|
|
Два логічні елементи 4АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діод 2Д213А (=КД213А)
#12227
|
24606 | СНГ | 903 шт |
25 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода 2Д213А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 200 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 0,3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 550 пФ при Uoбр 100 В. | 3.5 | — | — | — | DIP | КД-23 | 200V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Транзистор МП115
#13700
|
25860 | СНГ | 887 шт |
5 грн.
|
|
Кремнієві біполярні сплавні pnp тпранзистори типів МП115 в металостеклянному корпусі, призначені для роботи в імпульсних схемах, стабілізаторах напруги, підсилювачах постійного струму та інших пристроях побутової техніки. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 60мВт | 100шт. | 30В | 200мА | 0,1МГц | 45 | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема АТА5350-7MQW
#16780
|
29025 | MICROHCHIP | 885 шт |
370 грн.
|
|
ATA5350 є малопотужним надширокосмуговим (UWB) трансівером з інтегрованим рівнем безпеки для безпечного обмеження відстані, локалізації та передачі даних точка-точка. Цифрова передавальна схема пристрою ATA5350 забезпечує максимальну гнучкість у генерації імпульсних сигналів UWB. Передавач здатний: • Генерація точних тривалостей імпульсів в діапазоні від менше 1 нс до більше 10 нс з контрольованою формою огинаючої • Генерувати несучу частоту від 6,2 ГГц до 7,8 ГГц • Забезпечити відповідність нормам ETSI і FCC з програмованою піковою вихідною потужністю до типового значення 9 дБм Приймач ATA5350 Front-end (FE) забезпечує чудову чутливість, гарантуючи чудовий бюджет каналу зв`язку для радіочастотного зв`язку. Цифровий блок обробки сигналів базової лінії забезпечує високостабільний субнаносекундний вимір часу прольоту (ToF). ATA5350 включає рівень MAC для безпечного вимірювання відстані та передачі даних для керування доступом на основі близькості. Рівень можна налаштувати для забезпечення різних ступенів безпеки. | 0.25 | FCBGA-33 | — | — | SMD | — | — | — | — | RF Transceiver | — | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ315И
#6842
|
23552 | СНГ | 883 шт |
2 грн.
|
|
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. | 0.25 | — | КТ-13 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 100мВт | 800 шт. | 60В | 50мА | 250МГц | 30 | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КР580ВА86
#697
|
21384 | СНГ | 873 шт |
6 грн.
|
|
Двонаправлений 8-розрядний шинний формувач, що не інвертує, з трьома станами на виході. ІС служить буферним пристроєм у схемах мікропроцесорних систем серії КР560, КМ580 та здійснює зв'язок мікропроцесора з периферійними пристроями введення-виведення інформації. Наявність стану з високим вихідним імпедансом дозволяє навантажити групу таких мікросхем однією навантаження. Має підвищену здатність навантаження. | 2.5 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон BZX55C 6V2
#4194
|
20210 | Rectron Semiconductor | 870 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 6.2V 0.5W (BZX55C 6V2) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 6V2 | DO-35 | — | — | ||||||||
Стабілітрон ZMM5V1
#16994
|
29244 | ST MICROELECTRONICS | 864 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон ZMM5V1 Mini-MELF 5V1 0,5W | 0.2 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 2500шт. | — | — | — | — | 5V1 | MiniMELF | — | — | ||||||||
Транзистор КТ361Б
#6844
|
23551 | СНГ | 856 шт |
2 грн.
|
|
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. | 0.2 | — | КТ-13 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 1000шт. | 20В | 50мА | 250МГц | 350 | — | — | — | — | ||||||||
Діодне складання 2ДС523БМ
#11817
|
24047 | СНГ | 852 шт |
3 грн.
|
|
Діодне складання, що складається кожна з двох кремнієвих планарно-епітаксіальних імпульсних діодів з окремими висновками. Випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. | 0.25 | — | — | — | SMD | — | 50V | 20mA | 200mA | — | Імпульсний | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | складання | ||||||||
| 20446 | SEMTECH ELECTRONICS | 840 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 500шт. | — | — | — | — | 12V | DO-41 | — | — | ||||||||||
Транзистор IRF3205
#2498
|
21008 | INTERNATIONAL RECTIFIER | 817 шт |
25 грн.
|
|
2.8 | — | TO220AB | Польовий | DIP | — | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 55В | 110А | 200Вт | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема ISL6353CRTZ-T
#17116
|
29365 | RENESAS | 811 шт |
130 грн.
|
|
Многофазный ШИМ-регулятор для систем памяти VR12 DDR. | 0.4 | TQFN-EP-40 | — | — | SMD | — | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 6000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К561ИЕ9
#9801
|
21375 | СНГ | 806 шт |
6 грн.
|
|
Лічильник-ділитель на вісім. В ІВ використовується вісімковий код Джонсона (коли лічильник переходить до наступного логічного стану, змінюється лише одна логічна змінна). Як один розряд лічильника використовується тактований MS-тригер типу D з безпосереднім входом установки 0. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
