Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Діодний міст КЦ402Е
#12158
|
24451 | СНГ | 1298 шт |
12 грн.
|
Блок із кремнієвих, дифузійних діодів. Основні технічні характеристики діода КЦ402Е: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 100 В. | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 100V | 1A | — | Діодний міст | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор П416
#10833
|
23030 | СНГ | 1293 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор П416 германієвий сплавний pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах в діапазоні від довгих до коротких та ультракоротких хвиль, а також імпульсних каскадах радіоелектронних пристроїв. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 100мВт | 100шт. | 12В | 25мА | 40МГц | 80 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КМ133ЛА3
#9865
|
21644 | СНГ | 1292 шт |
12 грн.
|
|
Мікросхема інтегральна напівпровідникова (транзисторно-транзисторна логіка). Представляє собою чотири логічні елементи «2І-НЕ» | 0.4 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | Логіка | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод BY251
#16086
|
28325 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 1289 шт |
3 грн.
|
|
0.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 200V | 3.0A | — | Швидкий | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Стабілітрон BZX55C 2V7
#4185
|
20206 | Rectron Semiconductor | 1285 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 2.7V 0.5W (BZX55C 2V7) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 2V7 | DO-35 | — | — | ||||||||||
Стабілітрон Д817Г
#11964
|
24253 | СНГ | 1282 шт |
6 грн.
|
|
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 100В Основні технічні параметри стабілітрона Д817Г: • Розкид напруги стабілізації: 90... 110 В при Іст 50 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,14%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±6%; • Постійна пряма напруга: 1,5 при Iпр 500 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 50 Ом; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 50 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С. | 3.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 100V | ks620 | — | — | ||||||||||
Стабілітрон КС182А
#13940
|
26119 | СНГ | 1261 шт |
3 грн.
|
|
Стабілітрони КС182А кремнієві, сплавні, двоанодні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 8,2 В діапазоні струмів стабілізації 3...17 мА і двостороннього обмеження напруги. Основні технічні параметри стабілітрона КС182А: • Номінальна напруга стабілізації: 8,2 при Iст 5 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,05%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 14 Ом при Іст 5 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 17 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,15 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -55...+100 °С. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 150мВт | 200шт. | — | — | — | — | 8V2 | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КР514ИД1
#842
|
21234 | СНГ | 1248 шт |
6 грн.
|
|
Дешифратор для семисегментного напівпровідникового цифрового індикатора із роз`єднаними анодами сегментів. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 21309 | PHILIPS | 1238 шт |
12 грн.
|
|
CMOS два чотириканальні мультиплексори/демультиплексори | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20174 | VISHAY | 1222 шт |
5 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 30V | — | |||||||||||
| 29104 | INFINEON TECHNOLOGIES | 1222 шт |
9 грн.
|
|
0.1 | — | SOT323 | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | NPN | 300мВт | 3000шт. | 12В | 35мА | 2ГГц | 90 | — | — | — | — | ||||||||||||
Мікросхема КР1533ІД4
#840
|
21214 | СНГ | 1209 шт |
12 грн.
|
|
Подвійний дешифратор. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод BY255
#1019
|
28327 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 1206 шт |
5 грн.
|
|
0.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 1300V | 3.0A | — | Швидкий | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
Транзистор МП13Б
#10820
|
23016 | СНГ | 1206 шт |
9 грн.
|
|
Транзистор МП13Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів. Основні технічні характеристики транзистора МП13Б: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 45...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 60 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КМ155ЛА3
#4065
|
21331 | СНГ | 1201 шт |
6 грн.
|
|
Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми КМ155ЛА3 являють собою 4 логічні елементи 2І-НЕ. Містять 56 інтегральних елементів. Корпус типу 201.14-8, маса трохи більше 2,2 р. Гранично допустимі режими експлуатації КМ155ЛА3: - напруга живлення .......... 4,75 - 5,25 В - Вхідна напруга низького рівня .......... - Вхідна напруга високого рівня .......... > 2,4 В - Вхідний струм низького рівня .......... - Вихідний струм високого рівня .......... - Місткість навантаження .......... - Тривалість фронту та зрізу вхідного імпульсу - Температура навколишнього середовища: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор МП101
#13535
|
25663 | СНГ | 1201 шт |
5 грн.
|
|
Транзистори МП101 кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим МП101, МП101Б і нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 20В | 20мА | 0,5МГц | 25 | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ321Б
#13703
|
25866 | СНГ | 1185 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори КТ321Б кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 210мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 120 | — | — | — | — | ||||||||||
| 28265 | LITTELFUSE | 1177 шт |
4 грн.
|
|
0.05 | — | — | — | SMD | SOT-23 | — | — | — | Захисний | — | 200Вт | — | — | — | — | — | — | — | 24V | — | ||||||||||||
Стабілітрон BZX55C 8V2
#4198
|
20212 | Rectron Semiconductor | 1164 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 8.2V 0.5W (BZX55C 8V2) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 8V2 | DO-35 | — | — | ||||||||||
Стабілітрон BZX55C 10V
#4200
|
20214 | Rectron Semiconductor | 1128 шт |
1 грн.
|
|
Стабілітрон 10V 0.5W (BZX55C, 10V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 10V | DO-35 | — | — | ||||||||||
Діод UF4002 (1.0А/100V 50ns)
#16048
|
28287 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 1120 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | DO-41 | 100V | 1A | — | Швидкий | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||||
| 29247 | ON SEMICONDUCTOR | 1104 шт |
1 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Біполярний | SMD | — | — | — | — | — | NPN | 300мВт | 3000шт. | 80В | 500мА | — | 100 | — | — | — | — | ||||||||||||
| 29122 | RENESAS | 1096 шт |
130 грн.
|
|
0.17 | 32-HWQFN (5x5) | — | — | SMD | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
Мікросхема АРФ3.438.010 мет.
#15835
|
28068 | СНГ | 1087 шт |
80 грн.
|
|
Призначення – диференціальна система для апаратури цифрової системи ІКМ-30-4. | 16 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | Телефонія | — | — | — | 6шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ660А
#10314
|
22263 | INTEGRAL | 1072 шт |
6 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 1000шт. | 45В | 800мА | — | 220 | — | — | — | — | |||||||||||
Радіолампа 6Н3П
#9874
|
21653 | — | 1063 шт |
30 грн.
|
|
Подвійний мініатюрний тріод. Призначений для посилення напруги та генерування коливань низької частоти. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон MMSZ5V1T1G (U46)
#16026
|
28263 | ON SEMICONDUCTOR | 1055 шт |
2 грн.
|
|
Стабілітрон MMSZ5V1T1G (U46). | 0.12 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 3000шт. | — | — | — | — | 5V1 | SOD-123 | — | — | ||||||||||
Транзистор МП14
#10830
|
23026 | СНГ | 1044 шт |
7 грн.
|
|
Транзистор МП14 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема К172ТР1
#873
|
21955 | СНГ | 1033 шт |
8 грн.
|
|
Двоступінчастий тригер із вхідною логікою. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод КД209Б (крапля)
#15524
|
27763 | СНГ | 1024 шт |
1 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода КД209Б: • Uoбp max – Максимальна постійна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 500 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 600 В. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | 600V | 500mA | — | Випрямний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний |
