Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
28726 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Г кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 60
28727 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Д кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 120
28728 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Е кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 200
29359 СНГ 2 шт
240 грн.
10+228 грн.
50+216 грн.
100+192 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 125 Вт; • fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму 4 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • Ік і max - максимальний допустимий h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 750...18000; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 600 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом. 16 TO3 Біполярний DIP PNP — — 125Вт 10 шт. 90В 40А — 18000
22881 DIODES INCORPORATED 1 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
500+4,20 грн.
0.2 SOT23 Біполярний SMD NPN — — 1Вт 3000шт. 12В 6А — 800
20489 ON SEMICONDUCTOR 1 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
500+28 грн.
2.8 TO220F Біполярний DIP NPN — — 25Вт 50шт. 50В 10А — 560
20496 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1 шт
1,50 грн.
10+1,42 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 625мВт 500шт. 50В 500мА — 400
23012 СНГ 1 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП20Б германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 50мА 2МГц 200
23345 AMS 1 шт
4,50 грн.
10+4,27 грн.
50+4,05 грн.
100+3,60 грн.
0.1 SOT23-6 Польовий SMD МОП n-канал x2 20В 4.5А 1Вт 3000шт. — — — —
25673 СНГ 1 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ321Бгерманієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
26618 INTEGRAL 1 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
26619 СНГ 1 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
Транзистори П304М кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 50В 500мА 0,05МГц —
27709 INTEGRAL 1 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 150
29168 СНГ 1 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Ж германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 60В 1,25А — 60
29178 СНГ 1 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,2 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP — — 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
— СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 20В 200мА — 1000
20499 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
— 0.25 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 600мА 300МГц 300
23632 ST MICROELECTRONICS —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
500+15,40 грн.
— 10 TO3 Біполярний DIP NPN — — 115Вт 25шт. 70В 15А — 70
— ON SEMICONDUCTOR —
66 грн.
10+62,70 грн.
50+59,40 грн.
100+52,80 грн.
500+46,20 грн.
— завантажити datasheet 2N3772 pdf,43 КБ 10 TO3 Біполярний DIP NPN — — 150Вт 20шт. 80В 20А — 60
20407 DIOTEC SEMICONDUCTOR —
0,70 грн.
10+0,66 грн.
50+0,63 грн.
100+0,56 грн.
500+0,49 грн.
— 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 200мА — 300
22512 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
— 0.25 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 600мА — 500
— ON SEMICONDUCTOR —
1,40 грн.
10+1,33 грн.
50+1,26 грн.
100+1,12 грн.
500+0,98 грн.
— 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 30В 50мА 50МГц 900
20497 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
— 0.25 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 160В 600мА — 250
22513 MOTOROLA —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
— 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 350В 500мА 200МГц 300
— TOSHIBA —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
— 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 400мВт 1000шт. 50В 150мА — 240
— — —
19,20 грн.
— Корпус: TO-220 Uceo,V: 80 Ucbo,V: 80 Ic,A: 3 — — — — — — — — — — — — —
— — —
3,40 грн.
— Корпус: TO-92L fT: 50 MHz Uceo,V: 180 Ucbo,V: 200 Ic,A: 0,1 h21: 400 — — — — — — — — — — — — —
— — —
6 грн.
— Корпус: TO-92 fT: 100 MHz Uceo,V: 120 Ucbo,V: 120 Ic,A: 0.1 h21: 700 — — — — — — — — — — — — —
— — —
4,20 грн.
— Корпус: TO-92 fT: 50 MHz Uceo,V: 300 Ucbo,V: 300 Ic,A: 0.1 h21: 200 — — — — — — — — — — — — —
— — —
26 грн.
— Корпус: TO-220 fT: 30 MHz Uceo,V: 80 Ucbo,V: 100 Ic,A: 6 h21: 500 — — — — — — — — — — — — —