Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
Сортування: Назва Ціна Хіти продажів Оцінка покупців Дата додавання На складі
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор КТ209К
Транзистор КТ209К
#11443
 23571 СНГ 2 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 45В 350мА — 160
Транзистор 1Т321В (=ГТ321В)
Транзистор 1Т321В (=ГТ321В)
#13543
 25674 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори 1Т321В германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200
Транзистор ГТ321В
Транзистор ГТ321В
#13711
 25875 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ321В германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200
Транзистор КТ352А
Транзистор КТ352А
#13753
 25921 INTEGRAL 2 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ352А: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 300 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 200 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 25...120; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 3 Ом. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 500шт. 15В 200мА 200МГц 120
Транзистор КТ321Г
Транзистор КТ321Г
#16477
 28726 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Г кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 60
Транзистор КТ321Д
Транзистор КТ321Д
#16478
 28727 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Д кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 120
Транзистор КТ321Е
Транзистор КТ321Е
#16479
 28728 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Е кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 200
Транзистор КТ825Г
Транзистор КТ825Г
#17110
 29359 СНГ 2 шт
240 грн.
10+228 грн.
50+216 грн.
100+192 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 125 Вт; • fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму 4 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • Ік і max - максимальний допустимий h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 750...18000; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 600 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом. 16 TO3 Біполярний DIP PNP — — 125Вт 10 шт. 90В 40А — 18000
Транзистор ZXTN25012EFH (1C3)
Транзистор ZXTN25012EFH (1C3)
#2337
 22881 DIODES INCORPORATED 1 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
500+4,20 грн.
0.2 SOT23 Біполярний SMD NPN — — 1Вт 3000шт. 12В 6А — 800
Транзистор 2SC6144
Транзистор 2SC6144
#8461
 20489 ON SEMICONDUCTOR 1 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
500+28 грн.
2.8 TO220F Біполярний DIP NPN — — 25Вт 50шт. 50В 10А — 560
Транзистор 2SA733 (A733)
Транзистор 2SA733 (A733)
#8841
 20496 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1 шт
1,50 грн.
10+1,42 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 625мВт 500шт. 50В 500мА — 400
Транзистор МП20Б
Транзистор МП20Б
#10817
 23012 СНГ 1 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП20Б германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 50мА 2МГц 200
Транзистор AO8205S
Транзистор AO8205S
#11214
 23345 AMS 1 шт
4,50 грн.
10+4,27 грн.
50+4,05 грн.
100+3,60 грн.
0.1 SOT23-6 Польовий SMD МОП n-канал x2 20В 4.5А 1Вт 3000шт. — — — —
Транзистор ГТ321Б
Транзистор ГТ321Б
#13542
 25673 СНГ 1 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ321Бгерманієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
Транзистор КТ837Б
Транзистор КТ837Б
#14410
 26618 INTEGRAL 1 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
Транзистор П304М
Транзистор П304М
#14411
 26619 СНГ 1 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
Транзистори П304М кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 50В 500мА 0,05МГц —
Транзистор КТ837В
Транзистор КТ837В
#15470
 27709 INTEGRAL 1 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 150
Транзистор 1Т403Ж (=ГТ403Ж)
Транзистор 1Т403Ж (=ГТ403Ж)
#16921
 29168 СНГ 1 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Ж германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 60В 1,25А — 60
Транзистор П217Б
Транзистор П217Б
#16931
 29178 СНГ 1 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,2 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP — — 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор КТ3102ЕМ
Транзистор КТ3102ЕМ
#679
 — СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 20В 200мА — 1000
2N2222
2N2222
#2151
 20499 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
 — 0.25 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 600мА 300МГц 300
Транзистор 2N3055
Транзистор 2N3055
#2152
 23632 ST MICROELECTRONICS —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
500+15,40 грн.
 — 10 TO3 Біполярний DIP NPN — — 115Вт 25шт. 70В 15А — 70
2N3772
2N3772
#2153
 — ON SEMICONDUCTOR —
66 грн.
10+62,70 грн.
50+59,40 грн.
100+52,80 грн.
500+46,20 грн.
 — завантажити datasheet 2N3772 pdf,43 КБ 10 TO3 Біполярний DIP NPN — — 150Вт 20шт. 80В 20А — 60
Транзистор 2N3904
Транзистор 2N3904
#2154
 20407 DIOTEC SEMICONDUCTOR —
0,70 грн.
10+0,66 грн.
50+0,63 грн.
100+0,56 грн.
500+0,49 грн.
 — 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 200мА — 300
Транзистор 2N4401
Транзистор 2N4401
#2155
 22512 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
 — 0.25 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 600мА — 500
2N5088
2N5088
#2156
 — ON SEMICONDUCTOR —
1,40 грн.
10+1,33 грн.
50+1,26 грн.
100+1,12 грн.
500+0,98 грн.
 — 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 30В 50мА 50МГц 900
Транзистор 2N5551
Транзистор 2N5551
#2157
 20497 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
 — 0.25 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 160В 600мА — 250
Транзистор 2N6517
Транзистор 2N6517
#2159
 22513 MOTOROLA —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
 — 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 350В 500мА 200МГц 300
2SC1815Y
2SC1815Y
#2161
 — TOSHIBA —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
 — 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 400мВт 1000шт. 50В 150мА — 240
2SC2078
2SC2078
#2164
 — — —
19,20 грн.
 — Корпус: TO-220 Uceo,V: 80 Ucbo,V: 80 Ic,A: 3 — — — — — — — — — — — — —