Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
28852 СНГ 11 шт
44 грн.
10+41,80 грн.
50+39,60 грн.
100+35,20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т831В: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 4 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 80 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 2 А; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 25; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,6 Ом. 1 TO39 Біполярний DIP NPN 1Вт 100шт. 70В 4МГц 25
23000 СНГ 10 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор КТ350А кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 500шт. 15В 60мА 100МГц 200
23831 СНГ 10 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Транзистор 2Т903А мезапланарний кремнієвий структури npn генераторний. Призначений для застосування в підсилювачах потужності та автогенераторах. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 30Вт 20шт. 60В 10А 120МГц 70
29170 СНГ 10 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403В германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 45В 1,25А 60
20601 ADVANCED POWER ELECTRONICS 9 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
0.1 SOT26 Польовий SMD МОП n+p-канал 30В 3.3А 1.14Вт 3000шт.
22493 SANYO 9 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
500+15,40 грн.
2 TO220F Біполярний DIP NPN 25Вт 50шт. 800В 1.5А 40
28764 СНГ 9 шт
75 грн.
10+71,25 грн.
50+67,50 грн.
100+60 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ819ВМ: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна розсіювана потужність колектора: 2 Вт; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 100 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 70 В (0,1 кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 15 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 20 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА (40В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 15; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом. 16 TO3 Біполярний DIP NPN 100Вт 20шт. 70В 20А
23065 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 8 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.5 TO126 Біполярний DIP NPN 20Вт 500шт. 400В 1.5А 4МГц
20122 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR 8 шт
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
завантажити datasheet AOD609 pdf,260 КБ 0.7 TO252-4 Польовий SMD МОП n+p-канал 40В 12А 30Вт 75шт.
20600 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 8 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 500мВт 4000шт. 45В 100мА 450
22973 СНГ 8 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор сплавний германієвий npn підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 100мА 2МГц 45
29171 СНГ 8 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403И германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 60В 1,25А 30
29169 СНГ 7 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403А германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 30В 1,25А 60
20915 ST MICROELECTRONICS 6 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
2.8 TO220FP Польовий DIP МОП n-канальний 600В 25Вт 50шт.
20350 INTERNATIONAL RECTIFIER 6 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
завантажити datasheet IRF7314 pdf,151 КБ 0.3 SO8 Польовий SMD МОП p-канал x2 20В 5.3А 2Вт 95шт.
24240 СНГ 6 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 2Т321Б кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 210мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
20366 TOSHIBA 5 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
500+21 грн.
7 TO3P Біполярний DIP NPN 50Вт 30шт. 1.5кВ
22976 СНГ 5 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до і розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),40 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 30 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 3 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 25 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1.00 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 25 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 25Вт 100шт. 30В 1МГц 20
24948 PHILIPS 5 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
0.3 SOT223 Польовий SMD МОП р-канальний 30В 5Вт 1000шт.
22480 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 5 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 250мВт 500шт. 20В 20мА 600МГц 240
20065 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR 4 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
0.6 SO8 Польовий SMD МОП n-канальний 40В 10А 1.7Вт 95шт.
20349 INFINEON TECHNOLOGIES 4 шт
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
скачати datasheet IPP05CN10N pdf,800 КБ 2.8 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 100В 100А 300Вт 50шт.
24127 СНГ 4 шт
170 грн.
10+161,50 грн.
50+153 грн.
100+136 грн.
Транзистори КТ803А кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах постійного струму, генераторах малої розгортки, джерел вторинного електроживлення. 19 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 60Вт 20шт. 60В 10А 20МГц 50
25906 СНГ 4 шт
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
Транзистори П701А кремнієві сплавно-дифузійні структури підсилювальні npn низькочастотні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах радіоелектронних пристроїв. 10 Біполярний DIP NPN 10Вт 20шт. 60В 500мА 20МГц 60
22882 DIODES INCORPORATED 3 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
500+8,40 грн.
0.2 SOT23 Біполярний SMD NPN 1.3Вт 3000шт. 65В 500
25668 СНГ 3 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори ГТ308В германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. Основні технічні характеристики транзистора ГТ308В: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 80...150 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 8 дБ (1,6 МГц); • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 150
28851 СНГ 3 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ840Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 8 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 750 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 6 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 3 мА (750В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,75 Ом. 17.5 TO3 Біполярний DIP NPN 60Вт 40шт. 350В 8МГц 10
28987 INTERNATIONAL RECTIFIER 2 шт
56 грн.
10+53,20 грн.
50+50,40 грн.
100+44,80 грн.
2.8 TO220AB Польовий DIP МОП n-канальний 40В 280А 330Вт 50шт.
22803 СНГ 2 шт
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
2.5 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 800В 50Вт 100шт.
23017 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Д германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 60В 100мА 0,7МГц 200