Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
Сортування: Назва Ціна Хіти продажів Оцінка покупців Дата додавання На складі
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор КТ837М
Транзистор КТ837М
#15471
 27710 INTEGRAL 14 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
Транзистор 2SC3751
Транзистор 2SC3751
#10468
 22493 SANYO 13 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
500+15,40 грн.
2 TO220F Біполярний DIP NPN — — 25Вт 50шт. 800В 1.5А — 40
Транзистор 2Т321Д ОС (= КТ321Д)
Транзистор 2Т321Д ОС (= КТ321Д)
#11953
 24242 СНГ 13 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 2Т321Д кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 120
Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)
Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)
#16923
 29170 СНГ 13 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403В германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 45В 1,25А — 60
Транзистор П217А
Транзистор П217А
#16930
 29177 СНГ 13 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 20... 60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP — — 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор КТ629А
Транзистор КТ629А
#11376
 23487 СНГ 12 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори КТ629А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp перемикальні безкорпусні на керамічному кристалотримачі із захисним покриттям з гнучкими висновками. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних пристроях у складі гібридних інтегральних мікросхем. 1.8 — Біполярний SMD PNP — — 1Вт 100шт. — 1А 250МГц 25
Транзистор П214А
Транзистор П214А
#13777
 25956 СНГ 11 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П214А германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Основні технічні характеристики транзистора П214А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 150
Транзистор 2Т831В
Транзистор 2Т831В
#16614
 28852 СНГ 11 шт
44 грн.
10+41,80 грн.
50+39,60 грн.
100+35,20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т831В: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 4 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 80 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 2 А; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 25; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,6 Ом. 1 TO39 Біполярний DIP NPN — — 1Вт 100шт. 70В 2А 4МГц 25
Транзистор КТ350А
Транзистор КТ350А
#10810
 23000 СНГ 10 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор КТ350А кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 500шт. 15В 60мА 100МГц 200
Транзистор 2Т903А (=КТ903А)
Транзистор 2Т903А (=КТ903А)
#11605
 23831 СНГ 10 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Транзистор 2Т903А мезапланарний кремнієвий структури npn генераторний. Призначений для застосування в підсилювачах потужності та автогенераторах. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 30Вт 20шт. 60В 10А 120МГц 70
AP2530GY (Y1)
AP2530GY (Y1)
#7475
 20601 ADVANCED POWER ELECTRONICS 9 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
0.1 SOT26 Польовий SMD МОП n+p-канал 30В 3.3А 1.14Вт 3000шт. — — — —
Транзистор КТ819ВМ
Транзистор КТ819ВМ
#16516
 28764 СНГ 9 шт
75 грн.
10+71,25 грн.
50+67,50 грн.
100+60 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ819ВМ: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна розсіювана потужність колектора: 2 Вт; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 100 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 70 В (0,1 кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 15 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 20 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА (40В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 15; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом. 16 TO3 Біполярний DIP NPN — — 100Вт 20шт. 70В 20А — —
AOD609
AOD609
#3871
 20122 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR 8 шт
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
завантажити datasheet AOD609 pdf,260 КБ 0.7 TO252-4 Польовий SMD МОП n+p-канал 40В 12А 30Вт 75шт. — — — —
Транзистор МП112
Транзистор МП112
#10785
 22973 СНГ 8 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор сплавний германієвий npn підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 100мА 2МГц 45
Транзистор 1Т403И (=ГТ403И)
Транзистор 1Т403И (=ГТ403И)
#16924
 29171 СНГ 8 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403И германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 60В 1,25А — 30
Транзистор IRF2804
Транзистор IRF2804
#2497
 28987 INTERNATIONAL RECTIFIER 7 шт
56 грн.
10+53,20 грн.
50+50,40 грн.
100+44,80 грн.
2.8 TO220AB Польовий DIP МОП n-канальний 40В 280А 330Вт 50шт. — — — —
Транзистор КТ803А
Транзистор КТ803А
#11875
 24127 СНГ 7 шт
170 грн.
10+161,50 грн.
50+153 грн.
100+136 грн.
Транзистори КТ803А кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах постійного струму, генераторах малої розгортки, джерел вторинного електроживлення. 19 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 20шт. 60В 10А 20МГц 50
Транзистор 1Т403А (=ГТ403А)
Транзистор 1Т403А (=ГТ403А)
#16922
 29169 СНГ 7 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403А германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 60
Транзистор 1Т403Г (=ГТ403Г)
Транзистор 1Т403Г (=ГТ403Г)
#16925
 29172 СНГ 7 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Г германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 45В 1,25А — 150
Транзистор STP4NK60ZFP
Транзистор STP4NK60ZFP
#2686
 20915 ST MICROELECTRONICS 6 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
2.8 TO220FP Польовий DIP МОП n-канальний 600В 4А 25Вт 50шт. — — — —
IRF7314
IRF7314
#6284
 20350 INTERNATIONAL RECTIFIER 6 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
завантажити datasheet IRF7314 pdf,151 КБ 0.3 SO8 Польовий SMD МОП p-канал x2 20В 5.3А 2Вт 95шт. — — — —
Транзистор 2Т321Б (=КТ321Б)
Транзистор 2Т321Б (=КТ321Б)
#11952
 24240 СНГ 6 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 2Т321Б кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
Транзистор 2SD1555
Транзистор 2SD1555
#2211
 20366 TOSHIBA 5 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
500+21 грн.
7 TO3P Біполярний DIP NPN — — 50Вт 30шт. 1.5кВ 5А — —
Транзистор КТ835А
Транзистор КТ835А
#3432
 22976 СНГ 5 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до і розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),40 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 30 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 3 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 25 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1.00 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 25 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 25Вт 100шт. 30В 3А 1МГц 20
Транзистор BSP250
Транзистор BSP250
#6249
 24948 PHILIPS 5 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
0.3 SOT223 Польовий SMD МОП р-канальний 30В 3А 5Вт 1000шт. — — — —
Транзистор AO4484
Транзистор AO4484
#4662
 20065 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR 4 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
0.6 SO8 Польовий SMD МОП n-канальний 40В 10А 1.7Вт 95шт. — — — —
Транзистор IPP05CN10N
Транзистор IPP05CN10N
#6759
 20349 INFINEON TECHNOLOGIES 4 шт
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
скачати datasheet IPP05CN10N pdf,800 КБ 2.8 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 100В 100А 300Вт 50шт. — — — —
Транзистор П701А
Транзистор П701А
#13738
 25906 СНГ 4 шт
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
Транзистори П701А кремнієві сплавно-дифузійні структури підсилювальні npn низькочастотні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах радіоелектронних пристроїв. 10 — Біполярний DIP NPN — — 10Вт 20шт. 60В 500мА 20МГц 60
Транзистор BSZ160N10NS3 G
Транзистор BSZ160N10NS3 G
#16259
 28507 INFINEON TECHNOLOGIES 4 шт
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
0.1 TSDSON-8 Польовий SMD МОП n-канальний 100В 40А 63Вт 1000шт. — — — —
Транзистор ZXTN19020CFF (1E2)
Транзистор ZXTN19020CFF (1E2)
#2336
 22882 DIODES INCORPORATED 3 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
500+8,40 грн.
0.2 SOT23 Біполярний SMD NPN — — 1.3Вт 3000шт. 65В 7А — 500