Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
29137 СНГ 9 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Б, германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 40В 100мА 1,5МГц 80
23065 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 8 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.5 TO126 Біполярний DIP NPN — — 20Вт 500шт. 400В 1.5А 4МГц —
20122 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR 8 шт
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
завантажити datasheet AOD609 pdf,260 КБ 0.7 TO252-4 Польовий SMD МОП n+p-канал 40В 12А 30Вт 75шт. — — — —
20600 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 8 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 500мВт 4000шт. 45В 100мА — 450
22973 СНГ 8 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор сплавний германієвий npn підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 100мА 2МГц 45
20601 ADVANCED POWER ELECTRONICS 7 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
0.1 SOT26 Польовий SMD МОП n+p-канал 30В 3.3А 1.14Вт 3000шт. — — — —
25956 СНГ 7 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П214А германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Основні технічні характеристики транзистора П214А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 150
29169 СНГ 7 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403А германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 60
20915 ST MICROELECTRONICS 6 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
2.8 TO220FP Польовий DIP МОП n-канальний 600В 4А 25Вт 50шт. — — — —
20350 INTERNATIONAL RECTIFIER 6 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
завантажити datasheet IRF7314 pdf,151 КБ 0.3 SO8 Польовий SMD МОП p-канал x2 20В 5.3А 2Вт 95шт. — — — —
24240 СНГ 6 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 2Т321Б кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
20366 TOSHIBA 5 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
500+21 грн.
7 TO3P Біполярний DIP NPN — — 50Вт 30шт. 1.5кВ 5А — —
22976 СНГ 5 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до і розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),40 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 30 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 3 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 25 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1.00 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 25 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 25Вт 100шт. 30В 3А 1МГц 20
24948 PHILIPS 5 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
0.3 SOT223 Польовий SMD МОП р-канальний 30В 3А 5Вт 1000шт. — — — —
22480 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 5 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 500шт. 20В 20мА 600МГц 240
23006 СНГ 5 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП26Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 70В 150мА — 80
28764 СНГ 5 шт
75 грн.
10+71,25 грн.
50+67,50 грн.
100+60 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ819ВМ: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна розсіювана потужність колектора: 2 Вт; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 100 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 70 В (0,1 кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 15 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 20 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА (40В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 15; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом. 16 TO3 Біполярний DIP NPN — — 100Вт 20шт. 70В 20А — —
20065 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR 4 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
0.6 SO8 Польовий SMD МОП n-канальний 40В 10А 1.7Вт 95шт. — — — —
24127 СНГ 4 шт
170 грн.
10+161,50 грн.
50+153 грн.
100+136 грн.
Транзистори КТ803А кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах постійного струму, генераторах малої розгортки, джерел вторинного електроживлення. 19 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 20шт. 60В 10А 20МГц 50
25906 СНГ 4 шт
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
Транзистори П701А кремнієві сплавно-дифузійні структури підсилювальні npn низькочастотні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах радіоелектронних пристроїв. 10 — Біполярний DIP NPN — — 10Вт 20шт. 60В 500мА 20МГц 60
22882 DIODES INCORPORATED 3 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
500+8,40 грн.
0.2 SOT23 Біполярний SMD NPN — — 1.3Вт 3000шт. 65В 7А — 500
20349 INFINEON TECHNOLOGIES 3 шт
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
скачати datasheet IPP05CN10N pdf,800 КБ 2.8 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 100В 100А 300Вт 50шт. — — — —
25668 СНГ 3 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори ГТ308В германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. Основні технічні характеристики транзистора ГТ308В: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 80...150 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 8 дБ (1,6 МГц); • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 150
28851 СНГ 3 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ840Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 8 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 750 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 6 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 3 мА (750В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,75 Ом. 17.5 TO3 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 40шт. 350В 6А 8МГц 10
29171 СНГ 3 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403И германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 60В 1,25А — 30
28987 INTERNATIONAL RECTIFIER 2 шт
56 грн.
10+53,20 грн.
50+50,40 грн.
100+44,80 грн.
2.8 TO220AB Польовий DIP МОП n-канальний 40В 280А 330Вт 50шт. — — — —
22803 СНГ 2 шт
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
2.5 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 800В 7А 50Вт 100шт. — — — —
23017 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Д германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 60В 100мА 0,7МГц 200
25674 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори 1Т321В германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200
25875 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ321В германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200