Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
Сортування: Назва Ціна Хіти продажів Оцінка покупців Дата додавання На складі
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор 2SC3431
Транзистор 2SC3431
#10472
 22497 NEC 30 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
NPN; 400V; 5A; 40W; h21 = 10-60; Usat = 1V. 2.5 TO220F Біполярний DIP NPN — — 40Вт 50шт. 400В 5А — 60
Транзистор 2SC3279M
Транзистор 2SC3279M
#10489
 22534 MCC 30 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 750мВт 200шт. 30В 2А 150МГц 200
Транзистор МП111А
Транзистор МП111А
#10784
 22972 СНГ 28 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор кремнієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з нормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 100мА 0,5МГц 30
Транзистор КТ382АМ
Транзистор КТ382АМ
#14423
 26632 СНГ 28 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори КТ382АМ кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 400 МГц. Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів високої та надвисокої частот. 0.25 КТ-14 Біполярний SMD NPN — — 100мВт 20шт. 10В 20мА 1.8ГГц 330
Транзистор 2Т826Б (=КТ826Б)
Транзистор 2Т826Б (=КТ826Б)
#9783
 21354 СНГ 25 шт
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в перемикаючих пристроях, перетворювачів постійної напруги, високовольтних стабілізаторів. Транзистор 2Т826Б випускається у металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Транзистор 2Т826Б випускається у вигляді кристалів нерозділених з контактні майданчики на пластині для гібридних інтегральних мікросхем. Тип приладу вказується на етикетці. Маса транзистора в металевому корпусі трохи більше 20 р, кристала трохи більше 0,01 р. Тип корпусу: КТ-9 (ТО-3). Технічні умови: аА0.339.058 ТУ. 14 kt-9 Біполярний DIP NPN — — 15Вт 40шт. 700В 1А 6МГц 10
Транзистор 2SC1674-Y (=KSC1674)
Транзистор 2SC1674-Y (=KSC1674)
#10459
 22480 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 25 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 500шт. 20В 20мА 600МГц 240
AP9962AGH
AP9962AGH
#7959
 20363 ADVANCED POWER ELECTRONICS 24 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
завантажити datasheet AP9962AGH pdf,146 КБ 0.47 TO252 Польовий SMD МОП n-канальний 40В 32А 27.8Вт 3000шт. — — — —
Транзистор ГТ403Б
Транзистор ГТ403Б
#10840
 23037 СНГ 24 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
Транзистор ГТ403Б германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 150
Транзистор КТ826А
Транзистор КТ826А
#13930
 26109 СНГ 24 шт
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ826А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 15 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 6 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 700 В (0,01кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1 А; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...120; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 25 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 5 Ом. 14 kt-9 Біполярний DIP NPN — — 15Вт 40шт. 700В 1А 6МГц 10
Транзистор FQB16N15TM
Транзистор FQB16N15TM
#17080
 29321 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 24 шт
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
1.5 D2PAK Польовий SMD МОП n-канальний 150В 16.4А 108 Вт 50шт. — — — —
Транзистор SQJ457EP-T1_GE3 (=QJ457)
Транзистор SQJ457EP-T1_GE3 (=QJ457)
#17149
 29399 VISHAY 24 шт
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
0.43 PowerPAKSO-8L Польовий SMD МОП р-канальний 60В 36А 68Вт 3000шт. — — — —
Транзистор MBQ60T65PES (=60T65PES)
Транзистор MBQ60T65PES (=60T65PES)
#12586
 24923 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR 23 шт
112 грн.
10+106,40 грн.
50+100,80 грн.
100+89,60 грн.
6.5 TO247 IGBT DIP — — — 428Вт 30шт. 650В 60А — —
Транзистор ГТ320А
Транзистор ГТ320А
#14473
 26684 СНГ 23 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ320А германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 12В 150мА 80МГц 80
Транзистор КТ837І
Транзистор КТ837І
#15469
 27708 INTEGRAL 22 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
Транзистор MJE13003 (=ST13003, KSE13003)
Транзистор MJE13003 (=ST13003, KSE13003)
#2317
 23065 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 21 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.5 TO126 Біполярний DIP NPN — — 20Вт 500шт. 400В 1.5А 4МГц —
Транзистор TIP115
Транзистор TIP115
#10449
 22463 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 21 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 50Вт 50шт. 60В 2А — 1000
Транзистор КТ837Л
Транзистор КТ837Л
#10739
 22804 INTEGRAL 21 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 60В 7,5A 1МГц 40
Транзистор 3П328А-2
Транзистор 3П328А-2
#11195
 23319 СНГ 21 шт
35 грн.
10+33,25 грн.
50+31,50 грн.
100+28 грн.
Транзистор польовий арсенідгаллієвий планарний із двома затворами з каналом n-типу та бар'єром Шоттки підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 8 ГГц. 0.1 КТ-21 Польовий SMD МОП n-канальний 6В 1мА 50мВт 120шт. — — 8ГГц —
Транзистор 2SC1923Y
Транзистор 2SC1923Y
#10488
 22533 TOSHIBA 20 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 100мВт 200шт. 30В 20мА 550МГц 200
Транзистор 2SC2668-O
Транзистор 2SC2668-O
#10490
 22535 TOSHIBA 20 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.2 TO92S Біполярний DIP NPN — — 100мВт 200шт. 30В 20мА 550МГц 200
Транзистор МП40
Транзистор МП40
#13548
 25681 СНГ 20 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори МП40 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 30мА 1МГц 40
Транзистор IRF710
Транзистор IRF710
#2518
 21108 INTERNATIONAL RECTIFIER 19 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
2.5 TO220AB Польовий DIP МОП n-канальний 400В 2А 36Вт 50шт. — — — —
Транзистор П303
Транзистор П303
#13778
 25957 СНГ 19 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
Транзистори П303 кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 65В 500мА 0,1МГц —
Транзистор МП21Б
Транзистор МП21Б
#16890
 29137 СНГ 19 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Б, германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 40В 100мА 1,5МГц 80
Транзистор ГТ403И
Транзистор ГТ403И
#10843
 23040 СНГ 16 шт
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
Транзистор ГТ403И германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 50шт. 60В 1,25А — 30
Транзистор AP9960GM (9960GM)
Транзистор AP9960GM (9960GM)
#4655
 20059 ADVANCED POWER ELECTRONICS 15 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
0.5 SO8 Польовий SMD МОП n-канал x2 40В 7.8А 2Вт 95шт. — — — —
AP9T18GH
AP9T18GH
#5162
 20367 ADVANCED POWER ELECTRONICS 15 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
скачати datasheet AP9T18GH pdf,217 КБ 0.43 TO252 Польовий SMD МОП n-канальний 20В 38А 31Вт 3000шт. — — — —
Транзистор TIP111
Транзистор TIP111
#10448
 22461 MOTOROLA 15 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 50Вт 50шт. 80В 2А — 1000
Транзистор МП21А
Транзистор МП21А
#16884
 29131 СНГ 15 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21А германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 35В 100мА 1МГц 150
Транзистор 2Т371А (=КТ371А)
Транзистор 2Т371А (=КТ371А)
#6827
 22329 СНГ 14 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn надвисокочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. 0.2 КТ-14 Біполярний SMD NPN — — 100мВт 200шт. 10В 20мА 3ГГц 240