Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
Сортування: Назва Ціна Хіти продажів Оцінка покупців Дата додавання На складі
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
AP9962AGH
AP9962AGH
#7959
 20363 ADVANCED POWER ELECTRONICS 24 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
завантажити datasheet AP9962AGH pdf,146 КБ 0.47 TO252 Польовий SMD МОП n-канальний 40В 32А 27.8Вт 3000шт. — — — —
Транзистор ГТ403Б
Транзистор ГТ403Б
#10840
 23037 СНГ 24 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
Транзистор ГТ403Б германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 150
Транзистор КТ826А
Транзистор КТ826А
#13930
 26109 СНГ 24 шт
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ826А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 15 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 6 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 700 В (0,01кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1 А; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...120; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 25 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 5 Ом. 14 kt-9 Біполярний DIP NPN — — 15Вт 40шт. 700В 1А 6МГц 10
Транзистор FQB16N15TM
Транзистор FQB16N15TM
#17080
 29321 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 24 шт
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
1.5 D2PAK Польовий SMD МОП n-канальний 150В 16.4А 108 Вт 50шт. — — — —
Транзистор SQJ457EP-T1_GE3 (=QJ457)
Транзистор SQJ457EP-T1_GE3 (=QJ457)
#17149
 29399 VISHAY 24 шт
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
0.43 PowerPAKSO-8L Польовий SMD МОП р-канальний 60В 36А 68Вт 3000шт. — — — —
Транзистор ГТ320А
Транзистор ГТ320А
#14473
 26684 СНГ 23 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ320А германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 12В 150мА 80МГц 80
Транзистор КТ837І
Транзистор КТ837І
#15469
 27708 INTEGRAL 22 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
Транзистор TIP115
Транзистор TIP115
#10449
 22463 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 21 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 50Вт 50шт. 60В 2А — 1000
Транзистор BC635
Транзистор BC635
#10487
 22532 NXP 21 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 830мВт 200шт. 45В 1А 100МГц 250
Транзистор 2SC1923Y
Транзистор 2SC1923Y
#10488
 22533 TOSHIBA 20 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 100мВт 200шт. 30В 20мА 550МГц 200
Транзистор 2SC2668-O
Транзистор 2SC2668-O
#10490
 22535 TOSHIBA 20 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.2 TO92S Біполярний DIP NPN — — 100мВт 200шт. 30В 20мА 550МГц 200
Транзистор КТ837Л
Транзистор КТ837Л
#10739
 22804 INTEGRAL 19 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 60В 7,5A 1МГц 40
Транзистор П303
Транзистор П303
#13778
 25957 СНГ 19 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
Транзистори П303 кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 65В 500мА 0,1МГц —
Транзистор IRF710
Транзистор IRF710
#2518
 21108 INTERNATIONAL RECTIFIER 18 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
2.5 TO220AB Польовий DIP МОП n-канальний 400В 2А 36Вт 50шт. — — — —
Транзистор MBQ60T65PES (=60T65PES)
Транзистор MBQ60T65PES (=60T65PES)
#12586
 24923 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR 17 шт
112 грн.
10+106,40 грн.
50+100,80 грн.
100+89,60 грн.
6.5 TO247 IGBT DIP — — — 428Вт 30шт. 650В 60А — —
AP9T18GH
AP9T18GH
#5162
 20367 ADVANCED POWER ELECTRONICS 15 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
скачати datasheet AP9T18GH pdf,217 КБ 0.43 TO252 Польовий SMD МОП n-канальний 20В 38А 31Вт 3000шт. — — — —
Транзистор TIP111
Транзистор TIP111
#10448
 22461 MOTOROLA 15 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 50Вт 50шт. 80В 2А — 1000
Транзистор МП21А
Транзистор МП21А
#16884
 29131 СНГ 15 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21А германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 35В 100мА 1МГц 150
Транзистор 2Т371А (=КТ371А)
Транзистор 2Т371А (=КТ371А)
#6827
 22329 СНГ 14 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn надвисокочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. 0.2 КТ-14 Біполярний SMD NPN — — 100мВт 200шт. 10В 20мА 3ГГц 240
Транзистор ГТ403И
Транзистор ГТ403И
#10843
 23040 СНГ 14 шт
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
Транзистор ГТ403И германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 50шт. 60В 1,25А — 30
Транзистор КТ837М
Транзистор КТ837М
#15471
 27710 INTEGRAL 14 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
Транзистор 2Т321Д ОС (= КТ321Д)
Транзистор 2Т321Д ОС (= КТ321Д)
#11953
 24242 СНГ 13 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 2Т321Д кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 120
Транзистор П217А
Транзистор П217А
#16930
 29177 СНГ 13 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 20... 60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP — — 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор КТ629А
Транзистор КТ629А
#11376
 23487 СНГ 12 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори КТ629А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp перемикальні безкорпусні на керамічному кристалотримачі із захисним покриттям з гнучкими висновками. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних пристроях у складі гібридних інтегральних мікросхем. 1.8 — Біполярний SMD PNP — — 1Вт 100шт. — 1А 250МГц 25
Транзистор 3П328А-2
Транзистор 3П328А-2
#11195
 23319 СНГ 11 шт
35 грн.
10+33,25 грн.
50+31,50 грн.
100+28 грн.
Транзистор польовий арсенідгаллієвий планарний із двома затворами з каналом n-типу та бар'єром Шоттки підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 8 ГГц. 0.1 КТ-21 Польовий SMD МОП n-канальний 6В 1мА 50мВт 120шт. — — 8ГГц —
Транзистор 2Т831В
Транзистор 2Т831В
#16614
 28852 СНГ 11 шт
44 грн.
10+41,80 грн.
50+39,60 грн.
100+35,20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т831В: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 4 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 80 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 2 А; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 25; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,6 Ом. 1 TO39 Біполярний DIP NPN — — 1Вт 100шт. 70В 2А 4МГц 25
Транзистор КТ350А
Транзистор КТ350А
#10810
 23000 СНГ 10 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор КТ350А кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 500шт. 15В 60мА 100МГц 200
Транзистор 2Т903А (=КТ903А)
Транзистор 2Т903А (=КТ903А)
#11605
 23831 СНГ 10 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Транзистор 2Т903А мезапланарний кремнієвий структури npn генераторний. Призначений для застосування в підсилювачах потужності та автогенераторах. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 30Вт 20шт. 60В 10А 120МГц 70
Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)
Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)
#16923
 29170 СНГ 10 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403В германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 45В 1,25А — 60
Транзистор 2SC3751
Транзистор 2SC3751
#10468
 22493 SANYO 9 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
500+15,40 грн.
2 TO220F Біполярний DIP NPN — — 25Вт 50шт. 800В 1.5А — 40