Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
29098 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 53 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
0.4 SO8 Польовий SMD МОП р-канальний 30В 8.8А 2.5Вт 2500шт.
29176 СНГ 52 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутій: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 15; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. 11 Біполярний DIP PNP 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц
20352 MICROCHIP TECHNOLOGY 50 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
завантажити datasheet TN2524N8-G pdf,618 КБ 0.2 SOT89-3 Польовий SMD МОП n-канальний 240В 1.6Вт 2000шт.
21351 СНГ 50 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. Транзистори КТ805А, КТ805Б випускаються в металостеклянному корпусі із жорсткими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Маса транзистора трохи більше 24 р. Тип корпусу КТЮ-3-20. Технічні умови: аА0.336.341 ТУ. 30 kt-282 Біполярний DIP NPN 30Вт 20шт. 60В 20МГц 15
20600 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 48 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 500мВт 4000шт. 45В 100мА 450
22464 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 47 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 50Вт 50шт. 80В 1000
22478 ST MICROELECTRONICS 47 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 40Вт 50шт. 250В 10МГц 30
22479 ON SEMICONDUCTOR 46 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
500+5,60 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 40Вт 50шт. 300В 10МГц 30
23006 СНГ 45 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП26Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 70В 150мА 80
20060 ST MICROELECTRONICS 42 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
0.5 DPAK Біполярний SMD PNP 15Вт 2500шт. 30В
20922 NXP 41 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 40Вт 50шт. 100В 50
22532 NXP 41 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 830мВт 200шт. 45В 100МГц 250
29133 СНГ 41 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Б германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 30В 1,25А 150
28457 СНГ 40 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Характеристики транзистора П201Е: Структура PNP Uк-е.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постійний) 1.5А Iб.макс. (постійний) 0,75А Pк.макс. (без тепловідведення) 1,0Вт Pк.макс. (з тепловідведенням) 10Вт Потужність, що перемикається, макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC трохи більше 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC трохи більше 0,2-3,5мА h21е 40..100 fгр. 100КГц Uб-е. нас 0,5-2,0В Uк-е. нас 0,5-2,5В Температурний діапазон -55...+70°C. 10 Біполярний DIP PNP 10Вт 50шт. 30В 1.5А 0,1МГц 100
29193 СНГ 40 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. 9.2 Біполярний DIP PNP 3Вт 50шт. 40В 1.5А 30МГц 60
22462 SAMSUNG 39 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 50Вт 50шт. 100В 1000
21353 СНГ 39 шт
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в перемикаючих пристроях, перетворювачів постійної напруги, високовольтних стабілізаторів. Транзистор 2Т826А випускається у металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Транзистор 2Т826А випускається у вигляді кристалів нерозділених з контактні майданчики на пластині для гібридних інтегральних мікросхем. Тип приладу вказується на етикетці. Маса транзистора в металевому корпусі трохи більше 20 р, кристала трохи більше 0,01 р. Тип корпусу: КТ-9 (ТО-3). Технічні умови: аА0.339.058 ТУ. 14 kt-9 Біполярний DIP NPN 15Вт 40шт. 700В 6МГц 10
22496 NEC 39 шт
9,50 грн.
10+9,02 грн.
50+8,55 грн.
100+7,60 грн.
500+6,65 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 40Вт 50шт. 100В 320
22498 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 38 шт
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
500+6,30 грн.
2 TO220F Біполярний DIP NPN 15Вт 50шт. 400В 80
20356 ON SEMICONDUCTOR 35 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 300мВт 1000шт. 40В 150мА
22469 ST MICROELECTRONICS 35 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 70Вт 50шт. 80В 1000
22471 ST MICROELECTRONICS 35 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 80Вт 50шт. 60В 10А 1000
22526 NEC 35 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 600мВт 200шт. 25В 700мА 170МГц 270
23013 СНГ 35 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор МП10А германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 30
22468 PHILIPS 34 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 70Вт 50шт. 60В 1000
22473 ST MICROELECTRONICS 34 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 80Вт 50шт. 80В 10А 1000
22465 ST MICROELECTRONICS 32 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
500+5,60 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 50Вт 50шт. 100В 1000
21844 СНГ 32 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 250мВт 1000шт. 50В 200мА 500
22484 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 32 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 30Вт 50шт. 60В 20МГц 500
20055 ADVANCED POWER ELECTRONICS 30 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
0.5 SO8 Польовий SMD МОП n-канальний 40В 10А 2.5Вт 95шт.