Транзистори
Параметри фільтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму |
|---|
|
Транзистор FDS4435BZ
#16852
|
29098 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 53 шт |
17 грн.
|
|
0.4 | SO8 | Польовий | SMD | МОП р-канальний | 30В | 8.8А | 2.5Вт | 2500шт. | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор П217
#16929
|
29176 | СНГ | 52 шт |
20 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутій: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 15; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. | 11 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 40шт. | 60В | 7,5A | 0,1МГц | — | ||||||||||
|
TN2524N8-G (TN5CT)
#6176
|
20352 | MICROCHIP TECHNOLOGY | 50 шт |
17 грн.
|
|
завантажити datasheet TN2524N8-G pdf,618 КБ | 0.2 | SOT89-3 | Польовий | SMD | МОП n-канальний | 240В | 1А | 1.6Вт | 2000шт. | — | — | — | — | ||||||||||
| 21351 | СНГ | 50 шт |
25 грн.
|
|
Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. Транзистори КТ805А, КТ805Б випускаються в металостеклянному корпусі із жорсткими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Маса транзистора трохи більше 24 р. Тип корпусу КТЮ-3-20. Технічні умови: аА0.336.341 ТУ. | 30 | kt-282 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 30Вт | 20шт. | 60В | 5А | 20МГц | 15 | |||||||||||
|
Транзистор BC557B
#6614
|
20600 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 48 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 500мВт | 4000шт. | 45В | 100мА | — | 450 | |||||||||||
|
Транзистор TIP116
#10450
|
22464 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 47 шт |
11 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 50Вт | 50шт. | 80В | 2А | — | 1000 | |||||||||||
|
Транзистор TIP47
#10457
|
22478 | ST MICROELECTRONICS | 47 шт |
7 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 40Вт | 50шт. | 250В | 1А | 10МГц | 30 | |||||||||||
|
Транзистор TIP48
#10458
|
22479 | ON SEMICONDUCTOR | 46 шт |
8 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 40Вт | 50шт. | 300В | 1А | 10МГц | 30 | |||||||||||
|
Транзистор МП26Б
#10813
|
23006 | СНГ | 45 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор МП26Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 70В | 150мА | — | 80 | ||||||||||
| 20060 | ST MICROELECTRONICS | 42 шт |
11 грн.
|
|
0.5 | DPAK | Біполярний | SMD | PNP | — | — | 15Вт | 2500шт. | 30В | 5А | — | — | ||||||||||||
|
Транзистор TIP31C
#2330
|
20922 | NXP | 41 шт |
7 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 40Вт | 50шт. | 100В | 3А | — | 50 | |||||||||||
|
Транзистор BC635
#10487
|
22532 | NXP | 41 шт |
2,50 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 830мВт | 200шт. | 45В | 1А | 100МГц | 250 | |||||||||||
|
Транзистор 1Т403Б (=ГТ403Б)
#16886
|
29133 | СНГ | 41 шт |
25 грн.
|
|
Транзистор 1Т403Б германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. | 3 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 4Вт | 100шт. | 30В | 1,25А | — | 150 | ||||||||||
|
Транзистор П201Е
#16183
|
28457 | СНГ | 40 шт |
15 грн.
|
|
Характеристики транзистора П201Е: Структура PNP Uк-е.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постійний) 1.5А Iб.макс. (постійний) 0,75А Pк.макс. (без тепловідведення) 1,0Вт Pк.макс. (з тепловідведенням) 10Вт Потужність, що перемикається, макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC трохи більше 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC трохи більше 0,2-3,5мА h21е 40..100 fгр. 100КГц Uб-е. нас 0,5-2,0В Uк-е. нас 0,5-2,5В Температурний діапазон -55...+70°C. | 10 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 10Вт | 50шт. | 30В | 1.5А | 0,1МГц | 100 | ||||||||||
|
Транзистор П605
#16946
|
29193 | СНГ | 40 шт |
15 грн.
|
|
Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. | 9.2 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 3Вт | 50шт. | 40В | 1.5А | 30МГц | 60 | ||||||||||
|
Транзистор TIP112
#6652
|
22462 | SAMSUNG | 39 шт |
11 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 50Вт | 50шт. | 100В | 2А | — | 1000 | |||||||||||
| 21353 | СНГ | 39 шт |
100 грн.
|
|
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в перемикаючих пристроях, перетворювачів постійної напруги, високовольтних стабілізаторів. Транзистор 2Т826А випускається у металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Транзистор 2Т826А випускається у вигляді кристалів нерозділених з контактні майданчики на пластині для гібридних інтегральних мікросхем. Тип приладу вказується на етикетці. Маса транзистора в металевому корпусі трохи більше 20 р, кристала трохи більше 0,01 р. Тип корпусу: КТ-9 (ТО-3). Технічні умови: аА0.339.058 ТУ. | 14 | kt-9 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 15Вт | 40шт. | 700В | 1А | 6МГц | 10 | |||||||||||
|
Транзистор 2SC2654
#10471
|
22496 | NEC | 39 шт |
9,50 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 40Вт | 50шт. | 100В | 7А | — | 320 | |||||||||||
| 22498 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 38 шт |
9 грн.
|
|
2 | TO220F | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 15Вт | 50шт. | 400В | 2А | — | 80 | ||||||||||||
|
Транзистор 2N6027G
#2158
|
20356 | ON SEMICONDUCTOR | 35 шт |
7 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 300мВт | 1000шт. | 40В | 150мА | — | — | |||||||||||
|
Транзистор TIP136
#10453
|
22469 | ST MICROELECTRONICS | 35 шт |
10 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 70Вт | 50шт. | 80В | 8А | — | 1000 | |||||||||||
|
Транзистор TIP145T
#10454
|
22471 | ST MICROELECTRONICS | 35 шт |
10 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 80Вт | 50шт. | 60В | 10А | — | 1000 | |||||||||||
|
Транзистор 2SC2001L
#10483
|
22526 | NEC | 35 шт |
2,50 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 600мВт | 200шт. | 25В | 700мА | 170МГц | 270 | |||||||||||
|
Транзистор МП10А
#10818
|
23013 | СНГ | 35 шт |
8 грн.
|
|
Транзистор МП10А германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 30В | 20мА | 1МГц | 30 | ||||||||||
|
Транзистор TIP135
#10452
|
22468 | PHILIPS | 34 шт |
10 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 70Вт | 50шт. | 60В | 8А | — | 1000 | |||||||||||
|
Транзистор TIP146T
#10455
|
22473 | ST MICROELECTRONICS | 34 шт |
10 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 80Вт | 50шт. | 80В | 10А | — | 1000 | |||||||||||
|
Транзистор TIP117
#6653
|
22465 | ST MICROELECTRONICS | 32 шт |
8 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 50Вт | 50шт. | 100В | 2А | — | 1000 | |||||||||||
|
Транзистор КТ3102ИМ
#10105
|
21844 | СНГ | 32 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 250мВт | 1000шт. | 50В | 200мА | — | 500 | |||||||||||
| 22484 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 32 шт |
7 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 30Вт | 50шт. | 60В | 3А | 20МГц | 500 | ||||||||||||
|
Транзистор AP9985GM
#4659
|
20055 | ADVANCED POWER ELECTRONICS | 30 шт |
20 грн.
|
|
0.5 | SO8 | Польовий | SMD | МОП n-канальний | 40В | 10А | 2.5Вт | 95шт. | — | — | — | — |