Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
Сортування: Назва Ціна Хіти продажів Оцінка покупців Дата додавання На складі
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзисторне складання 2ТС393Б-1
Транзисторне складання 2ТС393Б-1
#11638
 23868 СНГ 104 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзисторні зборки, що складаються з двох кремнієвих епітаксійно-планарних структур pnp підсилювальних транзисторів на одному кристалі з роздільними висновками. Призначені для застосування у широкосмугових балансних, диференціальних та операційних підсилювачах та інших каскадах герметизованої апаратури, в яких потрібна ідентичність параметрів двох транзисторів. 2 — Біполярний SMD PNP x2 — — 20мВт 200шт. 15В 20мА 500МГц 140
Транзистор КТ807А
Транзистор КТ807А
#14151
 26345 СНГ 104 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в генераторах кадрової та малої розгорток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення. 2.5 — Біполярний DIP NPN — — 10Вт 20шт. 100В 500мА 5МГц 45
Транзистор КТ807Б
Транзистор КТ807Б
#11375
 23486 СНГ 101 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn універсальний. Призначений для застосування в генераторах кадрової та малої розгорток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення. 2.5 — Біполярний DIP NPN — — 10Вт 100шт. 100В 500мА 5МГц 100
Транзистор TN6714A
Транзистор TN6714A
#10492
 22537 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 100 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.5 TO92L Біполярний DIP NPN — — 1Вт 1000шт. 30В 1А — 250
Транзистор П213Б
Транзистор П213Б
#14711
 26929 СНГ 100 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 40; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,25 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 30В 5А 0,15МГц 40
Транзистор 2N5962
Транзистор 2N5962
#10480
 22514 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 98 шт
1,20 грн.
10+1,14 грн.
50+1,08 грн.
100+0,96 грн.
500+0,84 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 45В 100мА — 1400
Транзистор МП10
Транзистор МП10
#13698
 25858 СНГ 98 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор МП10 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначений посилення сигналів низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 30 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 10...30; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 5000 пс; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 30
Транзистор YGW40N65F1
Транзистор YGW40N65F1
#17177
 29427 luxin-semi 98 шт
95 грн.
10+90,25 грн.
50+85,50 грн.
100+76 грн.
6.5 TO247 IGBT DIP — — — 188Вт 30шт. 650В 40А — —
Транзистор МП42А
Транзистор МП42А
#12255
 24637 СНГ 97 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Основні технічні характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкеr проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 200 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 20 Ом. 1.6 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 50
Транзистор КТ3107К
Транзистор КТ3107К
#6836
 22261 СНГ 92 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 220
Транзистор IPG16N10S4-61 (=4N1061)
Транзистор IPG16N10S4-61 (=4N1061)
#16741
 28988 INFINEON TECHNOLOGIES 91 шт
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
0.1 TDSON-8 Польовий SMD МОП n-канал x2 100В 16А 29Вт 5000шт. — — — —
Транзистор CRG60T60AK3HD (=G60T60AK3HD)
Транзистор CRG60T60AK3HD (=G60T60AK3HD)
#17176
 29426 CR MICRO 90 шт
112 грн.
10+106,40 грн.
50+100,80 грн.
100+89,60 грн.
6.5 TO247 IGBT DIP — — — 403Вт 25шт. 600В 60А — —
Транзистор YGW60N65F1A1 (=YGW60N65F1)
Транзистор YGW60N65F1A1 (=YGW60N65F1)
#17178
 29428 luxin-semi 90 шт
118 грн.
10+112,10 грн.
50+106,20 грн.
100+94,40 грн.
6.5 TO247 IGBT — — — — 312Вт 30шт. 650В 60А — —
Транзистор МП21Г
Транзистор МП21Г
#16150
 28392 СНГ 86 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Г германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 60В 100мА 1МГц 80
Транзистор КТ818В
Транзистор КТ818В
#10791
 22980 СНГ 85 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 60Вт 100шт. 70В 10А 3МГц 15
Транзистор МП111Б
Транзистор МП111Б
#14145
 26336 СНГ 84 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор кремнієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 100мА 1МГц 45
Транзистор П417
Транзистор П417
#16885
 29132 СНГ 82 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Германієві дифузійні високочастотні (200 МГц) pnp транзистори малої потужності. 1.8 — Біполярний DIP PNP — — 50мВт 100шт. 10В 10мА 200МГц 100
Транзистор КТ313А1
Транзистор КТ313А1
#11374
 23485 СНГ 80 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
Транзистори кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 50В 350мА 200МГц 120
Транзистор КТ503Б
Транзистор КТ503Б
#11437
 23564 СНГ 79 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 350мВт 1000шт. 25В 350мА 5МГц 240
Транзистор КТ626А
Транзистор КТ626А
#16467
 28714 СНГ 77 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ626А: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 6,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 75 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 500 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА (30В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...260; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 150 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 2 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 500 пс. 0.7 TO126 Біполярний DIP PNP — — 6Вт 500шт. 45В 500мА 70МГц 40
Транзистор TN3019A
Транзистор TN3019A
#10493
 22538 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 76 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.5 TO92L Біполярний DIP NPN — — 1Вт 250шт. 80В 1А 100МГц 300
Транзистор FDS8896
Транзистор FDS8896
#12579
 24916 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 66 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
0.4 SO8 Польовий SMD МОП n-канальний 30В 15А 2.5Вт 2000шт. — — — —
Транзистор КТ837У
Транзистор КТ837У
#16662
 28901 INTEGRAL 65 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
BSP295
BSP295
#5456
 20354 INFINEON TECHNOLOGIES 63 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
скачати datasheet BSP295 pdf,453 КБ 0.3 SOT223 Польовий SMD МОП n-канальний 60В 1.8А 1.8Вт 1000шт. — — — —
Транзистор П216Г
Транзистор П216Г
#16926
 29173 СНГ 63 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216Г: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: >5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 24Вт 20шт. 50В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор 1Т308А (=ГТ308А)
Транзистор 1Т308А (=ГТ308А)
#6848
 29130 СНГ 61 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори 1Т308А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 120мА 120МГц 75
Транзистор 1Т905А
Транзистор 1Т905А
#14616
 26832 СНГ 60 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори 1Т905А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування у перемикаючих та імпульсних підсилювальних пристроях, у вихідних каскадах підсилювачів потужності низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора 1Т905А: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 6 Вт; • fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 75 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 35...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 200 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,17 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 300 пс. 3.5 — Біполярний DIP PNP — — 6Вт 50шт. 65В 3А 30МГц 100
Транзистор МП101А
Транзистор МП101А
#16893
 29140 СНГ 58 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори МП101Б кремнієві сплавні npn підсилювальні низькочастотні з ненормованим МП101, МП101Б та нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 20мА 0,5МГц 30
Транзистор П210В
Транзистор П210В
#12951
 25222 СНГ 57 шт
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
Транзистори П210В германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. Тип приладу вказано на корпусі. Маса транзистора не більше 37 г з наконечниками висновків і не більше 48,5 г з фланцем кріплення. Технічні умови: аА0.336.483 ТУ. Основні технічні характеристики транзистора П210В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 45 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 15 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10. 34 — Біполярний DIP PNP — — 45Вт 10 шт. 45В 12А — 10
Транзистор П306М
Транзистор П306М
#15477
 27717 СНГ 57 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори П306М германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 10Вт 100шт. 60В 400мА 1МГц 25