Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
Сортування: Назва Ціна Хіти продажів Оцінка покупців Дата додавання На складі
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор КТ837Е
Транзистор КТ837Е
#10809
 22999 INTEGRAL 178 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 55В 7,5A 1МГц 150
Транзистор 2SC945
Транзистор 2SC945
#2208
 20492 UTC 173 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 500шт. 50В 150мА 100МГц 600
Транзистор ГТ403А
Транзистор ГТ403А
#10839
 23036 СНГ 169 шт
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистор ГТ403А германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 60
Транзистор П217В
Транзистор П217В
#16932
 29179 СНГ 166 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 3 мА; • h21е – Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP — — 24Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор FDMC8010DC
Транзистор FDMC8010DC
#17147
 29397 ON SEMICONDUCTOR 163 шт
43 грн.
10+40,85 грн.
50+38,70 грн.
100+34,40 грн.
0.43 PQFN3.3X3.3 Польовий SMD МОП n-канальний 30В 157А 50Вт 3000шт. — — — —
Транзистор П307ВМ
Транзистор П307ВМ
#14350
 26558 СНГ 158 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Кремнієвий npn транзистор для роботи в радіомовних приймачах та приймально-підсилювальній апаратурі. 0.5 TO126 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 60В 30мА 20МГц 150
Транзистор КТ3117А1
Транзистор КТ3117А1
#9736
 21146 СНГ 154 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Транзистор NPN 60В 0.4А 0.3Вт 200Мгц TO92 (КТ-26) 0.4 TO92 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 500шт. 60В 400мА 200МГц 40
Транзистор КТ342БМ
Транзистор КТ342БМ
#13767
 25933 СНГ 153 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ342БМ: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 250 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,05 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 200...500; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 8 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 10 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 200 пс. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 25В 50мА 300МГц 500
Транзистор П201АЕ
Транзистор П201АЕ
#16182
 28456 СНГ 151 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Характеристики транзистора П201АЕ: Структура PNP Uк-е.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постійний) 1.5А Iб.макс. (постійний) 0,75А Pк.макс. (без тепловідведення) 1,0Вт Pк.макс. (з тепловідведенням) 10Вт Потужність, що перемикається, макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC трохи більше 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC трохи більше 0,2-3,5мА h21е 40..100 fгр. 200КГц Uб-е. нас 0,5-2,0В Uк-е. нас 0,5-2,5В Температурний діапазон -55...+70°C. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 50шт. 30В 1.5А 0,2МГц 100
MMBT3906 (2A)
MMBT3906 (2A)
#6430
 20426 BL Galaxy Electrical 149 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.1 SOT23 Біполярний SMD PNP — — 250мВт 3000шт. 40В 200мА — 300
Транзистор КТ361А
Транзистор КТ361А
#6843
 24622 СНГ 141 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 1000шт. 25В 50мА 250МГц 90
Транзистор MBQ40T65QESTH (=40T65QES)
Транзистор MBQ40T65QESTH (=40T65QES)
#17078
 29323 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR 140 шт
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
IGBT 650V 40A 230W + Diode 6.5 TO247 IGBT DIP — — — 230Вт 30шт. 650В 40А — —
Транзистор 2SC2328Y (=KSC2328A)
Транзистор 2SC2328Y (=KSC2328A)
#2169
 22521 TOSHIBA 139 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.5 TO92L — DIP NPN — — 1Вт 200шт. 30В 2А 120МГц 320
Транзистор П417А
Транзистор П417А
#11887
 24140 СНГ 139 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Германієві дифузійні високочастотні (200 МГц) pnp транзистори малої потужності. 1.8 — Біполярний DIP PNP — — 50мВт 100шт. 10В 10мА 200МГц 200
Транзистор 2N4403
Транзистор 2N4403
#6596
 22515 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 135 шт
1,20 грн.
10+1,14 грн.
50+1,08 грн.
100+0,96 грн.
500+0,84 грн.
0.25 TO92 Біполярний DIP PNP — — 625мВт 1000шт. 40В 600мА — 300
Фототранзистор КТФ104А
Фототранзистор КТФ104А
#11586
 23817 СНГ 135 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Кремнієвий планарний npn фототранзистор із площею фоточутливого елемента 0.64 мм2 випускають у пластмасовому корпусі. 0.2 — Фото — NPN — — — 200шт. — — — —
Транзистор П216Д
Транзистор П216Д
#14718
 26936 СНГ 135 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216Д: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 15...30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 24Вт 20шт. 50В 7,5A 0,1МГц 30
Транзистор 2SA1273
Транзистор 2SA1273
#10482
 22522 KEC 134 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.5 TO92MOD Біполярний DIP PNP — — 1Вт 200шт. 30В 2А 120МГц 320
Транзистор 2N2222A
Транзистор 2N2222A
#9670
 20876 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 129 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 600мА 300МГц 100
Транзистор П306
Транзистор П306
#11879
 24132 СНГ 128 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П306 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 40шт. 60В 400мА — 25
Транзистор МП111
Транзистор МП111
#11391
 23502 СНГ 118 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор кремнієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 100мА 0,5МГц 25
STK0260
STK0260
#4379
 20971 AUK 116 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
скачати datasheet STK0260 pdf,477 КБ 2 TO220F Польовий DIP МОП n-канальний 600В 600мА 1.3Вт 50шт. — — — —
Транзистор П216Б
Транзистор П216Б
#14715
 26933 СНГ 115 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 10
Транзистор МП102
Транзистор МП102
#16894
 29141 СНГ 115 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори МП102 кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 0,5МГц 45
Транзистор 2SB892
Транзистор 2SB892
#2376
 22523 SANYO 114 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.5 TO92L Біполярний DIP PNP — — 1Вт 200шт. 60В 2А 150МГц 560
Транзистор 2SA970
Транзистор 2SA970
#2368
 22510 TOSHIBA 112 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 200шт. 120В 100мА 100МГц 375
Транзистор 2SB764
Транзистор 2SB764
#10484
 22527 TOSHIBA 111 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.5 TO92L Біполярний DIP PNP — — 900мВт 200шт. 60В 1А 150МГц 320
Транзистор 1Т308Б (=ГТ308Б)
Транзистор 1Т308Б (=ГТ308Б)
#6851
 24599 СНГ 110 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 1Т308Б: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...120 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не нормується; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. 2 — Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 20В 120мА 120МГц 120
Транзистор П210Б
Транзистор П210Б
#12950
 25221 СНГ 110 шт
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
П210Б Транзистори П210Б германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. Тип приладу вказано на корпусі. Маса транзистора не більше 37 г з наконечниками висновків і не більше 48,5 г з фланцем кріплення. Технічні умови: аА0.336.483 ТУ. Основні технічні характеристики транзистора П210Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 45 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкео проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та розімкнутого ланцюга бази: 65 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – Максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А. • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10 34 — Біполярний DIP PNP — — 45Вт 10 шт. 65В 12А — 10
Транзистор 2SC2655Y
Транзистор 2SC2655Y
#2172
 22529 TOSHIBA 108 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.5 TO92L Біполярний DIP NPN — — 900мВт 200шт. 50В 2А 100МГц 240