Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
Сортування: Назва Ціна Хіти продажів Оцінка покупців Дата додавання На складі
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор МП114
Транзистор МП114
#13683
 25842 СНГ 295 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори МП114 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 60В 10мА 0,1МГц 10
Транзистор МП26
Транзистор МП26
#3441
 23003 СНГ 278 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП26 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 70В 150мА — 25
Транзистор П306А
Транзистор П306А
#14717
 26935 СНГ 266 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П306А германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 40шт. 80В 400мА — 35
Транзистор КТ837Ж
Транзистор КТ837Ж
#15472
 27711 INTEGRAL 266 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
Транзистор МП40А
Транзистор МП40А
#3440
 24735 СНГ 262 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори МП40А сплавні германієві pnp підсилювальні низькочастотні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 30мА 1МГц 40
Транзистор П304
Транзистор П304
#13928
 26107 СНГ 259 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П304 кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 50шт. 50В 500мА 0,05МГц —
Транзистор МП14Б
Транзистор МП14Б
#10811
 23001 СНГ 258 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистор МП14Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 60
Транзистор П302
Транзистор П302
#16928
 29175 СНГ 257 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П302 кремнієві сплавні структури p-n-p універсальні. Призначені для застосування в приладах, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP — — 7Вт 50шт. 30В 500мА 0,2МГц 10
Транзистор П213
Транзистор П213
#14710
 26928 СНГ 252 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 11,5 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,16 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 11,5Вт 20шт. 40В 5А 0,15МГц 50
Транзистор AO3400A
Транзистор AO3400A
#16776
 29021 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR 250 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.1 SOT23 Польовий SMD МОП n-канальний 30В 5.7А 1.4Вт 3000шт. — — — —
BSS84 (PD)
BSS84 (PD)
#6253
 20602 NXP 242 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
0.1 SOT23 Польовий SMD МОП р-канальний 50В 130мА 250мВт 3000шт. — — — —
Транзистор МП105
Транзистор МП105
#13969
 26149 СНГ 241 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори МП105 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 10мА 0,1МГц 45
Транзистор П214
Транзистор П214
#14712
 26930 СНГ 230 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 60
Транзистор КТ3130Г9
Транзистор КТ3130Г9
#14527
 26743 INTEGRAL 229 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.1 SOT23 Біполярний SMD NPN — — 100мВт 1000шт. 15В 100мА 150МГц 1000
Транзистор ГТ346А
Транзистор ГТ346А
#12505
 24839 СНГ 227 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори ГТ346А германієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частотах 800 та 200 МГц. Призначені для застосування в селекторах телевізійних каналів метрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль з автоматичним регулюванням посилення. 0.4 КТ-1 Біполярний DIP PNP — — 50мВт 1000шт. 15В 10мА 700МГц 150
Транзистор П216В
Транзистор П216В
#14716
 26934 СНГ 227 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 30
Транзистор КТ801Б
Транзистор КТ801Б
#3436
 21835 СНГ 226 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е.(Uкеr макс), 60 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 30 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 10.00 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 5 Корпус КТЮ-3-9 3.5 КТЮ-3-9 Біполярний DIP NPN — — 5Вт 25шт. 60В 2А 10МГц 30
Транзистор DXG40N65HSEU
Транзистор DXG40N65HSEU
#17079
 29322 DAXIN 224 шт
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
Транзистор DXG40N65HSEU. 6 TO247 IGBT DIP — — — — 30шт. 650В 40А — —
Транзистор МП113А
Транзистор МП113А
#13537
 25665 СНГ 218 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП113А германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 120
Транзистор КТ3102АМ
Транзистор КТ3102АМ
#10317
 22267 СНГ 214 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 50В 200мА — 250
Транзистор П214Б
Транзистор П214Б
#12365
 24700 СНГ 211 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 11,5 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 11,5Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 150
Транзистор КТ209Б
Транзистор КТ209Б
#11446
 23574 СНГ 210 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 15В 350мА — 120
Транзистор КТ361К-2
Транзистор КТ361К-2
#11373
 23484 INTEGRAL 209 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 1000шт. 60В 100мА 250МГц 350
Транзистор 2SA1015GR (A1015)
Транзистор 2SA1015GR (A1015)
#2343
 20411 TOSHIBA 192 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 400мВт 1000шт. 50В 150мА — 400
Транзистор КТ857А
Транзистор КТ857А
#13955
 26135 СНГ 192 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
Транзистор КТ857А кремнієвий епітаксійно-планарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ857А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: більше 10 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 250 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 6 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 10 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мА (250В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 7,5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,33 Ом; • tрас - час розсмоктування: не більше 2500 нс 2 TO220 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 100шт. 250В 7А 10МГц 10
Тиранзистор КТ681А
Тиранзистор КТ681А
#10110
 21849 СНГ 186 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 25В 600мА 120МГц 85
Транзистор КТ818А
Транзистор КТ818А
#10793
 22982 СНГ 185 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 60Вт 100шт. 40В 10А 3МГц 15
Транзистор МП113
Транзистор МП113
#13681
 25840 СНГ 185 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП113 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 45
Транзистор МП25Б
Транзистор МП25Б
#10816
 23009 СНГ 182 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП25Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 40В 150мА — 80
Транзистор П216
Транзистор П216
#14713
 26931 СНГ 179 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П216 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP — — 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 20