Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
Сортування: Назва Ціна Хіти продажів Оцінка покупців Дата додавання На складі
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзисторне складання 2ТС393А-1Н
Транзисторне складання 2ТС393А-1Н
#11806
 24035 СНГ 492 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
Транзисторні зборки, що складаються з двох кремнієвих епітаксійно-планарних структур pnp підсилювальних транзисторів на одному кристалі з роздільними висновками. Призначені для застосування у широкосмугових балансних, диференціальних та операційних підсилювачах та інших каскадах герметизованої апаратури, в яких потрібна ідентичність параметрів двох транзисторів. 2 — Біполярний SMD PNP x2 — — 20мВт 150шт. 10В 20мА 500МГц 180
Транзистор КТ502А
Транзистор КТ502А
#10350
 22338 СНГ 486 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 25В 350мА 5МГц 120
SS9014C (S9014)
SS9014C (S9014)
#8690
 20398 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 484 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 450мВт 500шт. 45В 100мА — 600
Транзистор BC546B
Транзистор BC546B
#2229
 21821 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 477 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 TO92 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 1000шт. 65В 100мА — 200
Транзистор КТ209Е
Транзистор КТ209Е
#10313
 22262 INTEGRAL 470 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 1000шт. 30В 300мА — 240
Транзистор BC327-40
Транзистор BC327-40
#2379
 22516 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 458 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 TO92 Біполярний DIP PNP — — 625мВт 4000шт. 50В 800мА — 400
Транзистор МП25
Транзистор МП25
#10814
 23007 СНГ 457 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП25 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 40В 150мА — 25
Транзистор 2N3906
Транзистор 2N3906
#2338
 20406 DIOTEC SEMICONDUCTOR 452 шт
0,70 грн.
10+0,66 грн.
50+0,63 грн.
100+0,56 грн.
500+0,49 грн.
0.25 TO92 Біполярний DIP PNP — — 625мВт 1000шт. 40В 200мА — 300
Транзистор BC857C (3G)
Транзистор BC857C (3G)
#2399
 23061 DIOTEC SEMICONDUCTOR 449 шт
0,60 грн.
10+0,57 грн.
50+0,54 грн.
100+0,48 грн.
500+0,42 грн.
0.05 SOT23 Біполярний SMD PNP — — 250мВт 3000шт. 50В 100мА — 520
Транзистор SS9018H (S9018)
Транзистор SS9018H (S9018)
#8840
 20493 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 448 шт
1,50 грн.
10+1,42 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 400мВт 500шт. 30В 50мА 1100МГц 140
Транзистор КТ680А
Транзистор КТ680А
#14422
 26631 СНГ 422 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор KT680A кремнієвий епітаксійно-планарний структури npn підсилювальний. Призначений для застосування у підсилювачах низької частоти. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 350мВт 1000шт. 25В 600мА 120МГц 300
Транзистор CSD17308Q3
Транзистор CSD17308Q3
#17127
 29378 TEXAS INSTRUMENTS 420 шт
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
0.12 VSON-CLIP-8(3.3x3.3) Польовий SMD МОП n-канальний 30В 50А 28Вт 2500шт. — — — —
Транзистор КТ6114В (=SS8050)
Транзистор КТ6114В (=SS8050)
#10102
 21840 INTEGRAL 413 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 80
Транзистор MMBT5401LT1G (2L)
Транзистор MMBT5401LT1G (2L)
#6431
 20416 ON SEMICONDUCTOR 405 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
0.1 SOT23 Біполярний SMD PNP — — 350мВт 3000шт. 150В 600мА — 240
Транзистор МП103
Транзистор МП103
#13682
 25841 СНГ 398 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 45
Транзистор КТ6115В (=SS8550)
Транзистор КТ6115В (=SS8550)
#10106
 21845 INTEGRAL 397 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 300
Транзистор IRLML5103TRPBF (D7EKH)
Транзистор IRLML5103TRPBF (D7EKH)
#6347
 25108 INTERNATIONAL RECTIFIER 393 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.1 SOT23 Польовий SMD МОП р-канальний 30В 750мА 540мВт 3000шт. — — — —
Транзистор КТ817Б
Транзистор КТ817Б
#12236
 24615 СНГ 389 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор КТ817Б кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN — — 25Вт 200шт. 45В 3А 3МГц 40
Транзистор КТ853В
Транзистор КТ853В
#13954
 26134 СНГ 377 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори КТ853В планарні кремнієві структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ853В: • Структура транзистора: pnp; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА (60В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 750; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 120 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,66 Ом; • tвикл - Час вимкнення:: не більше 3300 нс 2 TO220 Біполярний DIP PNP — — 60Вт 100шт. 60В 8А 7МГц 750
Транзистор КТ3101АМ
Транзистор КТ3101АМ
#14485
 26697 СНГ 362 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори КТ3101А-2 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частотах 1 та 2,25 ГГц. Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів надвисоких частот. Основні технічні характеристики транзистора КТ3101АМ: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 100 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 4000 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 2,5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мкА (15В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 35...300; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 1,5 пФ; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 4,5 дБ на частоті 2,25 ГГц • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 10 пс. 0.25 КТ-14 Біполярний SMD NPN — — 100мВт 20шт. 15В 20мА 4ГГц 300
Транзистор МП106
Транзистор МП106
#13536
 25664 СНГ 356 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори МП106 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 10мА 0,5МГц 100
Транзистор МП116
Транзистор МП116
#11961
 24250 СНГ 339 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори МП116 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 10мА 0,5МГц 100
Транзистор П216А
Транзистор П216А
#14714
 26932 СНГ 327 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 40 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...80; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 80
Транзистор П605А
Транзистор П605А
#11215
 23349 СНГ 326 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. 9.2 — Біполярний DIP PNP — — 3Вт 50шт. 40В 1.5А 30МГц 120
Транзистор МП103А
Транзистор МП103А
#13712
 25876 СНГ 326 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103А германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 30
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
#12174
 24467 СНГ 317 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Призначений для застосування як приймачів та датчиків інфрачервоного випромінювання у складі оптико-електронної апаратури, систем фотоелектричної автоматики та безконтактного вимірювання температури, обчислювальної та вимірювальної техніки. Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-8: • Розмір фоточутливого елемента діаметр 0,5 мм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,9...0,95 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 1 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,2 мкА/лк. 0.3 — Фото DIP — — — — 400шт. — — — —
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
#12229
 24608 СНГ 311 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т903Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: понад 120 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 10 А; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...180; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 180 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1 Ом; • Рвых – вихідна потужність транзистора: не менше 10 Вт на частоті 50 МГц. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 30Вт 20шт. 60В 10А — 180
Транзистор КТ3107Ж
Транзистор КТ3107Ж
#10104
 21843 СНГ 302 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 450
Транзистор КТ3128А
Транзистор КТ3128А
#10341
 22328 СНГ 300 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Призначений для застосування у селекторах телевізійних каналів з автоматичним регулюванням посилення. 0.4 КТ-1 Біполярний DIP PNP — — 100мВт 500шт. 20В 20мА 800МГц 150
Транзистор 2Т208М1 (=КТ208М)
Транзистор 2Т208М1 (=КТ208М)
#10315
 22264 СНГ 296 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор 2Т208М1 служить для посилення, генерації та перетворення електричних сигналів. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 1000шт. 60В 300мА — 40