Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
29247 ON SEMICONDUCTOR 1104 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.1 SOT23 Біполярний SMD NPN 300мВт 3000шт. 80В 500мА 100
22263 INTEGRAL 1072 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 500мВт 1000шт. 45В 800мА 220
23026 СНГ 1044 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистор МП14 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 40
25510 СНГ 1006 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори КТ829Г кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, що перемикають пристрої. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 60Вт 200шт. 45В 4МГц 750
25863 СНГ 1005 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори МП101Б кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим МП101, МП101Б і нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 20В 20мА 0,5МГц 45
22865 ON SEMICONDUCTOR 965 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
0.1 SOT23 Польовий SMD МОП n-канальний 50В 200мА 225мВт 3000шт.
29248 DIOTEC SEMICONDUCTOR 952 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
0.25 PowerDI3333-8(SWP) Польовий SMD МОП n-канальний 60В 41А 1.17 Вт 1000шт.
21008 INTERNATIONAL RECTIFIER 902 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
2.8 TO220AB Польовий DIP МОП n-канальний 55В 110А 200Вт 50шт.
25860 СНГ 887 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Кремнієві біполярні сплавні pnp тпранзистори типів МП115 в металостеклянному корпусі, призначені для роботи в імпульсних схемах, стабілізаторах напруги, підсилювачах постійного струму та інших пристроях побутової техніки. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 60мВт 100шт. 30В 200мА 0,1МГц 45
23552 СНГ 885 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 100мВт 800 шт. 60В 50мА 250МГц 30
23551 СНГ 883 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP 150мВт 1000шт. 20В 50мА 250МГц 350
22339 СНГ 800 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503Д кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 1000шт. 60В 350мА 5МГц 120
23578 ON SEMICONDUCTOR 789 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
0.25 TO92 Польовий DIP МОП n-канальний 240В 200мА 350мВт 1000шт.
22783 СНГ 775 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Призначений для застосування у вхідних та наступних каскадах малошумливих підсилювачів надвисоких частот. 0.1 КТ-22 Біполярний SMD NPN 75мВт 200шт. 8,5мА 5ГГц 110
26148 СНГ 750 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори МП104 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 60В 10мА 0,1МГц 10
22271 СНГ 741 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
КТ604БМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn. 1 TO126 Біполярний DIP NPN 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 120
23555 СНГ 738 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
22340 СНГ 706 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP 150мВт 1000шт. 35В 50мА 250МГц 350
21707 INTEGRAL 673 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
500+4,20 грн.
1 TO126 Біполярний DIP NPN 12.5Вт 1000шт. 80В 1.5А
22519 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 670 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 500мВт 4000шт. 30В 100мА 450
20498 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 663 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 450мВт 500шт. 45В 100мА 200МГц 600
22265 INTEGRAL 658 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 500мВт 1000шт. 50В 300мА
26682 СНГ 645 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори МП13 германієві сплавні pnp універсальні низькочастотні малопотужні. Призначені для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів, застосування у фериттранзисторних осередках. Основні технічні характеристики транзистора МП13: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 0,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 25...55; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 0,5МГц 12
23481 DIOTEC SEMICONDUCTOR 638 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 500мВт 2500шт. 45В 100мА 400
21035 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 638 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.1 SOT23 Біполярний SMD NPN 350мВт 3000шт. 40В 600мА 300
21846 INTEGRAL 626 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
0.1 SOT23 Біполярний SMD NPN 100мВт 1000шт. 40В 100мА 150МГц 250
21839 INTEGRAL 609 шт
1,50 грн.
10+1,42 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 625мВт 1000шт. 300В 500мА 50МГц 40
24701 СНГ 584 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 10Вт 50шт. 55В
22970 СНГ 540 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 30Вт 100шт. 60В 20МГц 15
23010 СНГ 533 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП15 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 60