Транзистори
Параметри фільтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму |
|---|
| 29247 | ON SEMICONDUCTOR | 1104 шт |
1 грн.
|
|
0.1 | SOT23 | Біполярний | SMD | NPN | — | — | 300мВт | 3000шт. | 80В | 500мА | — | 100 | ||||||||||||
|
Транзистор КТ660А
#10314
|
22263 | INTEGRAL | 1072 шт |
6 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 1000шт. | 45В | 800мА | — | 220 | |||||||||||
|
Транзистор МП14
#10830
|
23026 | СНГ | 1044 шт |
7 грн.
|
|
Транзистор МП14 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 40 | ||||||||||
|
Транзистор КТ829Г
#13386
|
25510 | СНГ | 1006 шт |
12 грн.
|
|
Транзистори КТ829Г кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, що перемикають пристрої. | 2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 60Вт | 200шт. | 45В | 8А | 4МГц | 750 | ||||||||||
|
Транзистор МП101Б
#13702
|
25863 | СНГ | 1005 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори МП101Б кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим МП101, МП101Б і нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 20В | 20мА | 0,5МГц | 45 | ||||||||||
|
Транзистор BSS138 (SS)
#2481
|
22865 | ON SEMICONDUCTOR | 965 шт |
2 грн.
|
|
0.1 | SOT23 | Польовий | SMD | МОП n-канальний | 50В | 200мА | 225мВт | 3000шт. | — | — | — | — | |||||||||||
| 29248 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 952 шт |
22 грн.
|
|
0.25 | PowerDI3333-8(SWP) | Польовий | SMD | МОП n-канальний | 60В | 41А | 1.17 Вт | 1000шт. | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Транзистор IRF3205
#2498
|
21008 | INTERNATIONAL RECTIFIER | 902 шт |
25 грн.
|
|
2.8 | TO220AB | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 55В | 110А | 200Вт | 50шт. | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор МП115
#13700
|
25860 | СНГ | 887 шт |
5 грн.
|
|
Кремнієві біполярні сплавні pnp тпранзистори типів МП115 в металостеклянному корпусі, призначені для роботи в імпульсних схемах, стабілізаторах напруги, підсилювачах постійного струму та інших пристроях побутової техніки. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 60мВт | 100шт. | 30В | 200мА | 0,1МГц | 45 | ||||||||||
|
Транзистор КТ315И
#6842
|
23552 | СНГ | 885 шт |
2 грн.
|
|
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. | 0.25 | КТ-13 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 100мВт | 800 шт. | 60В | 50мА | 250МГц | 30 | ||||||||||
|
Транзистор КТ361Б
#6844
|
23551 | СНГ | 883 шт |
2 грн.
|
|
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. | 0.2 | КТ-13 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 1000шт. | 20В | 50мА | 250МГц | 350 | ||||||||||
|
Транзистор КТ503Д
#10351
|
22339 | СНГ | 800 шт |
5 грн.
|
|
Транзистори КТ503Д кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | 5МГц | 120 | ||||||||||
|
Транзистор VN2410L
#7289
|
23578 | ON SEMICONDUCTOR | 789 шт |
12 грн.
|
|
0.25 | TO92 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 240В | 200мА | 350мВт | 1000шт. | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор КТ3115А-2
#10726
|
22783 | СНГ | 775 шт |
30 грн.
|
|
Призначений для застосування у вхідних та наступних каскадах малошумливих підсилювачів надвисоких частот. | 0.1 | КТ-22 | Біполярний | SMD | NPN | — | — | 75мВт | 200шт. | — | 8,5мА | 5ГГц | 110 | ||||||||||
|
Транзистор МП104
#13968
|
26148 | СНГ | 750 шт |
7 грн.
|
|
Транзистори МП104 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 60В | 10мА | 0,1МГц | 10 | ||||||||||
|
Транзистор КТ604БМ
#10321
|
22271 | СНГ | 741 шт |
4 грн.
|
|
КТ604БМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn. | 1 | TO126 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 3Вт | 200шт. | 250В | 200мА | 40МГц | 120 | ||||||||||
|
Транзистор КТ315Е
#6840
|
23555 | СНГ | 738 шт |
2 грн.
|
|
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. | 0.25 | КТ-13 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 800 шт. | 35В | 100мА | 250МГц | 350 | ||||||||||
|
Транзистор КТ361Г1
#10352
|
22340 | СНГ | 706 шт |
2 грн.
|
|
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. | 0.2 | КТ-13 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 1000шт. | 35В | 50мА | 250МГц | 350 | ||||||||||
| 21707 | INTEGRAL | 673 шт |
6 грн.
|
|
— | 1 | TO126 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 12.5Вт | 1000шт. | 80В | 1.5А | — | — | |||||||||||
|
Транзистор BC558B
#2383
|
22519 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 670 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 500мВт | 4000шт. | 30В | 100мА | — | 450 | |||||||||||
| 20498 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 663 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 450мВт | 500шт. | 45В | 100мА | 200МГц | 600 | ||||||||||||
|
Транзистор КТ645А
#10316
|
22265 | INTEGRAL | 658 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 1000шт. | 50В | 300мА | — | — | |||||||||||
|
Транзистор МП13
#14471
|
26682 | СНГ | 645 шт |
8 грн.
|
|
Транзистори МП13 германієві сплавні pnp універсальні низькочастотні малопотужні. Призначені для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів, застосування у фериттранзисторних осередках. Основні технічні характеристики транзистора МП13: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 0,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 25...55; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. | 1.8 | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 0,5МГц | 12 | ||||||||||
|
Транзистор BC547C
#2231
|
23481 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 638 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 2500шт. | 45В | 100мА | — | 400 | |||||||||||
|
Транзистор MMBT4401 (2X)
#9700
|
21035 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 638 шт |
1 грн.
|
|
0.1 | SOT23 | Біполярний | SMD | NPN | — | — | 350мВт | 3000шт. | 40В | 600мА | — | 300 | |||||||||||
| 21846 | INTEGRAL | 626 шт |
2,50 грн.
|
|
0.1 | SOT23 | Біполярний | SMD | NPN | — | — | 100мВт | 1000шт. | 40В | 100мА | 150МГц | 250 | ||||||||||||
|
Транзистор КТ520А (=MPSA42)
#10101
|
21839 | INTEGRAL | 609 шт |
1,50 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 625мВт | 1000шт. | 300В | 500мА | 50МГц | 40 | |||||||||||
|
Транзистор П214В
#12366
|
24701 | СНГ | 584 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П214В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 10 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 10Вт | 50шт. | 55В | 5А | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КТ805АМ
#10782
|
22970 | СНГ | 540 шт |
20 грн.
|
|
Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. | 2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 30Вт | 100шт. | 60В | 5А | 20МГц | 15 | ||||||||||
|
Транзистор МП15
#3476
|
23010 | СНГ | 533 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор МП15 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 2МГц | 60 |