Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
TOSHIBA
31 грн.
10+29,45 грн.
50+27,90 грн.
100+24,80 грн.
2.8 TO220AB Польовий DIP МОП n-канальний 850В 100Вт 50шт.
ST MICROELECTRONICS
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.3 TO92 Польовий DIP МОП n-канальний 600В 300мА 3Вт 1000шт.
WEITRON
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
2.5 TO220F Польовий DIP МОП n-канальний 600В 44Вт 50шт.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
0.7 DPAK Польовий SMD МОП n-канальний 1кВ 1.6А 50Вт 75шт.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
2.5 TO220F Польовий DIP МОП n-канальний 600В 34Вт 50шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
2.8 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 600В 3.2А 38Вт 50шт.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
2.5 TO220F Польовий DIP МОП n-канальний 900В 2.1А 43Вт 50шт.
ST MICROELECTRONICS
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
2.8 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 600В 3.3А 80Вт 50шт.
ST MICROELECTRONICS
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
2.5 TO220FP Польовий DIP МОП n-канальний 600В 2.2А 35Вт 50шт.
20573 INTERNATIONAL RECTIFIER
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
0.7 DPAK IGBT SMD 78Вт 1000шт. 330В 40А
20628 INFINEON TECHNOLOGIES
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
2.5 D2PAK IGBT SMD 138Вт 50шт. 600В 15А
21462 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
500+18,90 грн.
7 TO3 Біполярний DIP NPN 130Вт 30шт. 400В 12А 4МГц 30
21470 ST MICROELECTRONICS
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
7 TO247 IGBT DIP 250Вт 30шт. 600В 45А
20786 NXP
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
500+19,60 грн.
5.7 TO3P Біполярний DIP NPN 50Вт 30шт. 1.5кВ
20787 ST MICROELECTRONICS
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
500+19,60 грн.
5.7 TO3P Біполярний DIP NPN 50Вт 30шт. 1.5кВ
20793 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
500+5,60 грн.
2.8 TO220 Біполярний DIP NPN 80Вт 50шт. 700В 30
20798 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
2.5 TO220F Польовий DIP МОП n-канальний 600В 4.5А 33Вт 50шт.
20810 Stanson Technology
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
0.3 SO8 Польовий SMD МОП n+p-канал 30В 6.5А 2Вт 2500шт.
20857 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
500+9,80 грн.
2.8 TO220 Біполярний DIP NPN 100Вт 50шт. 400В 12А 4МГц 30
20877 CHINA
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
500+17,50 грн.
7 TO3 Біполярний DIP NPN 45Вт 30шт. 500В
20925 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
62 грн.
10+58,90 грн.
50+55,80 грн.
100+49,60 грн.
7 TO247 IGBT DIP 290Вт 30шт. 600В 40А
20933 RENESAS
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
7 TO247A IGBT DIP 330Вт 30шт. 600В 50А
21016 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
500+9,80 грн.
2.8 TO220 Біполярний DIP NPN 100Вт 50шт. 700В 12А 4МГц 40
21024 ANPEC
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
0.3 SO8 Польовий SMD МОП p-канал x2 30В 4.9А 2.5Вт 2500шт.
21706 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214Г: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: не нормується; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 10Вт 20шт. 55В
21850 INTEGRAL
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
1 TO126 Біполярний DIP NPN 2.5Вт 500шт. 40В 250МГц 150
22268 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура P-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, 10 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 17 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт 0.12 Крутизна характеристики S, мА/В 1.3…4.4 Корпус КТ-17 0.7 Польовий DIP 125мВт 200шт.
22390 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Складання призначене для застосування у вхідних каскадах диференціальних малошумливих підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором. 2 Польовий DIP МОП n-канальний 25В 50мВт 40шт.
22460 SMG
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 50Вт 50шт. 60В 1000
22467 ST MICROELECTRONICS
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 70Вт 50шт. 60В 1000