Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
— ST MICROELECTRONICS —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
— 2.8 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 600В 3.3А 80Вт 50шт. — — — —
— ST MICROELECTRONICS —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
— 2.5 TO220FP Польовий DIP МОП n-канальний 600В 2.2А 35Вт 50шт. — — — —
20573 INTERNATIONAL RECTIFIER —
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
— 0.7 DPAK IGBT SMD — — — 78Вт 1000шт. 330В 40А — —
20628 INFINEON TECHNOLOGIES —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
— 2.5 D2PAK IGBT SMD — — — 138Вт 50шт. 600В 15А — —
21462 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
500+18,90 грн.
— 7 TO3 Біполярний DIP NPN — — 130Вт 30шт. 400В 12А 4МГц 30
21470 ST MICROELECTRONICS —
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
— 7 TO247 IGBT DIP — — — 250Вт 30шт. 600В 45А — —
20786 NXP —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
500+19,60 грн.
— 5.7 TO3P Біполярний DIP NPN — — 50Вт 30шт. 1.5кВ 8А — —
20787 ST MICROELECTRONICS —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
500+19,60 грн.
— 5.7 TO3P Біполярний DIP NPN — — 50Вт 30шт. 1.5кВ 8А — —
20793 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
500+5,60 грн.
— 2.8 TO220 Біполярний DIP NPN — — 80Вт 50шт. 700В 8А — 30
20798 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
— 2.5 TO220F Польовий DIP МОП n-канальний 600В 4.5А 33Вт 50шт. — — — —
20810 Stanson Technology —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— 0.3 SO8 Польовий SMD МОП n+p-канал 30В 6.5А 2Вт 2500шт. — — — —
20857 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
500+9,80 грн.
— 2.8 TO220 Біполярний DIP NPN — — 100Вт 50шт. 400В 12А 4МГц 30
20877 CHINA —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
500+17,50 грн.
— 7 TO3 Біполярний DIP NPN — — 45Вт 30шт. 500В 7А — —
20925 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
62 грн.
10+58,90 грн.
50+55,80 грн.
100+49,60 грн.
— 7 TO247 IGBT DIP — — — 290Вт 30шт. 600В 40А — —
20933 RENESAS —
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
— 7 TO247A IGBT DIP — — — 330Вт 30шт. 600В 50А — —
21016 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
500+9,80 грн.
— 2.8 TO220 Біполярний DIP NPN — — 100Вт 50шт. 700В 12А 4МГц 40
21024 ANPEC —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— 0.3 SO8 Польовий SMD МОП p-канал x2 30В 4.9А 2.5Вт 2500шт. — — — —
21706 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
— Основні технічні характеристики транзистора П214Г: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: не нормується; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 55В 5А — —
21850 INTEGRAL —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 1 TO126 Біполярний DIP NPN — — 2.5Вт 500шт. 40В 1А 250МГц 150
22268 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Структура P-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, 10 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 17 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт 0.12 Крутизна характеристики S, мА/В 1.3…4.4 Корпус КТ-17 0.7 — Польовий DIP — — — 125мВт 200шт. — — — —
22390 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
— Складання призначене для застосування у вхідних каскадах диференціальних малошумливих підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором. 2 — Польовий DIP МОП n-канальний 25В — 50мВт 40шт. — — — —
22460 SMG —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
— 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 50Вт 50шт. 60В 2А — 1000
22467 ST MICROELECTRONICS —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
— 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 70Вт 50шт. 60В 8А — 1000
22477 ST MICROELECTRONICS —
31 грн.
10+29,45 грн.
50+27,90 грн.
100+24,80 грн.
500+21,70 грн.
— 7.5 TO247 Біполярний DIP PNP — — 80Вт 30шт. 100В 10А — 100
22494 SANKEN —
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
500+6,30 грн.
— 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 50Вт 50шт. 400В 7А 10МГц 30
22495 MOSPEC —
9,50 грн.
10+9,02 грн.
50+8,55 грн.
100+7,60 грн.
500+6,65 грн.
— 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 25Вт 50шт. 50В 3А 5МГц 320
22530 TOSHIBA —
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
— 0.5 TO92L Біполярний DIP NPN — — 900мВт 200шт. 300В 100мА 50МГц 150
22531 CDIL —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
— 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 350мВт 200шт. 30В 100мА 280МГц 900
22796 СНГ —
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
— Транзистори кремнієві планарні структури npn універсальні. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN — — 1.2Вт 200шт. 60В 1А 50МГц 480
22797 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
— Транзистори кремнієві планарні структури npn універсальні. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN — — 1.2Вт 200шт. 150В 1А 50МГц 480