Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
22494 SANKEN
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
500+6,30 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 50Вт 50шт. 400В 10МГц 30
22495 MOSPEC
9,50 грн.
10+9,02 грн.
50+8,55 грн.
100+7,60 грн.
500+6,65 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 25Вт 50шт. 50В 5МГц 320
22531 CDIL
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 200шт. 30В 100мА 280МГц 900
22796 СНГ
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
Транзистори кремнієві планарні структури npn універсальні. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN 1.2Вт 200шт. 60В 50МГц 480
22797 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Транзистори кремнієві планарні структури npn універсальні. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN 1.2Вт 200шт. 150В 50МГц 480
22798 СНГ
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури п-р-п підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 150мВт 200шт. 20В 20мА 10МГц 60
23557 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 150мВт 800 шт. 40В 100мА 250МГц 90
СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
22838 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Транзистори кремнієві польові планарні з ізольованим затвором і індукованим каналом р-типу. Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів малошумящих, нелінійних малосигнальних ланцюгах, каскадах з високим вхідним опором. 0.43 КТ-14 Польовий DIP МОП р-канальний 20В 15мА 200мВт 100шт.
22969 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 30Вт 100шт. 70В 20МГц 25
22971 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор сплавний германієвий npn підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 50
22974 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистор кремнієвий епітаксійно-планарний структури npn генераторний. Призначений для застосування в підсилювачах потужності, помножувачах частоти та автогенератори на частотах вище 100 МГц при напрузі живлення 28 В. 5 КТ-4-2 Біполярний Гвинт NPN 2.5Вт 50шт. 65В 400мА 350МГц 15
22975 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в підсилювачах, перетворювачах та імпульсних пристроях. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 25Вт 100шт. 45В 1МГц 100
22977 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 60Вт 100шт. 100В 10А 3МГц 12
22978 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 60Вт 100шт. 40В 10А 3МГц 15
22979 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 60Вт 100шт. 100В 10А 3МГц 12
22981 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистор кремнієвий епітаксійно-планарний структури npn генераторний. Призначений для застосування в підсилювачах потужності, помножувачах частоти та автогенератори на частотах вище 100 МГц при напрузі живлення 28 В. 5 КТ-4-2 Біполярний Гвинт NPN 2.5Вт 50шт. 65В 400мА 350МГц 15
22983 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 60Вт 100шт. 50В 10А 3МГц 20
22984 INTEGRAL
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 40
22988 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Кремнієвий епітаксійно-планарний біполярний структури npn підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN 10Вт 200шт. 300В 100мА 90МГц 25
22989 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор КТ644Б кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp універсальний. TO126 Біполярний DIP PNP 1Вт 200шт. 60В 200МГц 300
22990 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор КТ816Б кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP PNP 25Вт 200шт. 45В 3МГц 25
22991 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор КТ814Б кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP PNP 10Вт 200шт. 40В 1.5А 3МГц 40
22992 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор КТ815Г кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN 10Вт 200шт. 100В 1.5А 3МГц 30
22993 СНГ
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 250мВт 1000шт. 30В 200мА 500
22994 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Транзистор кремнієві мезапланарні структури npn. Призначений для застосування в підсилювачах, імпульсних та перемикаючих високочастотних пристроях. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN 400мВт 200шт. 250В 100мА 40МГц 120
22995 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор КТ814В кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP PNP 10Вт 200шт. 60В 1.5А 3МГц 40
22996 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор КТ814А кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP PNP 10Вт 200шт. 25В 1.5А 3МГц 40
22997 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор КТ815А кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN 10Вт 200шт. 40В 1.5А 3МГц 40
22998 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
500+4,20 грн.
0.7 TO126 Біполярний DIP PNP 10Вт 200шт. 400В 500мА 200