Транзистори
Параметри фільтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму |
|---|
|
Транзистор КП350В Аu
#11377
|
23488 | СНГ | — |
27 грн.
|
|
— | Транзистори КП350В кремнієві дифузно-планарні польові з двома ізольованими затворами та каналом n-типу. Призначені для застосування в підсилювачах, генераторах та перетворювачах надвисокої частоти до 700 МГц. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | — | — | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КП303Е Ni
#11408
|
23525 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КП307Е Au
#11409
|
23526 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Транзистори КП307Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 27В | 25мА | 250мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ502Б
#11433
|
23559 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Б кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 240 | |||||||||
|
Транзистор КТ502В
#11434
|
23560 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502В кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | |||||||||
|
Транзистор КТ502Г
#11435
|
23561 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Г кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | |||||||||
|
Транзистор КТ502Е
#11436
|
23562 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Е кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 80В | 350мА | 5МГц | 120 | |||||||||
|
Транзистор КТ503В
#11438
|
23565 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ503В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | |||||||||
|
Транзистор КТ503Г
#11439
|
23566 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ503Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | |||||||||
|
Транзистор КТ209Д
#11440
|
23567 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | — | 120 | ||||||||||
|
Транзистор КТ209М
#11441
|
23568 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | — | 120 | ||||||||||
|
Транзистор КТ209А
#11442
|
23569 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | — | 120 | ||||||||||
|
Транзистор КТ209Ж
#11444
|
23572 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 45В | 350мА | — | 60 | ||||||||||
|
Транзистор КТ3102ГМ
#11445
|
23573 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 250мВт | 1000шт. | 20В | 200мА | — | 1000 | ||||||||||
|
Транзистор КТ209Г
#11447
|
23575 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 30В | 350мА | — | 60 | ||||||||||
|
Транзистор BU508AFI
#11448
|
23576 | ST MICROELECTRONICS | — |
32 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 50Вт | 30шт. | 1.5кВ | 8А | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КП303Д Ni
#11617
|
23848 | СНГ | — |
11 грн.
|
|
— | Транзистори КП303Д кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КП303В Ni
#11618
|
23849 | СНГ | — |
11 грн.
|
|
— | Транзистори КП303В кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ3107В
#11685
|
23914 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 140 | ||||||||||
|
Транзистор 2Т625АМ-2
#11805
|
24034 | СНГ | — |
28 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т625АМ-2 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у імпульсних пристроях герметизованої апаратури. Безкорпусні із захисним покриттям та гнучкими висновками. | 1.6 | — | Біполярний | SMD | NPN | — | — | 1Вт | 100шт. | 40В | 1А | 200МГц | 120 | |||||||||
|
Транзистор 2Т331В-1
#11807
|
24036 | СНГ | — |
38 грн.
|
|
— | Кремнієві епітаксійно-планарні npn безкорпусні високочастотні транзистори. | 1.6 | — | Біполярний | — | NPN | — | — | — | 50шт. | — | — | — | 180 | |||||||||
|
Транзистор П701
#11874
|
24126 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Транзистори П701 кремнієві сплавно-дифузійні структури npn низькочастотні підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах радіоелектронних пристроїв. | 10 | — | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 10Вт | 20шт. | 40В | 500мА | 20МГц | 40 | |||||||||
|
Транзистор КТ3107Г
#11876
|
24129 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 220 | ||||||||||
|
Транзистор КТ3107Л
#11877
|
24130 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 20В | 200мА | 200МГц | 800 | ||||||||||
|
Транзистор П702
#11878
|
24131 | СНГ | — |
50 грн.
|
|
— | Транзистори П702 кремнієві мезапланарні структури підсилювальні npn. Призначені для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перемикаючих пристроях, перетворювачах та стабілізаторах постійної напруги. | 22 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 40Вт | 20шт. | 60В | 2А | 4МГц | 25 | |||||||||
|
Транзистор П308
#11954
|
24243 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Транзистори П308 кремнієві планарні npn перемикальні малочастотні малопотужні. Призначені для застосування у схемах перемикання та перетворювачів постійної напруги. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 250мВт | 100шт. | 120В | 30мА | 20МГц | 90 | |||||||||
|
Транзистор 2Т602Б (=КТ602Б)
#11955
|
24244 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | КТ602Б Транзистори кремнієві планарні структури npn. Призначені для генерування та посилення сигналів. | 3.2 | КТЮ-3-9 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 2.8Вт | 100шт. | 100В | 75мА | 150МГц | 220 | |||||||||
|
Транзистор КТ608Б
#11956
|
24245 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистори КТ608Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 160 | |||||||||
|
Транзистор КТ604АМ
#11957
|
24246 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | КТ604АМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn. | 1 | TO126 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 3Вт | 200шт. | 250В | 200мА | 40МГц | 40 | |||||||||
|
Транзистор КТ639Д
#11958
|
24247 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, підсилювачах потужності, відеопідсилювачах, автомобільних електронних пристроях, імпульсних та перемикаючих пристроях, в кінцевих пристроях ЕОМ. | 1 | TO126 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 1Вт | 100шт. | 60В | 1.5А | 80МГц | 160 |