Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
23488 СНГ
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
Транзистори КП350В кремнієві дифузно-планарні польові з двома ізольованими затворами та каналом n-типу. Призначені для застосування в підсилювачах, генераторах та перетворювачах надвисокої частоти до 700 МГц. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 200мВт 100шт.
23525 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 25В 20мА 200мВт 100шт.
23526 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистори КП307Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 27В 25мА 250мВт 100шт.
23559 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502Б кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 25В 350мА 5МГц 240
23560 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502В кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 120
23561 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502Г кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 240
23562 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502Е кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 80В 350мА 5МГц 120
23565 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 120
23566 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 240
23567 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 60В 350мА 120
23568 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 60В 350мА 120
23569 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 25В 350мА 120
23572 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 45В 350мА 60
23573 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 250мВт 1000шт. 20В 200мА 1000
23575 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 30В 350мА 60
23576 ST MICROELECTRONICS
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
500+22,40 грн.
5.7 TO3P Біполярний DIP NPN 50Вт 30шт. 1.5кВ
23848 СНГ
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Транзистори КП303Д кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 25В 20мА 200мВт 100шт.
23849 СНГ
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Транзистори КП303В кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 25В 20мА 200мВт 100шт.
23914 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 140
24034 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Транзистори 2Т625АМ-2 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у імпульсних пристроях герметизованої апаратури. Безкорпусні із захисним покриттям та гнучкими висновками. 1.6 Біполярний SMD NPN 1Вт 100шт. 40В 200МГц 120
24036 СНГ
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
Кремнієві епітаксійно-планарні npn безкорпусні високочастотні транзистори. 1.6 Біполярний NPN 50шт. 180
24126 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистори П701 кремнієві сплавно-дифузійні структури npn низькочастотні підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах радіоелектронних пристроїв. 10 Біполярний DIP NPN 10Вт 20шт. 40В 500мА 20МГц 40
24129 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 220
24130 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 20В 200мА 200МГц 800
24131 СНГ
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
Транзистори П702 кремнієві мезапланарні структури підсилювальні npn. Призначені для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перемикаючих пристроях, перетворювачах та стабілізаторах постійної напруги. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 40Вт 20шт. 60В 4МГц 25
24243 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистори П308 кремнієві планарні npn перемикальні малочастотні малопотужні. Призначені для застосування у схемах перемикання та перетворювачів постійної напруги. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 250мВт 100шт. 120В 30мА 20МГц 90
24244 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
КТ602Б Транзистори кремнієві планарні структури npn. Призначені для генерування та посилення сигналів. 3.2 КТЮ-3-9 Біполярний DIP NPN 2.8Вт 100шт. 100В 75мА 150МГц 220
24245 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори КТ608Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 160
24246 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
КТ604АМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn. 1 TO126 Біполярний DIP NPN 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 40
24247 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, підсилювачах потужності, відеопідсилювачах, автомобільних електронних пристроях, імпульсних та перемикаючих пристроях, в кінцевих пристроях ЕОМ. 1 TO126 Біполярний DIP PNP 1Вт 100шт. 60В 1.5А 80МГц 160