Транзистори
Параметри фільтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму |
|---|
Транзистор 2П903В (=КП903В)
#11966
|
24255 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Транзистори 2П903В кремнієві епітаксійно-планарні польові з каналом n-типу і затвором у вигляді зміщеного назад pn переходу високочастотні універсальні. | 4.5 | КТ-4-2 | Польовий | Гвинт | МОП n-канальний | 20В | 700мА | 6Вт | 20шт. | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КП327А (=BF961)
#12172
|
24464 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КП327А кремнієвий планарний з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, та каналом n-типу | 0.3 | КТ-29 | Польовий | SMD | МОП n-канальний | 14В | 30мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор FIR150N06P
#12214
|
24591 | First | — |
22 грн.
|
|
— | 2.5 | TO220 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 60В | 150А | 220Вт | 50шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 2Т809А (=КТ809А)
#12230
|
24609 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора 2Т809А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 40 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 5,1 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 400 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iк і max – максимально допустимий імпульсний струм колектора: 5 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (400 В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 15...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 270 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,75 Ом. | 22 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 40Вт | 20шт. | 400В | 5А | — | 100 | |||||||||
Транзистор П210А
#12231
|
24610 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора П210А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкео проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та розімкнутого ланцюга бази: 65 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 8 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 15. | 34 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 60Вт | 10 шт. | 65В | 12А | — | 15 | |||||||||
Транзистор КТ816В
#12237
|
24616 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ816В кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. | 0.7 | TO126 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 25Вт | 200шт. | 60В | 3А | 3МГц | 25 | |||||||||
Транзистор КТ812В
#12261
|
24643 | СНГ | — |
50 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 200 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 16 | kt-9 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 50Вт | 20шт. | 200В | 8А | 3МГц | 10 | |||||||||
Транзистор КТ940Б
#12264
|
24646 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Кремнієвий епітаксійно-планарний біполярний структури npn підсилювальний. | 0.7 | TO126 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 10Вт | 200шт. | 250В | 100мА | 90МГц | 25 | |||||||||
Транзистор КТ817А
#12265
|
24647 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817А кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. | 0.7 | TO126 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 40В | 3А | 3МГц | 40 | |||||||||
Транзистор КТ817В
#12266
|
24648 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817В кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. | 0.7 | TO126 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 60В | 3А | 3МГц | 40 | |||||||||
Транзистор КП303Е Au
#12267
|
24649 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КТ3102А
#12269
|
24651 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 250 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 100 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,05 мкА (50В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 100...250; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 10 дБ на частоті 1 кГц • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 100 пс. | 0.34 | КТ-1 | — | DIP | NPN | — | — | 250мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 300МГц | 250 | |||||||||
Транзистор П27
#12270
|
24652 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори П27 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 1МГц | 100 | |||||||||
Транзистор П28
#12271
|
24653 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистори П28 – германієві, підсилювальні, малої потужності низькочастотні, з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1КГц, структури – pnp. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 5МГц | 200 | |||||||||
Транзистор МП37
#12272
|
24654 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистори МП37 германієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | |||||||||
Транзистор КТ601А Au
#12273
|
24655 | СНГ | — |
45 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ601А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,25 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 40 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 100 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 2 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 16; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 600 пс. | 2 | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 100В | 30мА | 40МГц | 25 | |||||||||
Транзистор КТ603Б Au
#12274
|
24656 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 30В | 300мА | 200МГц | 60 | |||||||||
| 24658 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ808А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7,2 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 120 (250 імп.); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюзі база-емітер: 3 мА (120В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 500 пФ. | 30 | КТЮ-3-20 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 50Вт | 10 шт. | 120В | 10А | — | 50 | ||||||||||
Транзистор П422
#12280
|
24662 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Германієві транзистори, дифузійно-сплавні, pnp, підсилювальні, малопотужні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1,6 МГц. Призначені для роботи в підсилювальних та генераторних каскадах каскадах ВЧ. | 1.5 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 50МГц | 100 | |||||||||
Транзистор КТ837Ф
#12332
|
24682 | INTEGRAL | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 100шт. | 40В | 7,5A | 1МГц | 150 | |||||||||
Транзистор ГТ328В Au
#12334
|
24684 | СНГ | — |
30 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора ГТ328В: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 50 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 300 МГц; • Uкеr проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В при 5кОм; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 0,25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА при 15 В; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 10...50 при 5В, 3мА; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 1,5 пФ при 5В; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 7 дБ на частоті 180 МГц; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 10 пс. | 0.5 | КТ-1 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 50мВт | 100шт. | 15В | 10мА | 300МГц | 50 | |||||||||
Транзистор КТ603Д Au
#12336
|
24686 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Транзистори КТ603Д кремнієві епітаксійно-планарні структури npn. Призначені для застосування в імпульсних і високочастотних пристроях. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 10В | 300мА | 200МГц | 80 | |||||||||
Транзистор КТ3102ВМ
#12368
|
24703 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 250мВт | 1000шт. | 30В | 200мА | — | 500 | ||||||||||
Транзистор КТ3102БМ
#12369
|
24704 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 250мВт | 1000шт. | 50В | 200мА | — | 500 | ||||||||||
Транзистор КТ209Л
#12370
|
24706 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | — | 60 | ||||||||||
Транзистор SD1274-1
#12408
|
24743 | ASI | — |
520 грн.
|
|
— | 10 | SOT120 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 70Вт | 10 шт. | 16В | 8А | 160МГц | 20 | ||||||||||
Транзистор FDS8896
#12579
|
24916 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
14 грн.
|
|
— | 0.4 | SO8 | Польовий | SMD | МОП n-канальний | 30В | 15А | 2.5Вт | 2000шт. | — | — | — | — | ||||||||||
| 24922 | MAGNACHIP SEMICONDUCTOR | — |
78 грн.
|
|
— | 6.5 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 375Вт | 30шт. | 650В | 40А | — | — | |||||||||||
Транзистор FGH40N60SMD
#12587
|
24924 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
70 грн.
|
|
— | 6.5 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 349Вт | 30шт. | 600В | 40А | — | — | ||||||||||
Транзистор FGH60N60SFD
#12588
|
24175 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
92 грн.
|
|
— | 7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 378Вт | 30шт. | 600В | 60А | — | — |
