Транзистори
Параметри фільтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму |
|---|
|
Транзистор FGH40N60SMD
#12587
|
24924 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
70 грн.
|
|
— | 6.5 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 349Вт | 30шт. | 600В | 40А | — | — | ||||||||||
|
Транзистор FGH60N60SFD
#12588
|
24175 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
92 грн.
|
|
— | 7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 378Вт | 30шт. | 600В | 60А | — | — | ||||||||||
|
Транзистор FGH60N60SMD
#12589
|
24174 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
95 грн.
|
|
— | 7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 600Вт | 30шт. | 600В | 60А | — | — | ||||||||||
| 24172 | INFINEON TECHNOLOGIES | — |
58 грн.
|
|
— | 7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 187Вт | 30шт. | 600В | 30А | — | — | |||||||||||
| 24171 | INFINEON TECHNOLOGIES | — |
64 грн.
|
|
— | 7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 306Вт | 30шт. | 600В | 40А | — | — | |||||||||||
| 24170 | INFINEON TECHNOLOGIES | — |
85 грн.
|
|
— | 7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 333Вт | 30шт. | 600В | 50А | — | — | |||||||||||
| 24161 | ON SEMICONDUCTOR | — |
235 грн.
|
|
— | 8 | TO264 | IGBT | DIP | — | — | — | 180Вт | 25шт. | 1кВ | 60А | — | — | |||||||||||
| 24160 | Silan Semiconductor | — |
63 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | IGBT | DIP | — | — | — | 290Вт | 30шт. | 600В | 40А | — | — | |||||||||||
| 24159 | TOSHIBA | — |
65 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | IGBT | DIP | — | — | — | 230Вт | 25шт. | 600В | 50А | — | — | |||||||||||
| 24158 | Silan Semiconductor | — |
76 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | IGBT | DIP | — | — | — | 321Вт | 30шт. | 600В | 60А | — | — | |||||||||||
| 24157 | FUJI | — |
39 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 500В | 23А | 315Вт | 25шт. | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор 2SK2370 (=K2370)
#12598
|
24156 | NEC | — |
46 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 500В | 20А | 140Вт | 30шт. | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор SVF3878PN (=3878)
#12599
|
24153 | Silan Semiconductor | — |
45 грн.
|
|
— | 5.7 | TO3P | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 900В | 9А | 150Вт | 30шт. | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор BSP17
#12627
|
24949 | PHILIPS | — |
12 грн.
|
|
— | 0.3 | SOT223 | Польовий | SMD | МОП n-канальний | 50В | 3.2А | 1.8Вт | 1000шт. | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор 2Т312В (=КТ312В)
#12642
|
24998 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т312В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 225мВт | 200шт. | 30В | 30мА | 120МГц | 250 | |||||||||
|
Транзистор 2Т312А (=КТ312А)
#12643
|
24999 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т312А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 225мВт | 200шт. | 30В | 30мА | 80МГц | 100 | |||||||||
|
Транзистор 2Т312Б (=КТ312Б)
#12644
|
25000 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т312Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 225мВт | 200шт. | 30В | 30мА | 120МГц | 100 | |||||||||
| 25001 | СНГ | — |
52 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т608А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 80 | ||||||||||
|
Транзистор 2Т313А (=КТ313А)
#12646
|
25002 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т313А кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. | 0.4 | КТ-1-7 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 300мВт | 100шт. | 50В | 350мА | 200МГц | 120 | |||||||||
|
Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)
#12648
|
25003 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Біполярний германієвий транзистор ГТ311Б, npn, малої потужності, надвисокої частоти. | 1.2 | — | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 12В | 50мА | 300МГц | 30 | |||||||||
|
Фототранзистор ФТ-1К гр.
#12650
|
25005 | СНГ | — |
11 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-1К гр. • Розмір фоточутливого елемента діаметр 1,8 мм; • Область спектральної фоточутливості: 0,5...1,12 мкм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,8...0,9 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 3 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,4 мкА/лк. | 0.3 | — | Фото | DIP | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
| 25130 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. | 10 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 3Вт | 40шт. | 40В | 1.5А | 30МГц | 120 | ||||||||||
|
Транзистор ГТ701А
#12774
|
25131 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ701А германієвий сплавний структури pnp універсальний. Призначений для застосування в системах запалювання двигунів внутрішнього згоряння, а також у перетворювачах напруги. | 22 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 50Вт | 20шт. | 100В | 12А | — | 75 | |||||||||
|
Транзистор 2Т908А (=КТ908А)
#12953
|
25224 | СНГ | — |
120 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т908А мезапланарні кремнієві структури npn перемикальні. Призначені для застосування у стабілізаторах та перетворювачах напруги, імпульсних модуляторах. Корпус металевий із скляними ізоляторами та жорсткими висновками. | 22 | КТЮ-3-20 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 50Вт | 10 шт. | 100В | 10А | 50МГц | 60 | |||||||||
|
Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)
#12954
|
25225 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистори 1Т305Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. | 0.4 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 75мВт | 100шт. | 15В | 6mA | 20МГц | 180 | |||||||||
|
Транзистор 2Т306А (=КТ306А)
#12958
|
25229 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т306А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 300МГц | 60 | |||||||||
|
Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)
#12959
|
25230 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т306Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 500МГц | 120 | |||||||||
|
Транзистор 2Т306В (=КТ306В)
#12960
|
25231 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т306В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 300МГц | 100 | |||||||||
|
Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)
#12961
|
25232 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т306Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. | 0.6 | КТЮ-3-1 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 30мА | 500МГц | 200 | |||||||||
| 25239 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
7 грн.
|
|
— | 2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 75Вт | 50шт. | 400В | 4А | — | — |