Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
24924 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
6.5 TO247 IGBT DIP 349Вт 30шт. 600В 40А
24175 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
92 грн.
10+87,40 грн.
50+82,80 грн.
100+73,60 грн.
7 TO247 IGBT DIP 378Вт 30шт. 600В 60А
24174 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
95 грн.
10+90,25 грн.
50+85,50 грн.
100+76 грн.
7 TO247 IGBT DIP 600Вт 30шт. 600В 60А
24172 INFINEON TECHNOLOGIES
58 грн.
10+55,10 грн.
50+52,20 грн.
100+46,40 грн.
7 TO247 IGBT DIP 187Вт 30шт. 600В 30А
24171 INFINEON TECHNOLOGIES
64 грн.
10+60,80 грн.
50+57,60 грн.
100+51,20 грн.
7 TO247 IGBT DIP 306Вт 30шт. 600В 40А
24170 INFINEON TECHNOLOGIES
85 грн.
10+80,75 грн.
50+76,50 грн.
100+68 грн.
7 TO247 IGBT DIP 333Вт 30шт. 600В 50А
24161 ON SEMICONDUCTOR
235 грн.
10+223,25 грн.
50+211,50 грн.
100+188 грн.
8 TO264 IGBT DIP 180Вт 25шт. 1кВ 60А
24160 Silan Semiconductor
63 грн.
10+59,85 грн.
50+56,70 грн.
100+50,40 грн.
5.7 TO3P IGBT DIP 290Вт 30шт. 600В 40А
24159 TOSHIBA
65 грн.
10+61,75 грн.
50+58,50 грн.
100+52 грн.
5.7 TO3P IGBT DIP 230Вт 25шт. 600В 50А
24158 Silan Semiconductor
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
5.7 TO3P IGBT DIP 321Вт 30шт. 600В 60А
24157 FUJI
39 грн.
10+37,05 грн.
50+35,10 грн.
100+31,20 грн.
5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 500В 23А 315Вт 25шт.
24156 NEC
46 грн.
10+43,70 грн.
50+41,40 грн.
100+36,80 грн.
5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 500В 20А 140Вт 30шт.
24153 Silan Semiconductor
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 900В 150Вт 30шт.
24949 PHILIPS
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
0.3 SOT223 Польовий SMD МОП n-канальний 50В 3.2А 1.8Вт 1000шт.
24998 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори 2Т312В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 250
24999 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори 2Т312А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 80МГц 100
25000 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Транзистори 2Т312Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 100
25001 СНГ
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
Транзистори 2Т608А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
25002 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори 2Т313А кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.4 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP 300мВт 100шт. 50В 350мА 200МГц 120
25003 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Біполярний германієвий транзистор ГТ311Б, npn, малої потужності, надвисокої частоти. 1.2 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 30
25005 СНГ
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-1К гр. • Розмір фоточутливого елемента діаметр 1,8 мм; • Область спектральної фоточутливості: 0,5...1,12 мкм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,8...0,9 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 3 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,4 мкА/лк. 0.3 Фото DIP 100шт.
25130 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. 10 Біполярний DIP PNP 3Вт 40шт. 40В 1.5А 30МГц 120
25131 СНГ
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Транзистор ГТ701А германієвий сплавний структури pnp універсальний. Призначений для застосування в системах запалювання двигунів внутрішнього згоряння, а також у перетворювачах напруги. 22 Біполярний DIP PNP 50Вт 20шт. 100В 12А 75
25224 СНГ
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
Транзистори 2Т908А мезапланарні кремнієві структури npn перемикальні. Призначені для застосування у стабілізаторах та перетворювачах напруги, імпульсних модуляторах. Корпус металевий із скляними ізоляторами та жорсткими висновками. 22 КТЮ-3-20 Біполярний DIP NPN 50Вт 10 шт. 100В 10А 50МГц 60
25225 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори 1Т305Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. 0.4 Біполярний DIP PNP 75мВт 100шт. 15В 6mA 20МГц 180
25229 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори 2Т306А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 30мА 300МГц 60
25230 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори 2Т306Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 30мА 500МГц 120
25231 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори 2Т306В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 30мА 300МГц 100
25232 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори 2Т306Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 30мА 500МГц 200
25239 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 75Вт 50шт. 400В