Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
Сортування: Назва Ціна Хіти продажів Оцінка покупців Дата додавання На складі
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор FGH60N60SMD
Транзистор FGH60N60SMD
#12589
 24174 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
95 грн.
10+90,25 грн.
50+85,50 грн.
100+76 грн.
 — 7 TO247 IGBT DIP — — — 600Вт 30шт. 600В 60А — —
Транзистор IKW30N60H3 (=K30H603)
Транзистор IKW30N60H3 (=K30H603)
#12590
 24172 INFINEON TECHNOLOGIES —
58 грн.
10+55,10 грн.
50+52,20 грн.
100+46,40 грн.
 — 7 TO247 IGBT DIP — — — 187Вт 30шт. 600В 30А — —
Транзистор IKW40N60H3 (=K40H603)
Транзистор IKW40N60H3 (=K40H603)
#12591
 24171 INFINEON TECHNOLOGIES —
64 грн.
10+60,80 грн.
50+57,60 грн.
100+51,20 грн.
 — 7 TO247 IGBT DIP — — — 306Вт 30шт. 600В 40А — —
Транзистор IKW50N60H3 (=K50H603)
Транзистор IKW50N60H3 (=K50H603)
#12592
 24170 INFINEON TECHNOLOGIES —
85 грн.
10+80,75 грн.
50+76,50 грн.
100+68 грн.
 — 7 TO247 IGBT DIP — — — 333Вт 30шт. 600В 50А — —
Транзистор FGL60N100BNTD (=G60N100BNTD)
Транзистор FGL60N100BNTD (=G60N100BNTD)
#12593
 24161 ON SEMICONDUCTOR —
235 грн.
10+223,25 грн.
50+211,50 грн.
100+188 грн.
 — 8 TO264 IGBT DIP — — — 180Вт 25шт. 1кВ 60А — —
Транзистор SGT40N60NPFDPN (=40N60NPFD)
Транзистор SGT40N60NPFDPN (=40N60NPFD)
#12594
 24160 Silan Semiconductor —
63 грн.
10+59,85 грн.
50+56,70 грн.
100+50,40 грн.
 — 5.7 TO3P IGBT DIP — — — 290Вт 30шт. 600В 40А — —
Транзистор GT50JR22 (=50JR22)
Транзистор GT50JR22 (=50JR22)
#12595
 24159 TOSHIBA —
65 грн.
10+61,75 грн.
50+58,50 грн.
100+52 грн.
 — 5.7 TO3P IGBT DIP — — — 230Вт 25шт. 600В 50А — —
Транзистор SGT60N60FD1PN (=60N60FD1)
Транзистор SGT60N60FD1PN (=60N60FD1)
#12596
 24158 Silan Semiconductor —
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
 — 5.7 TO3P IGBT DIP — — — 321Вт 30шт. 600В 60А — —
Транзистор FMH23N50E (=23N50E)
Транзистор FMH23N50E (=23N50E)
#12597
 24157 FUJI —
39 грн.
10+37,05 грн.
50+35,10 грн.
100+31,20 грн.
 — 5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 500В 23А 315Вт 25шт. — — — —
Транзистор 2SK2370 (=K2370)
Транзистор 2SK2370 (=K2370)
#12598
 24156 NEC —
46 грн.
10+43,70 грн.
50+41,40 грн.
100+36,80 грн.
 — 5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 500В 20А 140Вт 30шт. — — — —
Транзистор SVF3878PN (=3878)
Транзистор SVF3878PN (=3878)
#12599
 24153 Silan Semiconductor —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
 — 5.7 TO3P Польовий DIP МОП n-канальний 900В 9А 150Вт 30шт. — — — —
Транзистор BSP17
Транзистор BSP17
#12627
 24949 PHILIPS —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — 0.3 SOT223 Польовий SMD МОП n-канальний 50В 3.2А 1.8Вт 1000шт. — — — —
Транзистор 2Т312В (=КТ312В)
Транзистор 2Т312В (=КТ312В)
#12642
 24998 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзистори 2Т312В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 250
Транзистор 2Т312А (=КТ312А)
Транзистор 2Т312А (=КТ312А)
#12643
 24999 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори 2Т312А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 225мВт 200шт. 30В 30мА 80МГц 100
Транзистор 2Т312Б (=КТ312Б)
Транзистор 2Т312Б (=КТ312Б)
#12644
 25000 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Транзистори 2Т312Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 100
Транзистор 2Т608А (=КТ608А) Au
Транзистор 2Т608А (=КТ608А) Au
#12645
 25001 СНГ —
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
 — Транзистори 2Т608А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
Транзистор 2Т313А (=КТ313А)
Транзистор 2Т313А (=КТ313А)
#12646
 25002 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори 2Т313А кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.4 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 100шт. 50В 350мА 200МГц 120
Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)
Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)
#12648
 25003 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Біполярний германієвий транзистор ГТ311Б, npn, малої потужності, надвисокої частоти. 1.2 — Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 30
Фототранзистор ФТ-1К гр.
Фототранзистор ФТ-1К гр.
#12650
 25005 СНГ —
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
 — Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-1К гр. • Розмір фоточутливого елемента діаметр 1,8 мм; • Область спектральної фоточутливості: 0,5...1,12 мкм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,8...0,9 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 3 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,4 мкА/лк. 0.3 — Фото DIP — — — — 100шт. — — — —
Транзистор П605А із гнучкими виводами
Транзистор П605А із гнучкими виводами
#12773
 25130 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. 10 — Біполярний DIP PNP — — 3Вт 40шт. 40В 1.5А 30МГц 120
Транзистор ГТ701А
Транзистор ГТ701А
#12774
 25131 СНГ —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — Транзистор ГТ701А германієвий сплавний структури pnp універсальний. Призначений для застосування в системах запалювання двигунів внутрішнього згоряння, а також у перетворювачах напруги. 22 — Біполярний DIP PNP — — 50Вт 20шт. 100В 12А — 75
Транзистор 2Т908А (=КТ908А)
Транзистор 2Т908А (=КТ908А)
#12953
 25224 СНГ —
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
 — Транзистори 2Т908А мезапланарні кремнієві структури npn перемикальні. Призначені для застосування у стабілізаторах та перетворювачах напруги, імпульсних модуляторах. Корпус металевий із скляними ізоляторами та жорсткими висновками. 22 КТЮ-3-20 Біполярний DIP NPN — — 50Вт 10 шт. 100В 10А 50МГц 60
Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)
Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)
#12954
 25225 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзистори 1Т305Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. 0.4 — Біполярний DIP PNP — — 75мВт 100шт. 15В 6mA 20МГц 180
Транзистор 2Т306А (=КТ306А)
Транзистор 2Т306А (=КТ306А)
#12958
 25229 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистори 2Т306А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 300МГц 60
Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)
Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)
#12959
 25230 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори 2Т306Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 500МГц 120
Транзистор 2Т306В (=КТ306В)
Транзистор 2Т306В (=КТ306В)
#12960
 25231 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори 2Т306В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 300МГц 100
Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)
Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)
#12961
 25232 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзистори 2Т306Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 500МГц 200
Транзистор MJE13005-2 (=E13005-2)
Транзистор MJE13005-2 (=E13005-2)
#12967
 25239 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
 — 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 75Вт 50шт. 400В 4А — —
Транзистор KSE13009L (=E13009L)
Транзистор KSE13009L (=E13009L)
#13341
 25464 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
500+16,80 грн.
 — 7 TO3 Біполярний DIP NPN — — 130Вт 30шт. 400В 12А 4МГц 30
Транзистор КТ603Б
Транзистор КТ603Б
#13540
 25671 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. 1.5 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 100шт. 30В 300мА 200МГц 60