Транзистори
Параметри фільтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму |
|---|
Транзистор ГТ321А
#13541
|
25672 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистори ГТ321А германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 60 | |||||||||
Транзистор ГТ322Б
#13544
|
25675 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистори ГТ322Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. Призначені для застосування в підсилювачах проміжної та високої частот. | 0.5 | КТ-1-7 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 50мВт | 100шт. | 6В | 10мА | 80МГц | 120 | |||||||||
Транзистор ГТ322В
#13545
|
25676 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистори ГТ322В германієві дифузійно-сплавні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. Призначені для застосування в підсилювачах проміжної та високої частот. | 0.5 | КТ-1-7 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 50мВт | 100шт. | 10В | 10мА | 50МГц | 200 | |||||||||
| 25677 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. | 0.5 | КТ-1-7 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 50мА | 600МГц | 100 | ||||||||||
Транзистор МП36А
#13547
|
25679 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор германієвий сплавний npn низькочастотний підсилювач з ненормованим і нормованим на частоті 1 кГц коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 45 | |||||||||
Транзистор МП40
#13548
|
25681 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори МП40 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. | 1.8 | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 30В | 30мА | 1МГц | 40 | |||||||||
Транзистор МП20
#13549
|
25682 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор МП20 германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 30В | 50мА | 2МГц | 150 | |||||||||
Транзистор ГТ402Д
#13679
|
25838 | СНГ | — |
42 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ402Д германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. | 3.5 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 600мВт | 50шт. | 25В | 500мА | 1МГц | 80 | |||||||||
Транзистор ГТ402І
#13680
|
25839 | СНГ | — |
45 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ402І германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. | 3.5 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 600мВт | 50шт. | 40В | 500мА | 1МГц | 150 | |||||||||
Транзистор МП10Б
#13699
|
25859 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистор МП10 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора МП10Б: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 50 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 25...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 5000 пс; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 30В | 20мА | 1МГц | 50 | |||||||||
Транзистор МП42
#13701
|
25862 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 20 ... 35 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.2 | 1.6 | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 15В | 200мА | 1МГц | 35 | |||||||||
Транзистор КТ848А
#13752
|
25920 | СНГ | — |
90 грн.
|
|
— | Транзистори КТ848А кремнієві мезапланарні структури підсилювальні npn. Призначені для застосування у електронних схемах запалювання автомобільної радіоелектронної апаратури. Основні технічні характеристики транзистора КТ848А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 35 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 15 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (400В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. | 15 | TO3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 35Вт | 40шт. | 400В | 15А | 3МГц | 20 | |||||||||
Транзистор 2Т803А (=КТ803А)
#13841
|
26847 | СНГ | — |
200 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т803А кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах постійного струму, генераторах малої розгортки, джерел вторинного електроживлення. | 19 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 60Вт | 20шт. | 60В | 10А | 20МГц | 50 | |||||||||
Транзистор 1Т806А (=ГТ806А)
#13842
|
26019 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | 1Т806А Транзистори германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Транзистори 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В призначені для застосування в імпульсних пристроях, перетворювачах та стабілізаторах струму та напруги. Основні технічні характеристики транзистора 1Т806А: • Структура: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 10 МГц; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 2 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • h21е - Коефіцієнт зворотний зв'язок з напрузі транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером і загальною базою відповідно: 10...100; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,04 Ом. | 22 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 20шт. | 40В | 20А | 10МГц | 100 | |||||||||
Транзистор 2Т808А (=КТ808А)
#13843
|
26020 | СНГ | — |
150 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора 2Т808А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7,2 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 120 (250 імп.); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюзі база-емітер: 3 мА (120В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 500 пФ. | 30 | КТЮ-3-20 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 50Вт | 10 шт. | 120В | 10А | — | 50 | |||||||||
Транзистор КТ805БМ
#13925
|
26104 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. | 2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 30Вт | 100шт. | 60В | 5А | 20МГц | 15 | |||||||||
| 26106 | TUNGSRAM | — |
200 грн.
|
|
— | 19 | — | — | DIP | — | — | — | 8Вт | 2 шт. | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КП302БМ Au
#13932
|
26111 | СНГ | — |
24 грн.
|
|
— | Транзистор КП302БМ кремнієвий планарний польовий із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. Призначений для застосування в широкосмугових підсилювачах в діапазоні частот до 150 МГц, а також у пристроях, що перемикають і комутують. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП р-канальний | 20В | 40мА | 300мВт | 100шт. | — | — | 150МГц | — | |||||||||
Транзистор КТ837К
#13948
|
26127 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори КТ837К кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ837К: • Структура транзистора: pnp; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 1 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 50...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. | 2 | TO220 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | — | 200шт. | 40В | 7,5A | 1МГц | 150 | |||||||||
| 26304 | Silan Semiconductor | — |
76 грн.
|
|
— | 5.7 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 321Вт | 30шт. | 600В | 60А | — | — | |||||||||||
Транзистор П27А
#14256
|
26455 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори П27 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 1МГц | 60 | |||||||||
Транзистор КТ349Б
#14260
|
26459 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ349Б: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В (10кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 40...160; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 30 Ом. | 0.5 | КТ-1-7 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 15В | 40мА | 300МГц | 160 | |||||||||
Транзистор КТ603Г
#14261
|
26460 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ603Г: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. | 1.5 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 15В | 300мА | 200МГц | 60 | |||||||||
Транзистор П215
#14266
|
26465 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзистори П215 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Основні технічні характеристики транзистора П215: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 80 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 9.2 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 10Вт | 40шт. | 70В | 5А | 0,15МГц | 150 | |||||||||
Транзистор КТ819Б
#14409
|
26617 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 60Вт | 100шт. | 50В | 10А | 3МГц | 20 | |||||||||
Транзистор КТ605АМ
#14412
|
26620 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Транзистор кремнієві мезапланарні структури npn. Призначений для застосування в підсилювачах, імпульсних та перемикаючих високочастотних пристроях. | 0.7 | TO126 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 400мВт | 200шт. | 250В | 100мА | 40МГц | 40 | |||||||||
Транзистор КТ855А
#14413
|
26621 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Транзистори КТ855А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні. Призначені для застосування у перетворювачах, лінійних стабілізаторах напруги. | 2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 40Вт | 100шт. | 200В | 5А | 5МГц | 20 | |||||||||
Транзистор КТ829А
#14414
|
26622 | СНГ | — |
18 грн.
|
|
— | Транзистори КТ829А кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, що перемикають пристрої. | 2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 60Вт | 200шт. | 100В | 8А | 4МГц | 750 | |||||||||
Транзистор КТ865А
#14416
|
26625 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | Транзистор КТ865А кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp імпульсний. Призначений для застосування в джерелах вторинного електроживлення, перетворювачах, каскадах кінцевих підсилювачів звукової частоти, стабілізаторах напруги. | 16 | TO3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 100Вт | 20шт. | 200В | 10А | 15МГц | 200 | |||||||||
Транзистор КТ854А
#14417
|
26626 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистори КТ854А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у перетворювачах, лінійних стабілізаторах. | 2.5 | TO220 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 60Вт | 100шт. | 500В | 10А | — | 20 |
