Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
24 грн.
Корпус: TO-220FP Uds,V: 900 Idd,A: 5,8 Rds(on), Ohm: 1.56 Ciss, pF/Qg, nC: 1350/17
20920 ST MICROELECTRONICS
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
2.8 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 75В 80А 300Вт 50шт.
18 грн.
Корпус: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 14 Rds(on), Ohm: 0.006 Ciss, pF/Qg, nC: 1500/12
21,40 грн.
Корпус: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 30 Rds(on), Ohm: 0.0016 Ciss, pF/Qg, nC: 3700/29
47,40 грн.
Корпус: TO-247 Uds,V: 800 Idd,A: 9 Rds(on), Ohm: 0,9
ST MICROELECTRONICS
54,60 грн.
10+51,87 грн.
50+49,14 грн.
100+43,68 грн.
скачати datasheet STW12NK90Z pdf,491 КБ 7.5 TO247 Польовий DIP МОП n-канальний 900В 11А 230Вт 30шт.
47,40 грн.
Корпус: TO-247 Uds,V: 800 Idd,A: 12 Rds(on), Ohm: 0.65 Ciss, pF/Qg, nC: 3480/115
ST MICROELECTRONICS
37 грн.
10+35,15 грн.
50+33,30 грн.
100+29,60 грн.
скачати datasheet STW14NK50Z pdf,633 КБ 7.5 TO247 Польовий DIP МОП n-канальний 500В 14А 150Вт 30шт.
96 грн.
Корпус: TO-247 Uds,V: 900 Idd,A: 15 Rds(on), Ohm: 0.4 Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190
INFINEON TECHNOLOGIES
16 грн.
скачати datasheet 50N03 pdf,271 КБ 0.7 TO252 Польовий SMD МОП n-канальний 30В 50А 136Вт 75шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
20,80 грн.
10+19,76 грн.
50+18,72 грн.
100+16,64 грн.
завантажити datasheet VN2406L-G pdf,559 КБ 0.25 TO92 Польовий DIP МОП n-канальний 240В 1.7А 1Вт 1000шт.
29,60 грн.
Корпус: SOT23-6 Uds,V: 250 V, N-channel enhancement mode MOSFET Rds(on), Ohm: 0,23
СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура P-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, 10 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 10 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт 0.007 Крутизна характеристики S, мА/В 0.4…2.4 Корпус КТ-17 0.7 Польовий DIP 125мВт 200шт.
23590 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 450
22330 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистори ГТ905А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування у перемикаючих та імпульсних підсилювальних пристроях, у вихідних каскадах підсилювачів потужності низької частоти. 5 Біполярний DIP PNP 6Вт 50шт. 65В 30МГц 100
23553 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 150мВт 800 шт. 20В 100мА 250МГц 350
23029 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор П416Б германієвий сплавний pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах в діапазоні від довгих до коротких та ультракоротких хвиль, а також імпульсних каскадах радіоелектронних пристроїв. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 12В 25мА 80МГц 200
25861 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 45…100 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 100
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
77,79 г.
23011 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП15А германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100
24617 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП41 сплавний германієвий pnp підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 60
26623 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Транзистори КТ808АМ кремнієві мезапланарні структури npn високовольтні, перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, генераторах малої розгортки, електронних регуляторах напруги. 13 TO3 Біполярний DIP NPN 70Вт 20шт. 130В 10А 8МГц 125
23004 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор КП327Б кремнієвий планарний з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, та каналом n-типу 0.3 КТ-29 Польовий SMD МОП n-канальний 14В 30мА 200мВт 100шт.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
89,90 г.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
87 г.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
89,83 г.
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
Структура: N-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, В: 20 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 6.5 Опір каналу у відкритому стані Rси вкл.,мОм: - Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт: - Крутизна характеристики S, мА/В: 90
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
89 г.
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
91 г.
25678 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 15...30 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 30