Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
— — —
96 грн.
— Корпус: TO-247 Uds,V: 900 Idd,A: 15 Rds(on), Ohm: 0.4 Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190 — — — — — — — — — — — — —
— INFINEON TECHNOLOGIES —
16 грн.
— скачати datasheet 50N03 pdf,271 КБ 0.7 TO252 Польовий SMD МОП n-канальний 30В 50А 136Вт 75шт. — — — —
— MICROCHIP TECHNOLOGY —
20,80 грн.
10+19,76 грн.
50+18,72 грн.
100+16,64 грн.
— завантажити datasheet VN2406L-G pdf,559 КБ 0.25 TO92 Польовий DIP МОП n-канальний 240В 1.7А 1Вт 1000шт. — — — —
— — —
29,60 грн.
— Корпус: SOT23-6 Uds,V: 250 V, N-channel enhancement mode MOSFET Rds(on), Ohm: 0,23 — — — — — — — — — — — — —
— СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Структура P-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, 10 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 10 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт 0.007 Крутизна характеристики S, мА/В 0.4…2.4 Корпус КТ-17 0.7 — Польовий DIP — — — 125мВт 200шт. — — — —
23590 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 450
22330 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
— Транзистори ГТ905А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування у перемикаючих та імпульсних підсилювальних пристроях, у вихідних каскадах підсилювачів потужності низької частоти. 5 — Біполярний DIP PNP — — 6Вт 50шт. 65В 7А 30МГц 100
23553 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 800 шт. 20В 100мА 250МГц 350
23029 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— Транзистор П416Б германієвий сплавний pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах в діапазоні від довгих до коротких та ультракоротких хвиль, а також імпульсних каскадах радіоелектронних пристроїв. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 12В 25мА 80МГц 200
25861 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
— Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 45…100 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 100
— — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
— 77,79 г. — — — — — — — — — — — — —
23011 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор МП15А германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100
24617 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор МП41 сплавний германієвий pnp підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 60
26623 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
— Транзистори КТ808АМ кремнієві мезапланарні структури npn високовольтні, перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, генераторах малої розгортки, електронних регуляторах напруги. 13 TO3 Біполярний DIP NPN — — 70Вт 20шт. 130В 10А 8МГц 125
23004 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— Транзистор КП327Б кремнієвий планарний з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, та каналом n-типу 0.3 КТ-29 Польовий SMD МОП n-канальний 14В 30мА 200мВт 100шт. — — — —
— — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
— 89,90 г. — — — — — — — — — — — — —
— — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
— 87 г. — — — — — — — — — — — — —
— — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
— 89,83 г. — — — — — — — — — — — — —
— — —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
— Структура: N-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, В: 20 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 6.5 Опір каналу у відкритому стані Rси вкл.,мОм: - Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт: - Крутизна характеристики S, мА/В: 90 — — — — — — — — — — — — —
— — —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
— 89 г. — — — — — — — — — — — — —
— — —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
— 91 г. — — — — — — — — — — — — —
25678 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Структура NPN Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 15...30 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 30
25662 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Структура NPN Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.15 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 15...30 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 50
23002 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор МП20А германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 20В 50мА 2МГц 150
20303 Anachip Corporation —
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
— 0.3 SO8 Польовий SMD МОП n+p-канал 30В 8.5А 2.1Вт 95шт. — — — —
20093 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— 0.5 SO8 Польовий SMD МОП n+p-канал 30В 6А 2Вт 95шт. — — — —
20095 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— 0.4 SO8 Польовий SMD МОП n+p-канал 40В 6А 2Вт 1000шт. — — — —
20119 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR —
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
— завантажити datasheet AO4805 pdf,211 КБ 0.5 SO8 Польовий SMD МОП n+p-канал 30В 8А 2Вт 95шт. — — — —
20088 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR —
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
— завантажити datasheet AOP605 pdf,198 КБ 0.7 DIP8 Польовий DIP МОП n+p-канал 30В 7.5А 2.5Вт 100шт. — — — —
20745 ADVANCED POWER ELECTRONICS —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
— 0.5 TO252-4 Польовий SMD МОП n+p-канал 35В 15А 10Вт 1000шт. — — — —