Радиокомпоненты активные

Результатов: 8090

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Конструкция диода
21910 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Шесть инверторов с открытым коллектором. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — —
21970 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Синхронный четырехразрядный реверсивный счетчик. 1 DIP16 — — DIP — — — — Логика — — — — — 90шт. — — — — — — —
22030 СНГ 2 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Быстродействующий компаратор напряжения. 1 DIP14 — — DIP — — — — Усилители — — — — — 100шт. — — — — — — —
22214 СНГ 2 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Микросхема КР1021ХА3 представляет многофункциональную схему для обработки телевизионных сигналов в системах кодирования SECAM/PAL (процессор). Преобразует сигналы системы SECAM (сигналы с черезстрочной передачей цветов красный, синий с частотной модуляцией) в сигналы системы PAL (сигналы с квадратурной модуляцией с переменой фазы через строку). 4 DIP24 — — DIP — — — — TV — — — — — 36шт. — — — — — — —
22508 ST MICROELECTRONICS 2 шт
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
5.3 HZIP11 — — DIP — — — — Усилители — — — — — 20шт. — — — — — — —
22803 СНГ 2 шт
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
2.5 — TO220 Полевой DIP — — — — — — МОП n-канальный 800В 7А 50Вт 100шт. — — — — — — —
23017 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Д германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 — КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 150мВт 100шт. 60В 100мА 0,7МГц 200 — — —
23441 СНГ 2 шт
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
Микросхемы полупроводниковые оптоэлектронные 249КН1А, состоящие из оптопар и управляемых ими транзисторных прерывателей. 1.3 — — — DIP — — — — Ключи — — — — — 20шт. — — — — — — —
23740 ST MICROELECTRONICS 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.4 SOT223 — — SMD — — — — Питание — — — — — 1000шт. — — — — — — —
23874 СНГ 2 шт
320 грн.
10+288 грн.
20+272 грн.
50+256 грн.
Высоковольтный импульсный кенотрон. ВИ1-15/32 предназначен для работы в импульсных схемах в качестве зарядного элемента. Охлаждение анода естественное. Катод оксидный, косвенного накала. Оформление стеклянное. 180 — — — Зажим — — — — — — — — — — 1шт. — — — — — — —
24026 СНГ 2 шт
280 грн.
10+266 грн.
50+252 грн.
100+224 грн.
Микросборка предназначена для коррекции искажений, вносимых кабелем в тракт передачи систем связи с импульсно-кодовой модуляцией. 16 — — — DIP — — — — Телефония — — — — — 8шт. — — — — — — —
24042 СНГ 2 шт
47 грн.
10+44,65 грн.
50+42,30 грн.
100+37,60 грн.
Логический элемент НЕ. 2.1 DIP14 — — DIP — — — — Логика — — — — — 20шт. — — — — — — —
25674 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзисторы 1Т321В германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. 1.8 — КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200 — — —
25856 СНГ 2 шт
9 грн.
Тиристоры кремниевые КУ101Б, диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Основные технические параметры тиристора КУ101Б: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 50 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 1 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,075 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Постоянный обратный ток: не более 0,15 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 12 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 1,5...8 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 100 В/мкс; • Время включения: 2 мкс; • Время выключения: 35 мкс. 1.8 — — — DIP — 50V — 1A — — — — — — 100шт. — — — — — — —
25875 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзисторы ГТ321В германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. 1.8 — КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200 — — —
25921 INTEGRAL 2 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ352А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 25... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом. 0.3 — TO92 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 300мВт 500шт. 15В 200мА 200МГц 120 — — —
25961 СНГ 2 шт
30 грн.
50+27 грн.
200+24 грн.
500+21 грн.
Диоды Д248Б кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. Основные технические характеристики диода Д248Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 600 В. 12 — — — Винт — 600V 5A — — Выпрямительный — — — — 25шт. — — — — — — одиночный
26450 СНГ 2 шт
25 грн.
50+22,50 грн.
200+20 грн.
500+17,50 грн.
Диод КД206А кремниевый, меза-диффузионный, лавинный, выпрямительный. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 20 кГц. Основные технические характеристики диода КД206А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 700 мкА при Uoбp 400 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 10 мкс. 5.7 — — — Винт КД-11 400V 10A — — Выпрямительный — — — — 100шт. — — — — — — одиночный
26518 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Микросхема К176ИР4 представляет собой 64-разрядный последовательный регистр сдвига. 1.2 DIP16 — — DIP — — — — Логика — — — — — 100шт. — — — — — — —
26573 СНГ 2 шт
40 грн.
Сборка двух однофазных диодных мостов. Предназначена для выпрямления переменного тока частотой до 5 кГц. 11 — — — DIP — 500V 1A — — Диодный мост — — — — 100шт. — — — — — — —
26574 СНГ 2 шт
30 грн.
Сборка двух однофазных диодных мостов. Предназначена для выпрямления переменного тока частотой до 5 кГц. 11 — — — DIP — 400V 1A — — Диодный мост — — — — 100шт. — — — — — — —
26652 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
ПЗУ (512 х 8, р-МОП). 1.3 SO24 — — SMD — — — — Память — — — — — 140шт. — — — — — — —
26835 СНГ 2 шт
25 грн.
10+22,50 грн.
50+20 грн.
ОД301А оптопара диодная дифференциальная предназначена для работы в качестве элементов гальванической развязки при передаче аналоговых сигналов частотой до 100 кГц. Входное напряжение при силе входного тока 10 мА - не более 1,5 В. Коэффициент передачи по току при силе входного тока 10 мА, выходном обратном напряжении 5 В: - для основной оптопары - не менее 1%; - для вспомогательной оптопары - не менее 0,5%. Коэффициент неидентичности оптопары при силе входного тока от 4 мА до 20 мА, выходном обратном напряжении 5 В - не более 2%. Граничная частота при пороге снижения Ki до уровня 0,7 - не менее 100 кГц. Сопротивление изоляции ОД301А при измеряемом напряжении 500 В - не менее 1 ГОм. Проходная емкость - не более 2 пФ. Входной постоянный или средний ток при температуре окружающей среды: - не более +70° С - 20 мА; - +85° С - 10 мА. Входной импульсный ток ОД301А при длительности импульса 100 мкс - 100 мА. Входное обратное напряжение - 3,5 В. Выходное постоянное обратное напряжение основной и вспомогательной оптопар ОД301А - 10 В. Выходное импульсное обратное напряжение при длительности импульса 100 мкс основной и вспомогательной оптопар - 20 В. Напряжение изоляции основной оптопары ОД301А - 500 В. Пиковое напряжение изоляции оптопары при длительности импульса 10 мс - 1000 В. Температура окружающего воздуха - от -60° С до +85° С. 1.1 — — — DIP — — — — — — — — — — 50шт. — — — — — — —
28435 СНГ 2 шт
30 грн.
50+27 грн.
200+24 грн.
500+21 грн.
Основные технические характеристики диода Д242: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,25 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 100 В. 13 — — — Винт КДЮ-11 100V 10A — — Выпрямительный — — — — 50шт. — — — — — — одиночный
28726 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы КТ321Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 — КТЮ-3-6 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 60 — — —
28727 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы КТ321Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 — КТЮ-3-6 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 120 — — —
28728 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы КТ321Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 — КТЮ-3-6 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 200 — — —
28775 СНГ 2 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
Основные технические параметры стабилитрона Д818Б: - Номинальное напряжение стабилизации: 9 В при Iст 10 мА; - Разброс напряжения стабилизации: 7,2-9 В; - Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,020-0 %/°С; - Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 0,13 %; - Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; - Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; - Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; - Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; - Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60-+125 °С 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 200шт. — — — — 9V kd-8 —
28781 СНГ 2 шт
12 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
250+9 грн.
Основные технические параметры стабилитрона 2С518А: • Номинальное напряжение стабилизации: 18 В при Iст 5 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 16,2... 19,8 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,1 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 200 Ом при Iст 1 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 45 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 1Вт 100шт. — — — — 18V kd-8 —
29359 СНГ 2 шт
240 грн.
10+228 грн.
50+216 грн.
100+192 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750...18000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом. 16 — TO3 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 125Вт 10шт. 90В 40А — 18000 — — —