Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
Микросхема TDA2009A
#10479
|
22508 | ST MICROELECTRONICS | 2 шт |
36 грн.
|
|
5.3 | HZIP11 | — | — | DIP | — | — | — | Усилители | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КП707В2 (=BUZ90)
#10738
|
22803 | СНГ | 2 шт |
52 грн.
|
|
2.5 | — | TO220 | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 800В | 7А | 50Вт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор МП21Д
#10821
|
23017 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор МП21Д германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 60В | 100мА | 0,7МГц | 200 | — | — | — | ||||||||
Микросхема 249КН1А
#11335
|
23441 | СНГ | 2 шт |
120 грн.
|
|
Микросхемы полупроводниковые оптоэлектронные 249КН1А, состоящие из оптопар и управляемых ими транзисторных прерывателей. | 1.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | Ключи | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ209К
#11443
|
23571 | СНГ | 2 шт |
4 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 45В | 350мА | — | 160 | — | — | — | |||||||||
Кенотрон ВИ1-15/32
#11644
|
23874 | СНГ | 2 шт |
320 грн.
|
|
Высоковольтный импульсный кенотрон. ВИ1-15/32 предназначен для работы в импульсных схемах в качестве зарядного элемента. Охлаждение анода естественное. Катод оксидный, косвенного накала. Оформление стеклянное. | 180 | — | — | — | Зажим | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 24026 | СНГ | 2 шт |
280 грн.
|
|
Микросборка предназначена для коррекции искажений, вносимых кабелем в тракт передачи систем связи с импульсно-кодовой модуляцией. | 16 | — | — | — | DIP | — | — | — | Телефония | — | — | — | — | — | 8шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема 218ЛН1
#11812
|
24042 | СНГ | 2 шт |
47 грн.
|
|
Логический элемент НЕ. | 2.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор 1Т321В (=ГТ321В)
#13543
|
25674 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Транзисторы 1Т321В германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 200 | — | — | — | ||||||||
Микросхема TNY278GN
#13665
|
25832 | Power Integrations | 2 шт |
26 грн.
|
|
0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор ГТ321В
#13711
|
25875 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Транзисторы ГТ321В германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 200 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ352А
#13753
|
25921 | INTEGRAL | 2 шт |
5 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ352А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 25... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом. | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 300мВт | 500шт. | 15В | 200мА | 200МГц | 120 | — | — | — | ||||||||
Диод Д248Б
#13782
|
25961 | СНГ | 2 шт |
30 грн.
|
|
Диоды Д248Б кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. Основные технические характеристики диода Д248Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 600 В. | 12 | — | — | — | Винт | — | 600V | 5A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Диод КД206А
#14251
|
26450 | СНГ | 2 шт |
25 грн.
|
|
Диод КД206А кремниевый, меза-диффузионный, лавинный, выпрямительный. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 20 кГц. Основные технические характеристики диода КД206А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 700 мкА при Uoбp 400 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 10 мкс. | 5.7 | — | — | — | Винт | КД-11 | 400V | 10A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Микросхема К176ИР4
#14315
|
26518 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Микросхема К176ИР4 представляет собой 64-разрядный последовательный регистр сдвига. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К561ПУ4А
#14319
|
26522 | СНГ | 2 шт |
5 грн.
|
|
Шесть преобразователей уровня. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Диодный мост КЦ403Б
#14361
|
26573 | СНГ | 2 шт |
40 грн.
|
Сборка двух однофазных диодных мостов. Предназначена для выпрямления переменного тока частотой до 5 кГц. | 11 | — | — | — | DIP | — | 500V | 1A | — | Диодный мост | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Диодный мост КЦ403В
#14362
|
26574 | СНГ | 2 шт |
30 грн.
|
Сборка двух однофазных диодных мостов. Предназначена для выпрямления переменного тока частотой до 5 кГц. | 11 | — | — | — | DIP | — | 400V | 1A | — | Диодный мост | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КР505РЕ3 0085
#14440
|
26652 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
ПЗУ (512 х 8, р-МОП). | 1.3 | SO24 | — | — | SMD | — | — | — | Память | — | — | — | — | — | 140шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Оптопара диодная ОД301А
#14619
|
26835 | СНГ | 2 шт |
25 грн.
|
|
ОД301А оптопара диодная дифференциальная предназначена для работы в качестве элементов гальванической развязки при передаче аналоговых сигналов частотой до 100 кГц. Входное напряжение при силе входного тока 10 мА - не более 1,5 В. Коэффициент передачи по току при силе входного тока 10 мА, выходном обратном напряжении 5 В: - для основной оптопары - не менее 1%; - для вспомогательной оптопары - не менее 0,5%. Коэффициент неидентичности оптопары при силе входного тока от 4 мА до 20 мА, выходном обратном напряжении 5 В - не более 2%. Граничная частота при пороге снижения Ki до уровня 0,7 - не менее 100 кГц. Сопротивление изоляции ОД301А при измеряемом напряжении 500 В - не менее 1 ГОм. Проходная емкость - не более 2 пФ. Входной постоянный или средний ток при температуре окружающей среды: - не более +70° С - 20 мА; - +85° С - 10 мА. Входной импульсный ток ОД301А при длительности импульса 100 мкс - 100 мА. Входное обратное напряжение - 3,5 В. Выходное постоянное обратное напряжение основной и вспомогательной оптопар ОД301А - 10 В. Выходное импульсное обратное напряжение при длительности импульса 100 мкс основной и вспомогательной оптопар - 20 В. Напряжение изоляции основной оптопары ОД301А - 500 В. Пиковое напряжение изоляции оптопары при длительности импульса 10 мс - 1000 В. Температура окружающего воздуха - от -60° С до +85° С. | 1.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ321Г
#16477
|
28726 | СНГ | 2 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы КТ321Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 40В | 200мА | 60МГц | 60 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ321Д
#16478
|
28727 | СНГ | 2 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы КТ321Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 40В | 200мА | 60МГц | 120 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ321Е
#16479
|
28728 | СНГ | 2 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы КТ321Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 40В | 200мА | 60МГц | 200 | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон Д818Б
#16527
|
28775 | СНГ | 2 шт |
4 грн.
|
|
Основные технические параметры стабилитрона Д818Б: - Номинальное напряжение стабилизации: 9 В при Iст 10 мА; - Разброс напряжения стабилизации: 7,2-9 В; - Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,020-0 %/°С; - Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 0,13 %; - Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; - Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; - Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; - Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; - Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60-+125 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 200шт. | — | — | — | — | 9V | kd-8 | — | ||||||||
Стабилитрон 2С518А
#16533
|
28781 | СНГ | 2 шт |
12 грн.
|
|
Основные технические параметры стабилитрона 2С518А: • Номинальное напряжение стабилизации: 18 В при Iст 5 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 16,2... 19,8 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,1 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 200 Ом при Iст 1 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 45 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | 18V | kd-8 | — | ||||||||
Транзистор КТ825Г
#17110
|
29359 | СНГ | 2 шт |
240 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750...18000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом. | 16 | — | TO3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 125Вт | 10шт. | 90В | 40А | — | 18000 | — | — | — | ||||||||
Микросхема К561ЛП13
#722
|
22133 | СНГ | 1 шт |
5 грн.
|
|
Три трехвходовых мажоритарных логических элемента. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К174УР11
#786
|
21965 | СНГ | 1 шт |
10 грн.
|
|
Усилитель промежуточной частоты звука с предварительным УНЧ и регулировками громкости и тембра. | 1.5 | DIP18 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КР198НТ5Б
#879
|
21427 | СНГ | 1 шт |
10 грн.
|
|
Матрица p-n-p транзисторов. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Транзисторная сборка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К176ЛА7
#921
|
21875 | СНГ | 1 шт |
6 грн.
|
|
4 логических элемента 2И-HE. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — |
