Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
Сортировать: Название Цена Хиты продаж Оценка покупателей Дата добавления На складе
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор КТ352А
Транзистор КТ352А
#13753
 25921 INTEGRAL 2 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ352А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 25... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом. 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 500шт. 15В 200мА 200МГц 120
Транзистор КТ321Г
Транзистор КТ321Г
#16477
 28726 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы КТ321Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 60
Транзистор КТ321Д
Транзистор КТ321Д
#16478
 28727 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы КТ321Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 120
Транзистор КТ321Е
Транзистор КТ321Е
#16479
 28728 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы КТ321Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 200
Транзистор КТ825Г
Транзистор КТ825Г
#17110
 29359 СНГ 2 шт
240 грн.
10+228 грн.
50+216 грн.
100+192 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750...18000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом. 16 TO3 Биполярный DIP PNP — — 125Вт 10шт. 90В 40А — 18000
Транзистор ZXTN25012EFH (1C3)
Транзистор ZXTN25012EFH (1C3)
#2337
 22881 DIODES INCORPORATED 1 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
500+4,20 грн.
0.2 SOT23 Биполярный SMD NPN — — 1Вт 3000шт. 12В 6А — 800
Транзистор 2SC6144
Транзистор 2SC6144
#8461
 20489 ON SEMICONDUCTOR 1 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
500+28 грн.
2.8 TO220F Биполярный DIP NPN — — 25Вт 50шт. 50В 10А — 560
Транзистор 2SA733 (A733)
Транзистор 2SA733 (A733)
#8841
 20496 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1 шт
1,50 грн.
10+1,42 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 625мВт 500шт. 50В 500мА — 400
Транзистор МП20Б
Транзистор МП20Б
#10817
 23012 СНГ 1 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП20Б германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 50мА 2МГц 200
Транзистор AO8205S
Транзистор AO8205S
#11214
 23345 AMS 1 шт
4,50 грн.
10+4,27 грн.
50+4,05 грн.
100+3,60 грн.
0.1 SOT23-6 Полевой SMD МОП n-канал x2 20В 4.5А 1Вт 3000шт. — — — —
Транзистор ГТ321Б
Транзистор ГТ321Б
#13542
 25673 СНГ 1 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзисторы ГТ321Бгерманиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
Транзистор КТ837Б
Транзистор КТ837Б
#14410
 26618 INTEGRAL 1 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
Транзистор П304М
Транзистор П304М
#14411
 26619 СНГ 1 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
Транзисторы П304М кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 10Вт 20шт. 50В 500мА 0,05МГц —
Транзистор КТ837В
Транзистор КТ837В
#15470
 27709 INTEGRAL 1 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 150
Транзистор 1Т403Ж (=ГТ403Ж)
Транзистор 1Т403Ж (=ГТ403Ж)
#16921
 29168 СНГ 1 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Ж германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 60В 1,25А — 60
Транзистор П217Б
Транзистор П217Б
#16931
 29178 СНГ 1 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основные технические характеристики транзистора П217Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом. 11 — Биполярный DIP PNP — — 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор КТ3102ЕМ
Транзистор КТ3102ЕМ
#679
 — СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 20В 200мА — 1000
2N2222
2N2222
#2151
 20499 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
 — 0.25 TO92 Биполярный DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 600мА 300МГц 300
Транзистор 2N3055
Транзистор 2N3055
#2152
 23632 ST MICROELECTRONICS —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
500+15,40 грн.
 — 10 TO3 Биполярный DIP NPN — — 115Вт 25шт. 70В 15А — 70
2N3772
2N3772
#2153
 — ON SEMICONDUCTOR —
66 грн.
10+62,70 грн.
50+59,40 грн.
100+52,80 грн.
500+46,20 грн.
 — скачать datasheet 2N3772 pdf,43 КБ 10 TO3 Биполярный DIP NPN — — 150Вт 20шт. 80В 20А — 60
Транзистор 2N3904
Транзистор 2N3904
#2154
 20407 DIOTEC SEMICONDUCTOR —
0,70 грн.
10+0,66 грн.
50+0,63 грн.
100+0,56 грн.
500+0,49 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 200мА — 300
Транзистор 2N4401
Транзистор 2N4401
#2155
 22512 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
 — 0.25 TO92 Биполярный DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 600мА — 500
2N5088
2N5088
#2156
 — ON SEMICONDUCTOR —
1,40 грн.
10+1,33 грн.
50+1,26 грн.
100+1,12 грн.
500+0,98 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 30В 50мА 50МГц 900
Транзистор 2N5551
Транзистор 2N5551
#2157
 20497 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
 — 0.25 TO92 Биполярный DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 160В 600мА — 250
Транзистор 2N6517
Транзистор 2N6517
#2159
 22513 MOTOROLA —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 350В 500мА 200МГц 300
2SC1815Y
2SC1815Y
#2161
 — TOSHIBA —
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 400мВт 1000шт. 50В 150мА — 240
2SC2078
2SC2078
#2164
 — — —
19,20 грн.
 — Корпус: TO-220 Uceo,V: 80 Ucbo,V: 80 Ic,A: 3 — — — — — — — — — — — — —
2SC2230A-GR
2SC2230A-GR
#2165
 — — —
3,40 грн.
 — Корпус: TO-92L fT: 50 MHz Uceo,V: 180 Ucbo,V: 200 Ic,A: 0,1 h21: 400 — — — — — — — — — — — — —
2SC2240
2SC2240
#2166
 — — —
6 грн.
 — Корпус: TO-92 fT: 100 MHz Uceo,V: 120 Ucbo,V: 120 Ic,A: 0.1 h21: 700 — — — — — — — — — — — — —
2SC2271D
2SC2271D
#2167
 — — —
4,20 грн.
 — Корпус: TO-92 fT: 50 MHz Uceo,V: 300 Ucbo,V: 300 Ic,A: 0.1 h21: 200 — — — — — — — — — — — — —