Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
Сортировать: Название Цена Хиты продаж Оценка покупателей Дата добавления На складе
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор КТ629А
Транзистор КТ629А
#11376
 23487 СНГ 12 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзисторы КТ629А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с защитным покрытием с гибкими выводами. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем. 1.8 — Биполярный SMD PNP — — 1Вт 100шт. — 1А 250МГц 25
Транзистор П214А
Транзистор П214А
#13777
 25956 СНГ 11 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Основные технические характеристики транзистора П214А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 11 — Биполярный DIP PNP — — 10Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 150
Транзистор 2Т831В
Транзистор 2Т831В
#16614
 28852 СНГ 11 шт
44 грн.
10+41,80 грн.
50+39,60 грн.
100+35,20 грн.
Основные технические характеристики транзистора 2Т831В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом. 1 TO39 Биполярный DIP NPN — — 1Вт 100шт. 70В 2А 4МГц 25
Транзистор КТ350А
Транзистор КТ350А
#10810
 23000 СНГ 10 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор КТ350А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 500шт. 15В 60мА 100МГц 200
Транзистор 2Т903А (=КТ903А)
Транзистор 2Т903А (=КТ903А)
#11605
 23831 СНГ 10 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Транзистор 2Т903А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности и автогенераторах. 22 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 30Вт 20шт. 60В 10А 120МГц 70
Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)
Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)
#16923
 29170 СНГ 10 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403В германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 45В 1,25А — 60
AP2530GY (Y1)
AP2530GY (Y1)
#7475
 20601 ADVANCED POWER ELECTRONICS 9 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
0.1 SOT26 Полевой SMD МОП n+p-канал 30В 3.3А 1.14Вт 3000шт. — — — —
Транзистор 2SC3751
Транзистор 2SC3751
#10468
 22493 SANYO 9 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
500+15,40 грн.
2 TO220F Биполярный DIP NPN — — 25Вт 50шт. 800В 1.5А — 40
Транзистор КТ819ВМ
Транзистор КТ819ВМ
#16516
 28764 СНГ 9 шт
75 грн.
10+71,25 грн.
50+67,50 грн.
100+60 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ819ВМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом. 16 TO3 Биполярный DIP NPN — — 100Вт 20шт. 70В 20А — —
Транзистор MJE13003 (=ST13003,KSE13003)
Транзистор MJE13003 (=ST13003,KSE13003)
#2317
 23065 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 8 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.5 TO126 Биполярный DIP NPN — — 20Вт 500шт. 400В 1.5А 4МГц —
AOD609
AOD609
#3871
 20122 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR 8 шт
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
скачать datasheet AOD609 pdf,260 КБ 0.7 TO252-4 Полевой SMD МОП n+p-канал 40В 12А 30Вт 75шт. — — — —
Транзистор МП112
Транзистор МП112
#10785
 22973 СНГ 8 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 100мА 2МГц 45
Транзистор 1Т403И (=ГТ403И)
Транзистор 1Т403И (=ГТ403И)
#16924
 29171 СНГ 8 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403И германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 60В 1,25А — 30
Транзистор 1Т403А (=ГТ403А)
Транзистор 1Т403А (=ГТ403А)
#16922
 29169 СНГ 7 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403А германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 60
Транзистор STP4NK60ZFP
Транзистор STP4NK60ZFP
#2686
 20915 ST MICROELECTRONICS 6 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
2.8 TO220FP Полевой DIP МОП n-канальный 600В 4А 25Вт 50шт. — — — —
IRF7314
IRF7314
#6284
 20350 INTERNATIONAL RECTIFIER 6 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
скачать datasheet IRF7314 pdf,151 КБ 0.3 SO8 Полевой SMD МОП p-канал x2 20В 5.3А 2Вт 95шт. — — — —
Транзистор 2Т321Б (=КТ321Б)
Транзистор 2Т321Б (=КТ321Б)
#11952
 24240 СНГ 6 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы 2Т321Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 210мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
Транзистор 2SD1555
Транзистор 2SD1555
#2211
 20366 TOSHIBA 5 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
500+21 грн.
7 TO3P Биполярный DIP NPN — — 50Вт 30шт. 1.5кВ 5А — —
Транзистор КТ835А
Транзистор КТ835А
#3432
 22976 СНГ 5 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1.00 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 25 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 25Вт 100шт. 30В 3А 1МГц 20
Транзистор BSP250
Транзистор BSP250
#6249
 24948 PHILIPS 5 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
0.3 SOT223 Полевой SMD МОП р-канальный 30В 3А 5Вт 1000шт. — — — —
Транзистор 2SC1674-Y (=KSC1674)
Транзистор 2SC1674-Y (=KSC1674)
#10459
 22480 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 5 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 500шт. 20В 20мА 600МГц 240
Транзистор AO4484
Транзистор AO4484
#4662
 20065 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR 4 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
0.6 SO8 Полевой SMD МОП n-канальный 40В 10А 1.7Вт 95шт. — — — —
Транзистор IPP05CN10N
Транзистор IPP05CN10N
#6759
 20349 INFINEON TECHNOLOGIES 4 шт
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
скачать datasheet IPP05CN10N pdf,800 КБ 2.8 TO220 Полевой DIP МОП n-канальный 100В 100А 300Вт 50шт. — — — —
Транзистор КТ803А
Транзистор КТ803А
#11875
 24127 СНГ 4 шт
170 грн.
10+161,50 грн.
50+153 грн.
100+136 грн.
Транзисторы КТ803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания. 19 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 60Вт 20шт. 60В 10А 20МГц 50
Транзистор П701А
Транзистор П701А
#13738
 25906 СНГ 4 шт
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
Транзисторы П701А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств. 10 — Биполярный DIP NPN — — 10Вт 20шт. 60В 500мА 20МГц 60
Транзистор ZXTN19020CFF (1E2)
Транзистор ZXTN19020CFF (1E2)
#2336
 22882 DIODES INCORPORATED 3 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
500+8,40 грн.
0.2 SOT23 Биполярный SMD NPN — — 1.3Вт 3000шт. 65В 7А — 500
Транзистор ГТ308В
Транзистор ГТ308В
#6850
 25668 СНГ 3 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы ГТ308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Основные технические характеристики транзистора ГТ308В: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...150 (1В; 10мА); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В); • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ (1,6 МГц); • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 150
Транзистор 2SC2482
Транзистор 2SC2482
#10485
 22530 TOSHIBA 3 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.5 TO92L Биполярный DIP NPN — — 900мВт 200шт. 300В 100мА 50МГц 150
Транзистор КТ840Б
Транзистор КТ840Б
#16613
 28851 СНГ 3 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ840Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 750 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера:не более 3 мА (750В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом. 17.5 TO3 Биполярный DIP NPN — — 60Вт 40шт. 350В 6А 8МГц 10
Транзистор IRF2804
Транзистор IRF2804
#2497
 28987 INTERNATIONAL RECTIFIER 2 шт
56 грн.
10+53,20 грн.
50+50,40 грн.
100+44,80 грн.
2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 40В 280А 330Вт 50шт. — — — —