Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
Сортировать: Название Цена Хиты продаж Оценка покупателей Дата добавления На складе
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор 2SC3279M
Транзистор 2SC3279M
#10489
 22534 MCC 30 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 750мВт 200шт. 30В 2А 150МГц 200
Транзистор МП111А
Транзистор МП111А
#10784
 22972 СНГ 28 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с нормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 100мА 0,5МГц 30
Транзистор КТ382АМ
Транзистор КТ382АМ
#14423
 26632 СНГ 28 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзисторы КТ382АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. 0.25 КТ-14 Биполярный SMD NPN — — 100мВт 20шт. 10В 20мА 1.8ГГц 330
Транзистор 2Т826Б (=КТ826Б)
Транзистор 2Т826Б (=КТ826Б)
#9783
 21354 СНГ 25 шт
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзистор 2Т826Б выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т826Б выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3). Технические условия: аА0.339.058 ТУ. 14 kt-9 Биполярный DIP NPN — — 15Вт 40шт. 700В 1А 6МГц 10
AP9962AGH
AP9962AGH
#7959
 20363 ADVANCED POWER ELECTRONICS 24 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
скачать datasheet AP9962AGH pdf,146 КБ 0.47 TO252 Полевой SMD МОП n-канальный 40В 32А 27.8Вт 3000шт. — — — —
Транзистор ГТ403Б
Транзистор ГТ403Б
#10840
 23037 СНГ 24 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
Транзистор ГТ403Б германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 150
Транзистор КТ826А
Транзистор КТ826А
#13930
 26109 СНГ 24 шт
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ826А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом. 14 kt-9 Биполярный DIP NPN — — 15Вт 40шт. 700В 1А 6МГц 10
Транзистор FQB16N15TM
Транзистор FQB16N15TM
#17080
 29321 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 24 шт
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
1.5 D2PAK Полевой SMD МОП n-канальный 150В 16.4А 108 Вт 50шт. — — — —
Транзистор SQJ457EP-T1_GE3 (=QJ457)
Транзистор SQJ457EP-T1_GE3 (=QJ457)
#17149
 29399 VISHAY 24 шт
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
0.43 PowerPAKSO-8L Полевой SMD МОП р-канальный 60В 36А 68Вт 3000шт. — — — —
Транзистор MBQ60T65PES (=60T65PES)
Транзистор MBQ60T65PES (=60T65PES)
#12586
 24923 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR 23 шт
112 грн.
10+106,40 грн.
50+100,80 грн.
100+89,60 грн.
6.5 TO247 IGBT DIP — — — 428Вт 30шт. 650В 60А — —
Транзистор ГТ320А
Транзистор ГТ320А
#14473
 26684 СНГ 23 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзисторы ГТ320А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. 1.8 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 12В 150мА 80МГц 80
Транзистор КТ837И
Транзистор КТ837И
#15469
 27708 INTEGRAL 22 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
Транзистор TIP115
Транзистор TIP115
#10449
 22463 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 21 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 50Вт 50шт. 60В 2А — 1000
Транзистор BC635
Транзистор BC635
#10487
 22532 NXP 21 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 830мВт 200шт. 45В 1А 100МГц 250
Транзистор 3П328А-2
Транзистор 3П328А-2
#11195
 23319 СНГ 21 шт
35 грн.
10+33,25 грн.
50+31,50 грн.
100+28 грн.
Транзистор полевой арсенидгаллиевый планарный с двумя затворами с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц. 0.1 КТ-21 Полевой SMD МОП n-канальный 6В 1мА 50мВт 120шт. — — 8ГГц —
Транзистор 2SC1923Y
Транзистор 2SC1923Y
#10488
 22533 TOSHIBA 20 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 100мВт 200шт. 30В 20мА 550МГц 200
Транзистор 2SC2668-O
Транзистор 2SC2668-O
#10490
 22535 TOSHIBA 20 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.2 TO92S Биполярный DIP NPN — — 100мВт 200шт. 30В 20мА 550МГц 200
Транзистор IRF710
Транзистор IRF710
#2518
 21108 INTERNATIONAL RECTIFIER 19 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
2.5 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 400В 2А 36Вт 50шт. — — — —
Транзистор КТ837Л
Транзистор КТ837Л
#10739
 22804 INTEGRAL 19 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 30Вт 100шт. 60В 7,5A 1МГц 40
Транзистор П303
Транзистор П303
#13778
 25957 СНГ 19 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
Транзисторы П303 кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 10 — Биполярный DIP PNP — — 10Вт 20шт. 65В 500мА 0,1МГц —
Транзистор МП21Б
Транзистор МП21Б
#16890
 29137 СНГ 19 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Б, германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 40В 100мА 1,5МГц 80
Транзистор AP9960GM (9960GM)
Транзистор AP9960GM (9960GM)
#4655
 20059 ADVANCED POWER ELECTRONICS 15 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
0.5 SO8 Полевой SMD МОП n-канал x2 40В 7.8А 2Вт 95шт. — — — —
AP9T18GH
AP9T18GH
#5162
 20367 ADVANCED POWER ELECTRONICS 15 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
скачать datasheet AP9T18GH pdf,217 КБ 0.43 TO252 Полевой SMD МОП n-канальный 20В 38А 31Вт 3000шт. — — — —
Транзистор TIP111
Транзистор TIP111
#10448
 22461 MOTOROLA 15 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 50Вт 50шт. 80В 2А — 1000
Транзистор МП21А
Транзистор МП21А
#16884
 29131 СНГ 15 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21А германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 35В 100мА 1МГц 150
Транзистор 2Т371А (=КТ371А)
Транзистор 2Т371А (=КТ371А)
#6827
 22329 СНГ 14 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. 0.2 КТ-14 Биполярный SMD NPN — — 100мВт 200шт. 10В 20мА 3ГГц 240
Транзистор ГТ403И
Транзистор ГТ403И
#10843
 23040 СНГ 14 шт
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
Транзистор ГТ403И германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 50шт. 60В 1,25А — 30
Транзистор КТ837М
Транзистор КТ837М
#15471
 27710 INTEGRAL 14 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
Транзистор 2Т321Д ОС(=КТ321Д)
Транзистор 2Т321Д ОС(=КТ321Д)
#11953
 24242 СНГ 13 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы 2Т321Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 120
Транзистор П217А
Транзистор П217А
#16930
 29177 СНГ 13 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основные технические характеристики транзистора П217А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20... 60; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом. 11 — Биполярный DIP PNP — — 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —