Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
29176 СНГ 52 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основные технические характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом. 11 Биполярный DIP PNP 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц
29098 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 51 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
0.4 SO8 Полевой SMD МОП р-канальный 30В 8.8А 2.5Вт 2500шт.
20352 MICROCHIP TECHNOLOGY 50 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
скачать datasheet TN2524N8-G pdf,618 КБ 0.2 SOT89-3 Полевой SMD МОП n-канальный 240В 1.6Вт 2000шт.
21351 СНГ 50 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. Транзисторы КТ805А, КТ805Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 24 г. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Технические условия: аА0.336.341 ТУ. 30 kt-282 Биполярный DIP NPN 30Вт 20шт. 60В 20МГц 15
22464 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 47 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 50Вт 50шт. 80В 1000
22478 ST MICROELECTRONICS 47 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 40Вт 50шт. 250В 10МГц 30
22479 ON SEMICONDUCTOR 46 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
500+5,60 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 40Вт 50шт. 300В 10МГц 30
20060 ST MICROELECTRONICS 42 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
0.5 DPAK Биполярный SMD PNP 15Вт 2500шт. 30В
20600 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 42 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 500мВт 4000шт. 45В 100мА 450
20922 NXP 41 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 40Вт 50шт. 100В 50
29133 СНГ 41 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Б германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 Биполярный DIP PNP 4Вт 100шт. 30В 1,25А 150
28457 СНГ 40 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Характеристики транзистора П201Э: Структура P-N-P Uк-э.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постоянный) 1.5А Iб.макс. (постоянный) 0,75А Pк.макс. (без теплоотвода) 1,0Вт Pк.макс. (с теплоотводом) 10Вт Переключаемая мощность,макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC не более 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC не более 0,2-3,5мА h21э 40..100 fгр. 100КГц Uб-э.нас 0,5-2,0В Uк-э.нас 0,5-2,5В Температурный диапазон -55..+70°C. 10 Биполярный DIP PNP 10Вт 50шт. 30В 1.5А 0,1МГц 100
29193 СНГ 40 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. 9.2 Биполярный DIP PNP 3Вт 50шт. 40В 1.5А 30МГц 60
22462 SAMSUNG 39 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 50Вт 50шт. 100В 1000
21353 СНГ 39 шт
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзистор 2Т826А выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т826А выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3). Технические условия: аА0.339.058 ТУ. 14 kt-9 Биполярный DIP NPN 15Вт 40шт. 700В 6МГц 10
22496 NEC 39 шт
9,50 грн.
10+9,02 грн.
50+8,55 грн.
100+7,60 грн.
500+6,65 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 40Вт 50шт. 100В 320
22498 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 38 шт
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
500+6,30 грн.
2 TO220F Биполярный DIP NPN 15Вт 50шт. 400В 80
20356 ON SEMICONDUCTOR 35 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 300мВт 1000шт. 40В 150мА
22469 ST MICROELECTRONICS 35 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 70Вт 50шт. 80В 1000
22471 ST MICROELECTRONICS 35 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 80Вт 50шт. 60В 10А 1000
22526 NEC 35 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 600мВт 200шт. 25В 700мА 170МГц 270
23006 СНГ 35 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП26Б германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 200мВт 100шт. 70В 150мА 80
23013 СНГ 35 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор МП10А германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 30
22468 PHILIPS 34 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 70Вт 50шт. 60В 1000
22473 ST MICROELECTRONICS 34 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 80Вт 50шт. 80В 10А 1000
22465 ST MICROELECTRONICS 32 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
500+5,60 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 50Вт 50шт. 100В 1000
21844 СНГ 32 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 250мВт 1000шт. 50В 200мА 500
22484 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 32 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 30Вт 50шт. 60В 20МГц 500
20055 ADVANCED POWER ELECTRONICS 30 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
0.5 SO8 Полевой SMD МОП n-канальный 40В 10А 2.5Вт 95шт.
22497 NEC 30 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
NPN; 400V; 5A; 40W; h21=10-60; Usat=1V. 2.5 TO220F Биполярный DIP NPN 40Вт 50шт. 400В 60