Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
Сортировать: Название Цена Хиты продаж Оценка покупателей Дата добавления На складе
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор FDS4435BZ
Транзистор FDS4435BZ
#16852
 29098 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 49 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
0.4 SO8 Полевой SMD МОП р-канальный 30В 8.8А 2.5Вт 2500шт. — — — —
Транзистор TIP116
Транзистор TIP116
#10450
 22464 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 47 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 50Вт 50шт. 80В 2А — 1000
Транзистор TIP47
Транзистор TIP47
#10457
 22478 ST MICROELECTRONICS 47 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 40Вт 50шт. 250В 1А 10МГц 30
Транзистор TIP48
Транзистор TIP48
#10458
 22479 ON SEMICONDUCTOR 46 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
500+5,60 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 40Вт 50шт. 300В 1А 10МГц 30
Транзистор TIP31C
Транзистор TIP31C
#2330
 20922 NXP 41 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 40Вт 50шт. 100В 3А — 50
Транзистор 1Т403Б (=ГТ403Б)
Транзистор 1Т403Б (=ГТ403Б)
#16886
 29133 СНГ 41 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Б германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 150
TN2524N8-G (TN5CT)
TN2524N8-G (TN5CT)
#6176
 20352 MICROCHIP TECHNOLOGY 40 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
скачать datasheet TN2524N8-G pdf,618 КБ 0.2 SOT89-3 Полевой SMD МОП n-канальный 240В 1А 1.6Вт 2000шт. — — — —
Транзистор П201Э
Транзистор П201Э
#16183
 28457 СНГ 40 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Характеристики транзистора П201Э: Структура P-N-P Uк-э.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постоянный) 1.5А Iб.макс. (постоянный) 0,75А Pк.макс. (без теплоотвода) 1,0Вт Pк.макс. (с теплоотводом) 10Вт Переключаемая мощность,макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC не более 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC не более 0,2-3,5мА h21э 40..100 fгр. 100КГц Uб-э.нас 0,5-2,0В Uк-э.нас 0,5-2,5В Температурный диапазон -55..+70°C. 10 — Биполярный DIP PNP — — 10Вт 50шт. 30В 1.5А 0,1МГц 100
Транзистор П605
Транзистор П605
#16946
 29193 СНГ 40 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. 9.2 — Биполярный DIP PNP — — 3Вт 50шт. 40В 1.5А 30МГц 60
Транзистор STD888T4 (D888)
Транзистор STD888T4 (D888)
#4658
 20060 ST MICROELECTRONICS 39 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
0.5 DPAK Биполярный SMD PNP — — 15Вт 2500шт. 30В 5А — —
Транзистор TIP112
Транзистор TIP112
#6652
 22462 SAMSUNG 39 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
500+7,70 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 50Вт 50шт. 100В 2А — 1000
Транзистор 2Т826А (=КТ826А)
Транзистор 2Т826А (=КТ826А)
#9782
 21353 СНГ 39 шт
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзистор 2Т826А выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т826А выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3). Технические условия: аА0.339.058 ТУ. 14 kt-9 Биполярный DIP NPN — — 15Вт 40шт. 700В 1А 6МГц 10
Транзистор 2SC2654
Транзистор 2SC2654
#10471
 22496 NEC 39 шт
9,50 грн.
10+9,02 грн.
50+8,55 грн.
100+7,60 грн.
500+6,65 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 40Вт 50шт. 100В 7А — 320
Транзистор 2SC3569-Y (=KSC3569)
Транзистор 2SC3569-Y (=KSC3569)
#10473
 22498 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 38 шт
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
500+6,30 грн.
2 TO220F Биполярный DIP NPN — — 15Вт 50шт. 400В 2А — 80
Транзистор 2N6027G
Транзистор 2N6027G
#2158
 20356 ON SEMICONDUCTOR 35 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 300мВт 1000шт. 40В 150мА — —
Транзистор TIP136
Транзистор TIP136
#10453
 22469 ST MICROELECTRONICS 35 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 70Вт 50шт. 80В 8А — 1000
Транзистор TIP145T
Транзистор TIP145T
#10454
 22471 ST MICROELECTRONICS 35 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 80Вт 50шт. 60В 10А — 1000
Транзистор 2SC2001L
Транзистор 2SC2001L
#10483
 22526 NEC 35 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 600мВт 200шт. 25В 700мА 170МГц 270
Транзистор МП10А
Транзистор МП10А
#10818
 23013 СНГ 35 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор МП10А германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 30
Транзистор TIP135
Транзистор TIP135
#10452
 22468 PHILIPS 34 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 70Вт 50шт. 60В 8А — 1000
Транзистор TIP146T
Транзистор TIP146T
#10455
 22473 ST MICROELECTRONICS 34 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 80Вт 50шт. 80В 10А — 1000
Транзистор TIP117
Транзистор TIP117
#6653
 22465 ST MICROELECTRONICS 32 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
500+5,60 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 50Вт 50шт. 100В 2А — 1000
Транзистор КТ3102ИМ
Транзистор КТ3102ИМ
#10105
 21844 СНГ 32 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 50В 200мА — 500
Транзистор 2SC1983 (=KSC1983)
Транзистор 2SC1983 (=KSC1983)
#10461
 22484 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 32 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 30Вт 50шт. 60В 3А 20МГц 500
Транзистор AP9985GM
Транзистор AP9985GM
#4659
 20055 ADVANCED POWER ELECTRONICS 30 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
0.5 SO8 Полевой SMD МОП n-канальный 40В 10А 2.5Вт 95шт. — — — —
Транзистор 2SC3431
Транзистор 2SC3431
#10472
 22497 NEC 30 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
NPN; 400V; 5A; 40W; h21=10-60; Usat=1V. 2.5 TO220F Биполярный DIP NPN — — 40Вт 50шт. 400В 5А — 60
Транзистор 2SC3279M
Транзистор 2SC3279M
#10489
 22534 MCC 30 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 750мВт 200шт. 30В 2А 150МГц 200
Транзистор МП111А
Транзистор МП111А
#10784
 22972 СНГ 28 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с нормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 100мА 0,5МГц 30
Транзистор КТ382АМ
Транзистор КТ382АМ
#14423
 26632 СНГ 28 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзисторы КТ382АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. 0.25 КТ-14 Биполярный SMD NPN — — 100мВт 20шт. 10В 20мА 1.8ГГц 330
Транзистор 2Т826Б (=КТ826Б)
Транзистор 2Т826Б (=КТ826Б)
#9783
 21354 СНГ 25 шт
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзистор 2Т826Б выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т826Б выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3). Технические условия: аА0.339.058 ТУ. 14 kt-9 Биполярный DIP NPN — — 15Вт 40шт. 700В 1А 6МГц 10