Транзисторы
Параметры фильтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току |
|---|
Транзистор КТ807А
#14151
|
26345 | СНГ | 104 шт |
8 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания. | 2.5 | — | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 10Вт | 20шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 45 | ||||||||||
Транзистор TN6714A
#10492
|
22537 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 100 шт |
4 грн.
|
|
0.5 | TO92L | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 1Вт | 1000шт. | 30В | 1А | — | 250 | |||||||||||
| 24599 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора 1Т308Б: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 (1В; 10мА); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В); • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс. | 2 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 20В | 120мА | 120МГц | 120 | |||||||||||
Транзистор 2N5962
#10480
|
22514 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 98 шт |
1,20 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 625мВт | 1000шт. | 45В | 100мА | — | 1400 | |||||||||||
Транзистор МП10
#13698
|
25858 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Транзистор МП10 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...30; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | ||||||||||
Транзистор YGW40N65F1
#17177
|
29427 | luxin-semi | 98 шт |
95 грн.
|
|
6.5 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 188Вт | 30шт. | 650В | 40А | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ807Б
#11375
|
23486 | СНГ | 94 шт |
15 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n универсальный. Предназначен для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания. | 2.5 | — | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 10Вт | 100шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 100 | ||||||||||
Транзистор КТ3107К
#6836
|
22261 | СНГ | 92 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 220 | |||||||||||
| 28988 | INFINEON TECHNOLOGIES | 91 шт |
42 грн.
|
|
0.1 | TDSON-8 | Полевой | SMD | МОП n-канал x2 | 100В | 16А | 29Вт | 5000шт. | — | — | — | — | ||||||||||||
| 29426 | CR MICRO | 90 шт |
112 грн.
|
|
6.5 | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | 403Вт | 25шт. | 600В | 60А | — | — | ||||||||||||
Транзистор МП42А
#12255
|
24637 | СНГ | 87 шт |
6 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом. | 1.6 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 15В | 200мА | 1МГц | 50 | ||||||||||
Транзистор П213Б
#14711
|
26929 | СНГ | 87 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 10Вт | 20шт. | 30В | 5А | 0,15МГц | 40 | ||||||||||
Транзистор МП21Г
#16150
|
28392 | СНГ | 86 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор МП21Г германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 60В | 100мА | 1МГц | 80 | ||||||||||
| 29428 | luxin-semi | 86 шт |
118 грн.
|
|
6.5 | TO247 | IGBT | — | — | — | — | 312Вт | 30шт. | 650В | 60А | — | — | ||||||||||||
Транзистор КТ818В
#10791
|
22980 | СНГ | 85 шт |
18 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 60Вт | 100шт. | 70В | 10А | 3МГц | 15 | ||||||||||
Транзистор МП111Б
#14145
|
26336 | СНГ | 84 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 20В | 100мА | 1МГц | 45 | ||||||||||
Транзистор П417
#16885
|
29132 | СНГ | 82 шт |
10 грн.
|
|
Германиевые диффузионные высокочастотные (200 МГц) p-n-p транзисторы малой мощности. | 1.8 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 50мВт | 100шт. | 10В | 10мА | 200МГц | 100 | ||||||||||
Транзистор КТ313А1
#11374
|
23485 | СНГ | 80 шт |
3 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. | 0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 50В | 350мА | 200МГц | 120 | ||||||||||
Транзистор КТ503Б
#11437
|
23564 | СНГ | 79 шт |
5 грн.
|
|
Транзисторы КТ503Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. | 0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 240 | ||||||||||
Транзистор КТ626А
#16467
|
28714 | СНГ | 77 шт |
10 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ626А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 6,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 75 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (30В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 260; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 150 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс. | 0.7 | TO126 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 6Вт | 500шт. | 45В | 500мА | 70МГц | 40 | ||||||||||
Транзистор TN3019A
#10493
|
22538 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 76 шт |
3 грн.
|
|
0.5 | TO92L | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 1Вт | 250шт. | 80В | 1А | 100МГц | 300 | |||||||||||
Транзистор FDS8896
#12579
|
24916 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 66 шт |
14 грн.
|
|
0.4 | SO8 | Полевой | SMD | МОП n-канальный | 30В | 15А | 2.5Вт | 2000шт. | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор КТ837У
#16662
|
28901 | INTEGRAL | 65 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 100шт. | 40В | 7,5A | 1МГц | 80 | ||||||||||
BSP295
#5456
|
20354 | INFINEON TECHNOLOGIES | 63 шт |
8 грн.
|
|
скачать datasheet BSP295 pdf,453 КБ | 0.3 | SOT223 | Полевой | SMD | МОП n-канальный | 60В | 1.8А | 1.8Вт | 1000шт. | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П216Г
#16926
|
29173 | СНГ | 63 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216Г : • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: >5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 24Вт | 20шт. | 50В | 7,5A | 0,1МГц | — | ||||||||||
| 29130 | СНГ | 61 шт |
8 грн.
|
|
Транзисторы 1Т308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 120мА | 120МГц | 75 | |||||||||||
Транзистор 1Т905А
#14616
|
26832 | СНГ | 60 шт |
20 грн.
|
|
Транзисторы 1Т905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора 1Т905А: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 6 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 35...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс. | 3.5 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 6Вт | 50шт. | 65В | 3А | 30МГц | 100 | ||||||||||
Транзистор МП101А
#16893
|
29140 | СНГ | 58 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы МП101Б кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 0,5МГц | 30 | ||||||||||
Транзистор П210В
#12951
|
25222 | СНГ | 57 шт |
60 грн.
|
|
Транзисторы П210В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Технические условия: аА0.336.483 ТУ. Основные технические характеристики транзистора П210В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10. | 34 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 45Вт | 10шт. | 45В | 12А | — | 10 | ||||||||||
Транзистор П306М
#15477
|
27717 | СНГ | 57 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы П306М германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 10Вт | 100шт. | 60В | 400мА | 1МГц | 25 |
