Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
Сортировать: Название Цена Хиты продаж Оценка покупателей Дата добавления На складе
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор КТ837Е
Транзистор КТ837Е
#10809
 22999 INTEGRAL 178 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 30Вт 100шт. 55В 7,5A 1МГц 150
Транзистор П217В
Транзистор П217В
#16932
 29179 СНГ 166 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Основные технические характеристики транзистора П217В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 11 — Биполярный DIP PNP — — 24Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор FDMC8010DC
Транзистор FDMC8010DC
#17147
 29397 ON SEMICONDUCTOR 163 шт
43 грн.
10+40,85 грн.
50+38,70 грн.
100+34,40 грн.
0.43 PQFN3.3X3.3 Полевой SMD МОП n-канальный 30В 157А 50Вт 3000шт. — — — —
Транзистор ГТ403А
Транзистор ГТ403А
#10839
 23036 СНГ 159 шт
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистор ГТ403А германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 60
Транзистор П307ВМ
Транзистор П307ВМ
#14350
 26558 СНГ 158 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Кремниевый n-p-n транзистор для работы в радиовещательных приемниках и приемоусилительной аппаратуре. 0.5 TO126 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 60В 30мА 20МГц 150
Транзистор КТ3117А1
Транзистор КТ3117А1
#9736
 21146 СНГ 154 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Транзистор NPN 60В 0.4А 0.3Вт 200Мгц TO92 (КТ-26) 0.4 TO92 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 500шт. 60В 400мА 200МГц 40
Транзистор КТ342БМ
Транзистор КТ342БМ
#13767
 25933 СНГ 153 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ342БМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 200... 500; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 25В 50мА 300МГц 500
Транзистор П201АЭ
Транзистор П201АЭ
#16182
 28456 СНГ 151 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Характеристики транзистора П201АЭ: Структура P-N-P Uк-э.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постоянный) 1.5А Iб.макс. (постоянный) 0,75А Pк.макс. (без теплоотвода) 1,0Вт Pк.макс. (с теплоотводом) 10Вт Переключаемая мощность,макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC не более 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC не более 0,2-3,5мА h21э 40..100 fгр. 200КГц Uб-э.нас 0,5-2,0В Uк-э.нас 0,5-2,5В Температурный диапазон -55..+70°C. 10 — Биполярный DIP PNP — — 10Вт 50шт. 30В 1.5А 0,2МГц 100
MMBT3906 (2A)
MMBT3906 (2A)
#6430
 20426 BL Galaxy Electrical 149 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.1 SOT23 Биполярный SMD PNP — — 250мВт 3000шт. 40В 200мА — 300
Транзистор 2SC945
Транзистор 2SC945
#2208
 20492 UTC 143 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 500шт. 50В 150мА 100МГц 600
Транзистор MBQ40T65QESTH (=40T65QES)
Транзистор MBQ40T65QESTH (=40T65QES)
#17078
 29323 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR 140 шт
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
IGBT 650V 40A 230W + Diode 6.5 TO247 IGBT DIP — — — 230Вт 30шт. 650В 40А — —
Транзистор П417А
Транзистор П417А
#11887
 24140 СНГ 139 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Германиевые диффузионные высокочастотные (200 МГц) p-n-p транзисторы малой мощности. 1.8 — Биполярный DIP PNP — — 50мВт 100шт. 10В 10мА 200МГц 200
Транзистор 2N4403
Транзистор 2N4403
#6596
 22515 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 135 шт
1,20 грн.
10+1,14 грн.
50+1,08 грн.
100+0,96 грн.
500+0,84 грн.
0.25 TO92 Биполярный DIP PNP — — 625мВт 1000шт. 40В 600мА — 300
Фототранзистор КТФ104А
Фототранзистор КТФ104А
#11586
 23817 СНГ 135 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Кремниевый планарный n-p-n фототранзистор с площадью фоточувствительного элемента 0.64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе. 0.2 — Фото — NPN — — — 200шт. — — — —
Транзистор П216Д
Транзистор П216Д
#14718
 26936 СНГ 135 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216Д : • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15... 30; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP — — 24Вт 20шт. 50В 7,5A 0,1МГц 30
Транзистор КТ361А
Транзистор КТ361А
#6843
 24622 СНГ 134 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.2 КТ-13 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 1000шт. 25В 50мА 250МГц 90
Транзистор 2SA1273
Транзистор 2SA1273
#10482
 22522 KEC 134 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.5 TO92MOD Биполярный DIP PNP — — 1Вт 200шт. 30В 2А 120МГц 320
Транзистор 2N2222A
Транзистор 2N2222A
#9670
 20876 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 129 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 625мВт 1000шт. 40В 600мА 300МГц 100
Транзистор П306
Транзистор П306
#11879
 24132 СНГ 128 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы П306 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 10 — Биполярный DIP PNP — — 10Вт 40шт. 60В 400мА — 25
Транзистор 2SC2328Y (=KSC2328A)
Транзистор 2SC2328Y (=KSC2328A)
#2169
 22521 TOSHIBA 119 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.5 TO92L — DIP NPN — — 1Вт 200шт. 30В 2А 120МГц 320
Транзистор МП111
Транзистор МП111
#11391
 23502 СНГ 118 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 100мА 0,5МГц 25
STK0260
STK0260
#4379
 20971 AUK 116 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
скачать datasheet STK0260 pdf,477 КБ 2 TO220F Полевой DIP МОП n-канальный 600В 600мА 1.3Вт 50шт. — — — —
Транзистор П216Б
Транзистор П216Б
#14715
 26933 СНГ 115 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP — — 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 10
Транзистор МП102
Транзистор МП102
#16894
 29141 СНГ 115 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзисторы МП102 кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 0,5МГц 45
Транзистор 2SB892
Транзистор 2SB892
#2376
 22523 SANYO 114 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.5 TO92L Биполярный DIP PNP — — 1Вт 200шт. 60В 2А 150МГц 560
Транзистор 2SA970
Транзистор 2SA970
#2368
 22510 TOSHIBA 112 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 200шт. 120В 100мА 100МГц 375
Транзистор 2SB764
Транзистор 2SB764
#10484
 22527 TOSHIBA 111 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.5 TO92L Биполярный DIP PNP — — 900мВт 200шт. 60В 1А 150МГц 320
Транзистор П210Б
Транзистор П210Б
#12950
 25221 СНГ 110 шт
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
П210Б Транзисторы П210Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Технические условия: аА0.336.483 ТУ. Основные технические характеристики транзистора П210Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А. • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10 34 — Биполярный DIP PNP — — 45Вт 10шт. 65В 12А — 10
Транзистор 2SC2655Y
Транзистор 2SC2655Y
#2172
 22529 TOSHIBA 108 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.5 TO92L Биполярный DIP NPN — — 900мВт 200шт. 50В 2А 100МГц 240
Транзисторная сборка 2ТС393Б-1
Транзисторная сборка 2ТС393Б-1
#11638
 23868 СНГ 104 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов. 2 — Биполярный SMD PNP x2 — — 20мВт 200шт. 15В 20мА 500МГц 140