Active radio components

Results: 8086

Sort by: Name Price Bestsellers Customer rating Date added In stock
MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Transistor case type Transistor type Mounting type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain
IRF4104
IRF4104
#6809
 — INTERNATIONAL RECTIFIER —
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
 — download datasheet IRF4104 pdf,333 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 40В 120А 140Вт 50pcs — — — —
IRF520N
IRF520N
#6810
 — INTERNATIONAL RECTIFIER —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — download datasheet IRF520N pdf,124 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 100В 9.7А 48Вт 50pcs — — — —
Transistor IRF530N
Transistor IRF530N
#6811
 21475 INTERNATIONAL RECTIFIER —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 100В 17А 70Вт 50pcs — — — —
IRF530
IRF530
#6812
 — VISHAY —
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
 — download datasheet IRF530 pdf,156 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 100В 14А 88Вт 50pcs — — — —
IRF540NL
IRF540NL
#6813
 — INTERNATIONAL RECTIFIER —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
 — download datasheet IRF540NL pdf,284 KB 2.5 TO262 Field DIP MOS n-channel 100В 33А 130Вт 50pcs — — — —
Transistor IRF540N
Transistor IRF540N
#6814
 21474 INTERNATIONAL RECTIFIER —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 100В 33А 130Вт 50pcs — — — —
IRF610
IRF610
#6815
 — VISHAY —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — download datasheet IRF610 pdf,157 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 200В 3.3А 36Вт 50pcs — — — —
IRF620
IRF620
#6816
 — VISHAY —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — download datasheet IRF620 pdf,157 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 200В 5.2А 50Вт 50pcs — — — —
IRF634
IRF634
#6817
 — VISHAY —
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
 — download datasheet IRF634 pdf,156 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 250В 8.1А 75Вт 50pcs — — — —
AOD129A
AOD129A
#6819
 60001 — —
12 грн.
10+10,80 грн.
50+9,60 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
KT203B nickname.
KT203B nickname.
#6820
 60005 — —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
KT203V nick.
KT203V nick.
#6821
 60006 — —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
KT203B OS
KT203B OS
#6822
 60007 — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
KT913B
KT913B
#6823
 60008 — —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
2T610A
2T610A
#6824
 60009 — —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
Transistor GT313A
Transistor GT313A
#6825
 25680 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Transistors GT313A germanium diffusion-alloy structures pnp universal. Designed for use in high and ultra high frequency amplifiers and switching devices. 1.2 — Bipolar DIP PNP — — 100мВт 100 pieces. 15В 30мА 300МГц 230
Transistor GT313B
Transistor GT313B
#6826
 28783 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Transistors GT313B germanium diffusion-alloy structures pnp universal. Designed for use in high and ultra high frequency amplifiers and switching devices. 1.2 — Bipolar DIP PNP — — 100мВт 100 pieces. 15В 30мА 450МГц 75
KT301E nickname.
#6828
 60013 — —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
GT329A
#6829
 60014 — —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
GT329B
#6830
 60015 — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
Transistor KT3107B
Transistor KT3107B
#6831
 24128 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Bipolar DIP PNP — — 300мВт 1000pcs 50В 200мА 200МГц 220
Transistor KT3157A
Transistor KT3157A
#6832
 24238 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — Transistor KT3157A silicon epitaxial-planar structure pnp switching. Designed for use in switching and pulse devices. 0.4 TO92 Bipolar DIP PNP — — 200мВт 200pcs 250В 20мА 60МГц 50
Transistor KT209I
Transistor KT209I
#6833
 23570 INTEGRAL —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Bipolar DIP PNP — — 200мВт 1000pcs 45В 300мА — 120
Transistor KT502D
Transistor KT502D
#6834
 23563 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Transistors KT502D silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters 0.3 TO92 Bipolar DIP PNP — — 350мВт 1000pcs 60В 350мА 5МГц 120
Transistor KT503E
Transistor KT503E
#6835
 24705 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Transistors KT503E silicon epitaxial-planar structures npn universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational and differential amplifiers, converters, pulse devices. 0.3 TO92 Bipolar DIP NPN — — 350мВт 1000pcs 80В 350мА 5МГц 120
Transistor KT315V
Transistor KT315V
#6838
 23556 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN — — 150мВт 800 pcs. 40В 100мА 250МГц 120
Transistor KT315G
Transistor KT315G
#6839
 23554 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN — — 150мВт 800 pcs. 35В 100мА 250МГц 350
Transistor KT315Zh
Transistor KT315Zh
#6841
 23558 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN — — 100мВт 800 pcs. 20В 50мА 250МГц 250
Transistor KT361V
Transistor KT361V
#6845
 23483 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Designed for use in high frequency amplifiers. 0.2 КТ-13 Bipolar DIP PNP — — 150мВт 1000pcs 40В 50мА 250МГц 160
Transistor KT361D
Transistor KT361D
#6847
 24623 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Designed for use in high frequency amplifiers. 0.2 КТ-13 Bipolar DIP PNP — — 150мВт 1000pcs 40В 50мА 250МГц 90