Active radio components

Results: 8086

Sort by: Name Price Bestsellers Customer rating Date added In stock
MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Transistor case type Transistor type Mounting type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain
KT203V nick.
KT203V nick.
#6821
 60006 — —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
KT203B OS
KT203B OS
#6822
 60007 — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
KT913B
KT913B
#6823
 60008 — —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
2T610A
2T610A
#6824
 60009 — —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
Transistor GT313A
Transistor GT313A
#6825
 25680 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Transistors GT313A germanium diffusion-alloy structures pnp universal. Designed for use in high and ultra high frequency amplifiers and switching devices. 1.2 — Bipolar DIP PNP — — 100мВт 100 pieces. 15В 30мА 300МГц 230
Transistor GT313B
Transistor GT313B
#6826
 28783 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Transistors GT313B germanium diffusion-alloy structures pnp universal. Designed for use in high and ultra high frequency amplifiers and switching devices. 1.2 — Bipolar DIP PNP — — 100мВт 100 pieces. 15В 30мА 450МГц 75
KT301E nickname.
#6828
 60013 — —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
GT329A
#6829
 60014 — —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
GT329B
#6830
 60015 — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — —
Transistor KT3107B
Transistor KT3107B
#6831
 24128 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Bipolar DIP PNP — — 300мВт 1000pcs 50В 200мА 200МГц 220
Transistor KT3157A
Transistor KT3157A
#6832
 24238 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — Transistor KT3157A silicon epitaxial-planar structure pnp switching. Designed for use in switching and pulse devices. 0.4 TO92 Bipolar DIP PNP — — 200мВт 200pcs 250В 20мА 60МГц 50
Transistor KT209I
Transistor KT209I
#6833
 23570 INTEGRAL —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Bipolar DIP PNP — — 200мВт 1000pcs 45В 300мА — 120
Transistor KT502D
Transistor KT502D
#6834
 23563 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Transistors KT502D silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters 0.3 TO92 Bipolar DIP PNP — — 350мВт 1000pcs 60В 350мА 5МГц 120
Transistor KT503E
Transistor KT503E
#6835
 24705 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Transistors KT503E silicon epitaxial-planar structures npn universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational and differential amplifiers, converters, pulse devices. 0.3 TO92 Bipolar DIP NPN — — 350мВт 1000pcs 80В 350мА 5МГц 120
Transistor KT315V
Transistor KT315V
#6838
 23556 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN — — 150мВт 800 pcs. 40В 100мА 250МГц 120
Transistor KT315G
Transistor KT315G
#6839
 23554 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN — — 150мВт 800 pcs. 35В 100мА 250МГц 350
Transistor KT315Zh
Transistor KT315Zh
#6841
 23558 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN — — 100мВт 800 pcs. 20В 50мА 250МГц 250
Transistor KT361V
Transistor KT361V
#6845
 23483 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Designed for use in high frequency amplifiers. 0.2 КТ-13 Bipolar DIP PNP — — 150мВт 1000pcs 40В 50мА 250МГц 160
Transistor KT361D
Transistor KT361D
#6847
 24623 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Designed for use in high frequency amplifiers. 0.2 КТ-13 Bipolar DIP PNP — — 150мВт 1000pcs 40В 50мА 250МГц 90
Transistor GT308B
Transistor GT308B
#6849
 25670 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
 — Transistors GT308B germanium diffusion-alloy structures pnp universal. Designed for use in oscillators, power amplifiers, pulse devices. 1.8 КТЮ-3-3 Bipolar DIP PNP — — 150мВт 100 pieces. 15В 50мА 120МГц 120
Transistor 1T308V (=GT308V)
Transistor 1T308V (=GT308V)
#6852
 25669 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Transistors 1T308V germanium diffusion-alloy structures pnp universal. Designed for use in oscillators, power amplifiers, pulse devices. 1.8 КТЮ-3-3 Bipolar DIP PNP — — 150мВт 100 pieces. 15В 50мА 120МГц 150
IRF640NL
IRF640NL
#6853
 — INTERNATIONAL RECTIFIER —
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
 — download datasheet IRF640NL pdf,249 KB 2.5 TO262 Field DIP MOS n-channel 200В 18А 150Вт 50pcs — — — —
IRF640
IRF640
#6854
 — VISHAY —
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
 — download datasheet IRF640 pdf,151 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 200В 18А 125Вт 50pcs — — — —
IRF730
IRF730
#6855
 — VISHAY —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — download datasheet IRF730 pdf,151 KB 2.8 TO220A Field DIP MOS n-channel 400В 5.5А 74Вт 50pcs — — — —
IRF8010L
IRF8010L
#6856
 — INTERNATIONAL RECTIFIER —
44 грн.
10+41,80 грн.
50+39,60 грн.
100+35,20 грн.
 — 2.5 TO262 Field DIP MOS n-channel 100В 80А 260Вт 50pcs — — — —
IRFB11N50A
IRFB11N50A
#6857
 — VISHAY —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 500В 11А 170Вт 50pcs — — — —
IRFB23N15D
IRFB23N15D
#6872
 — INTERNATIONAL RECTIFIER —
21 грн.
10+19,95 грн.
50+18,90 грн.
100+16,80 грн.
 — 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 150В 23А 136Вт 50pcs — — — —
IRFB23N20D
IRFB23N20D
#6873
 — INTERNATIONAL RECTIFIER —
27.20 грн.
10+25,84 грн.
50+24,48 грн.
100+21,76 грн.
 — download datasheet IRFB23N20D pdf,149 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 200В 24А 170Вт 50pcs — — — —
IRFB260N
IRFB260N
#6874
 — INTERNATIONAL RECTIFIER —
33.20 грн.
10+31,54 грн.
50+29,88 грн.
100+26,56 грн.
 — download datasheet IRFB260N pdf,97 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 200В 56А 380Вт 50pcs — — — —
IRFB3004
IRFB3004
#6875
 — INTERNATIONAL RECTIFIER —
56 грн.
10+53,20 грн.
50+50,40 грн.
100+44,80 грн.
 — download datasheet IRFB3004 pdf,468 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 40В 340А 380Вт 50pcs — — — —