Active radio components

Results: 8086

MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Type of shell Transistor case type Transistor type Mounting type Type of shell Urev. max, V Ipr. max. Appointment Diode type Structure Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain Stabilization voltage Zener diode housing type Breakdown voltage Diode design
20296 VISHAY 135 шт
6 грн.
100+5,40 грн.
200+4,80 грн.
500+4,20 грн.
0.5 — — — SMD DO-214AC, SMA 100V 3.0A — Schottky — — 1000pcs — — — — — — — single
21151 NXP 135 шт
18 грн.
10+16,20 грн.
50+14,40 грн.
2.5 — — — DIP TO-220F 600V 8A — — — — 50pcs — — — — — — — —
22515 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 135 шт
1.20 грн.
10+1,14 грн.
50+1,08 грн.
100+0,96 грн.
500+0,84 грн.
0.25 — TO92 Bipolar DIP — — — — — PNP 625мВт 1000pcs 40В 600мА — 300 — — — —
23817 СНГ 135 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Silicon planar npn phototransistor with a photosensitive element area of 0.64 mm2 is produced in a plastic case. 0.2 — — Photo — — — — — — NPN — 200pcs — — — — — — — —
26936 СНГ 135 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
The main technical characteristics of the transistor P216D: • Transistor structure: pnp • Рк t max - Constant power dissipation of the collector with a heat sink: 24 W; • fh21e - Limiting frequency of the current transfer coefficient of the transistor for circuits with a common emitter: not less than 0.1 MHz; • Ukbo samples - Breakdown voltage collector-base at a given reverse collector current and open emitter circuit: 50 V; • Uebo samples - Emitter-base breakdown voltage at a given emitter reverse current and collector open circuit: 15 V; • Ik max - Maximum allowable DC collector current: 7.5 A; • Ikbo - Reverse collector current - current through the collector junction at a given collector-base reverse voltage and an open emitter output: no more than 2 mA; • h21Э - Static current transfer coefficient for a circuit with a common emitter in a large signal mode: 15... 30; • Rke us - Saturation resistance between collector and emitter: no more than 0.25 Ohm. 10 — — Bipolar DIP — — — — — PNP 24Вт 20pcs 50В 7,5A 0,1МГц 30 — — — —
27706 СНГ 135 шт
10 грн.
50+9 грн.
200+8 грн.
500+7 грн.
The main technical characteristics of the KD248D diode: • Uopp max - Maximum direct reverse voltage: 600 V; • Inp max - Maximum forward current: 3 A; • fd - Operating frequency of the diode: 100 kHz; • Unp - DC forward voltage: no more than 1.4 V at Inp 3 A; • Iobr - Constant reverse current: no more than 40 μA at Uobr 600 V; • tvoc - Reverse recovery time: 0.25 µs. 1 — — — DIP — 600V 3.0A — Rectifier — — 200pcs — — — — — — — single
24622 СНГ 134 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Designed for use in high frequency amplifiers. 0.2 — КТ-13 Bipolar DIP — — — — — PNP 150мВт 1000pcs 25В 50мА 250МГц 90 — — — —
22060 СНГ 134 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Arithmetic logic unit (ALU). 1.5 DIP16 — — DIP — — — Logics — — — 100 pieces. — — — — — — — —
22522 KEC 134 шт
2.50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.5 — TO92MOD Bipolar DIP — — — — — PNP 1Вт 200pcs 30В 2А 120МГц 320 — — — —
23531 СНГ 134 шт
2.50 грн.
50+2,25 грн.
200+2 грн.
500+1,75 грн.
Diode assembly, each consisting of two diodes connected with a common anode. 0.3 — — — DIP — 300V 200mA — Rectifier — — 250pcs — — — — — — — double common anode
21915 СНГ 133 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Five-digit Johnson counter with preset. 1 DIP16 — — DIP — — — Logics — — — 90pcs — — — — — — — —
20183 VISHAY 133 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
30+5,40 грн.
50+4,80 грн.
DO-201 1.1 — — — DIP DO-201AD — — — Protective — 1.5кВт 200pcs — — — — — — 47V —
24013 СНГ 133 шт
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
The 228UV1 chip is a universal amplifier based on a single transistor. 2.1 — — — DIP — — — Amplifiers — — — 20pcs — — — — — — — —
20149 VISHAY 132 шт
8 грн.
100+7,20 грн.
200+6,40 грн.
500+5,60 грн.
1.6 — — — DIP DO-201AD 800V 3.0A — Fast — — 200pcs — — — — — — — single
25105 ON SEMICONDUCTOR 132 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
30+3,60 грн.
50+3,20 грн.
0.12 — — — SMD SC88 — — — Protective — 100Вт 3000pcs — — — — — — 6.8V assembly
21323 СНГ 131 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
The K176ID1 chip is a 4x10 decoder. 1.1 DIP16 — — DIP — — — Logics — — — 90pcs — — — — — — — —
21683 СНГ 131 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Dual digital selector-multiplexer 4-1. 1 DIP16 — — DIP — — — Logics — — — 100 pieces. — — — — — — — —
22793 СНГ 130 шт
15 грн.
50+13,50 грн.
200+12 грн.
500+10,50 грн.
Pillars of silicon, diffusion diodes, rectifiers. Designed for use in high-voltage secondary power supply units with additional sealing. 1.6 — — — DIP — 4kV 50mA — High voltage — — 100 pieces. — — — — — — — single
23550 СНГ 130 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Diodes KD221A silicon, diffusion. Designed to convert alternating voltage with a frequency of up to 50 kHz. 0.3 — — — DIP КД-5А 100V 700mA — Rectifier — — 500pcs — — — — — — — single
21259 СНГ 129 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Integrated circuit of the TTL series. KM155LA8 microcircuits are 4 2I-NOT logic elements with an open collector output (control element). Contains 32 integral elements. Housing type 201.14-1, weight no more than 1 g. Maximum permissible operating modes KM155LA8: - Supply voltage .......... 4.75 - 5.25 V - Low level input voltage .......... - High level input voltage .......... > 2.4V - Low level input current .......... - High level output current .......... - Load capacity .......... - The duration of the front and cut of the input pulse - Ambient temperature: - K155 .......... -10 + 70 °С - KM155 ......... - 45 + 85 ° С 1.2 DIP14 — — DIP — — — Logics — — — 100 pieces. — — — — — — — —
20189 VISHAY 129 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
30+6,30 грн.
50+5,60 грн.
DO-201 1.1 — — — DIP DO-201AD — — — Protective — 1.5кВт 200pcs — — — — — — 220V —
21400 СНГ 128 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Two logical elements 4OR-NOT. 1 DIP14 — — DIP — — — Logics — — — 100 pieces. — — — — — — — —
24132 СНГ 128 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Transistors P306 germanium alloy structures pnp universal. Designed for use in switching devices, output stages of low-frequency amplifiers, DC voltage converters. 10 — — Bipolar DIP — — — — — PNP 10Вт 40pcs 60В 400мА — 25 — — — —
24598 СНГ 128 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
3 logical elements 3I-NOT. 1 DIP14 — — DIP — — — Logics — — — 100 pieces. — — — — — — — —
26654 СНГ 126 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
ROM (512 x 8, p-MOS). 1.3 SO24 — — SMD — — — Memory — — — 140pcs — — — — — — — —
25117 GALAXY ELECTRICAL 125 шт
3 грн.
100+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
0.3 — — — SMD DO-214AB 100V 5A — Schottky — — 2000pcs — — — — — — — single
20217 Rectron Semiconductor 123 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Zener diode 2.0V 0.5W (BZX55C 2V0) 0.12 — — — DIP — — — — — — 500мВт 500pcs — — — — 2V0 DO-35 — —
22385 СНГ 123 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Silicon zener diode, planar, low power. 0.2 — — — DIP — — — — — — 125мВт 100 pieces. — — — — 22V kd2 — —
21697 СНГ 122 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Logic element 8I-NOT. 1.1 DIP14 — — DIP — — — Logics — — — 100 pieces. — — — — — — — —
22322 СНГ 122 шт
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
Electronic dialer with internal RAM for 22 digits for push-button telephones with pulse dialing. 2.1 DIP22 — — DIP — — — Telephony — — — 100 pieces. — — — — — — — —