Active radio components

Results: 8086

Sort by: Name Price Bestsellers Customer rating Date added In stock
MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Type of shell Transistor case type Transistor type Mounting type Type of shell Urev. max, V Ipr. max. Appointment Diode type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain Breakdown voltage Diode design
Chip TEA2025B
Chip TEA2025B
#10476
 22501 TEXAS INSTRUMENTS —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — 1 DIP16 — — DIP — — — Amplifiers — — — — — 25pcs — — — — — —
Chip TA2003P
Chip TA2003P
#10477
 22502 TOSHIBA —
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
 — 1 DIP16 — — DIP — — — radio reception — — — — — 25pcs — — — — — —
Transistor 2SC2482
Transistor 2SC2482
#10485
 22530 TOSHIBA —
2.50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
 — 0.5 — TO92L Bipolar DIP — — — — — NPN — — 900мВт 200pcs 300В 100мА 50МГц 150 — —
Transistor BC184C
Transistor BC184C
#10486
 22531 CDIL —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
 — 0.3 — TO92 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 350мВт 200pcs 30В 100мА 280МГц 900 — —
Diode DCH251-160x-7
Diode DCH251-160x-7
#10727
 22784 СНГ —
130 грн.
50+117 грн.
200+104 грн.
500+91 грн.
 — Fast recovery silicon diffusion diode. 110 — — — Cooler — 700V 160А — Rectifier — — — — 6pcs — — — — — single
Transistor KT683E
Transistor KT683E
#10731
 22796 СНГ —
3.50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
 — Transistors silicon planar structures npn universal. 0.7 — TO126 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 1.2Вт 200pcs 60В 1А 50МГц 480 — —
Transistor KT683A
Transistor KT683A
#10732
 22797 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — Transistors silicon planar structures npn universal. 0.7 — TO126 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 1.2Вт 200pcs 150В 1А 50МГц 480 — —
Transistor KT201AM
Transistor KT201AM
#10733
 22798 СНГ —
3.50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-planar structures p-p-p amplifying with non-normalized noise figure at a frequency of 1 kHz. 0.3 — TO92 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 150мВт 200pcs 20В 20мА 10МГц 60 — —
Transistor KT315D
Transistor KT315D
#10735
 23557 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 — КТ-13 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 150мВт 800 pcs. 40В 100мА 250МГц 90 — —
Transistor KT315R
Transistor KT315R
#10736
 — СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 — КТ-13 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 150мВт 800 pcs. 35В 100мА 250МГц 350 — —
P6KE12CA, Protective Diode Bidirectional, 600W, 12V
P6KE12CA, Protective Diode Bidirectional, 600W, 12V
#10737
 22802 ST MICROELECTRONICS —
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
 — 0.4 — — — DIP DO-15 — — — Protective — — — 600Вт 1000pcs — — — — 12V —
Chip 74HC245A (=HC245A)
Chip 74HC245A (=HC245A)
#10767
 22837 ON SEMICONDUCTOR —
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
 — 1 SO20 — — SMD — — — Logics — — — — — 1000pcs — — — — — —
Transistor KP301V Au
Transistor KP301V Au
#10768
 22838 СНГ —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
 — Silicon planar field-effect transistors with an insulated gate and an induced p-type channel. Designed for use in the input stages of low-noise amplifiers, nonlinear low-signal circuits, stages with high input impedance. 0.43 — КТ-14 Field DIP — — — — — MOS p-channel 20В 15мА 200мВт 100 pieces. — — — — — —
Transistor KT805IM
Transistor KT805IM
#10781
 22969 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial structures npn switching. Designed for use in line-scan output stages, ignition devices for internal combustion engines and other switching devices. 2.5 — TO220 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 30Вт 100 pieces. 70В 5А 20МГц 25 — —
Transistor MP38
Transistor MP38
#10783
 22971 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Transistor germanium alloyed pnp amplifying low-frequency with non-normalized noise figure. Designed to amplify low frequency signals. 1.8 — КТЮ-3-3 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 150мВт 100 pieces. 15В 20мА 2МГц 50 — —
Transistor KT606B
Transistor KT606B
#10786
 22974 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Transistor silicon epitaxial-planar structure npn generator. Designed for use in power amplifiers, frequency multipliers and self-oscillators at frequencies above 100 MHz with a supply voltage of 28 V. 5 — КТ-4-2 Bipolar Screw — — — — — NPN — — 2.5Вт 50pcs 65В 400мА 350МГц 15 — —
Transistor KT835B
Transistor KT835B
#10787
 22975 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Amplifying silicon mesaepitaxial-planar structure pnp transistor. Designed for use in amplifiers, converters and pulse devices. 2.5 — TO220 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 25Вт 100 pieces. 45В 3А 1МГц 100 — —
Transistor KT819G
Transistor KT819G
#10788
 22977 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Transistor silicon mesaepitaxial-planar structure npn switching. Designed for use in amplifiers and switching devices. 2.5 — TO220 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 60Вт 100 pieces. 100В 10А 3МГц 12 — —
Transistor KT819A
Transistor KT819A
#10789
 22978 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Transistor silicon mesaepitaxial-planar structure npn switching. Designed for use in amplifiers and switching devices. 2.5 — TO220 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 60Вт 100 pieces. 40В 10А 3МГц 15 — —
Transistor KT818G
Transistor KT818G
#10790
 22979 СНГ —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
 — Transistor silicon mesaepitaxial-planar structure pnp switching. Designed for use in amplifiers and switching devices. 2.5 — TO220 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 60Вт 100 pieces. 100В 10А 3МГц 12 — —
Transistor KT606A
Transistor KT606A
#10792
 22981 СНГ —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
 — Transistor silicon epitaxial-planar structure npn generator. Designed for use in power amplifiers, frequency multipliers and self-oscillators at frequencies above 100 MHz with a supply voltage of 28 V. 5 — КТ-4-2 Bipolar Screw — — — — — NPN — — 2.5Вт 50pcs 65В 400мА 350МГц 15 — —
Transistor KT818B
Transistor KT818B
#10794
 22983 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
 — Transistor silicon mesaepitaxial-planar structure pnp switching. Designed for use in amplifiers and switching devices. 2.5 — TO220 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 60Вт 100 pieces. 50В 10А 3МГц 20 — —
Transistor KT837A
Transistor KT837A
#10795
 22984 INTEGRAL —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-diffusion structures pnp switching. Designed for use in amplifiers and switching devices. 2.5 — TO220 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 30Вт 100 pieces. 70В 7,5A 1МГц 40 — —
Transistor KT940A
Transistor KT940A
#10798
 22988 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Silicon epitaxial-planar bipolar structure npn amplifying. 0.7 — TO126 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 10Вт 200pcs 300В 100мА 90МГц 25 — —
Transistor KT644B
Transistor KT644B
#10799
 22989 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Transistor KT644B silicon epitaxial-planar structure pnp universal. — — TO126 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 1Вт 200pcs 60В 1А 200МГц 300 — —
Transistor KT816B
Transistor KT816B
#10800
 22990 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Transistor KT816B silicon mesaepitaxial-planar structure pnp amplifying. 0.7 — TO126 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 25Вт 200pcs 45В 3А 3МГц 25 — —
Transistor KT814B
Transistor KT814B
#10801
 22991 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Transistor KT814B silicon mesaepitaxial-planar structure pnp amplifying. 0.7 — TO126 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 10Вт 200pcs 40В 1.5А 3МГц 40 — —
Transistor KT815G
Transistor KT815G
#10802
 22992 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Transistor KT815G silicon mesa-epitaxial-planar structure npn amplifying. 0.7 — TO126 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 10Вт 200pcs 100В 1.5А 3МГц 30 — —
Transistor KT3102DM
Transistor KT3102DM
#10803
 22993 СНГ —
2.50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
 — 0.3 — TO92 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 250мВт 1000pcs 30В 200мА — 500 — —
Transistor KT605BM
Transistor KT605BM
#10804
 22994 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — Transistor silicon mezaplanar structure npn. Designed for use in amplifiers, pulse and high-frequency switching devices. 0.7 — TO126 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 400мВт 200pcs 250В 100мА 40МГц 120 — —