Active radio components

Results: 8086

MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Type of shell Transistor case type Transistor type Mounting type Type of shell Urev. max, V Ipr. max. Appointment Diode type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain Breakdown voltage Diode design
22425 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Four germanium diffusion-alloy p-p-p switching high-frequency low-power transistors. 1.5 DIP Transistor Assembly 40pcs
22442 SEMIKRON
1,750 грн.
10+1 575 грн.
110 Screw 2kV 70A 1 PC.
22455 DC COMPONENTS
2 грн.
100+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
1 DIP DO-201AD 20V 3.0A Schottky 500pcs single
22456 DC COMPONENTS
2.20 грн.
100+1,98 грн.
200+1,76 грн.
500+1,54 грн.
1 DIP DO-201AD 30V 3.0A Schottky 500pcs single
22457 ST MICROELECTRONICS
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
2.8 TO-220-5 DIP Amplifiers 50pcs
22458 ON SEMICONDUCTOR
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
0.5 DIP8 DIP Amplifiers 50pcs
22459 UTC
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
0.5 SO8 DIP Amplifiers 1000pcs
22460 SMG
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Bipolar DIP NPN 50Вт 50pcs 60В 1000
22467 ST MICROELECTRONICS
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Bipolar DIP NPN 70Вт 50pcs 60В 1000
22477 ST MICROELECTRONICS
31 грн.
10+29,45 грн.
50+27,90 грн.
100+24,80 грн.
500+21,70 грн.
7.5 TO247 Bipolar DIP PNP 80Вт 30pcs 100В 10А 100
22483 INTERNATIONAL RECTIFIER
24 грн.
100+21,60 грн.
200+19,20 грн.
500+16,80 грн.
2.5 DIP TO-220 150V 20A Schottky 50pcs double common cathode
22486 TOSHIBA
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
1A 1000V 0.34 SMD SMA 1000V 1A Rectifier 2000pcs single
22488 TOSHIBA
1.50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 SMD SMA 40V 2A Schottky 2000pcs single
22492 DC COMPONENTS
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
100+7,50 грн.
2.5 DIP BR3 1000V 3.0A Diode bridge 200pcs
22494 SANKEN
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
500+6,30 грн.
2.5 TO220 Bipolar DIP NPN 50Вт 50pcs 400В 10МГц 30
22495 MOSPEC
9.50 грн.
10+9,02 грн.
50+8,55 грн.
100+7,60 грн.
500+6,65 грн.
2.5 TO220 Bipolar DIP NPN 25Вт 50pcs 50В 5МГц 320
22499 UTC
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.5 DIP8 DIP Amplifiers 50pcs
22500 NS
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
0.5 DIP8 DIP Amplifiers 50pcs
22501 TEXAS INSTRUMENTS
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
1 DIP16 DIP Amplifiers 25pcs
22502 TOSHIBA
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
1 DIP16 DIP radio reception 25pcs
22531 CDIL
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
0.3 TO92 Bipolar DIP NPN 350мВт 200pcs 30В 100мА 280МГц 900
22784 СНГ
130 грн.
50+117 грн.
200+104 грн.
500+91 грн.
Fast recovery silicon diffusion diode. 110 Cooler 700V 160А Rectifier 6pcs single
22796 СНГ
3.50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
Transistors silicon planar structures npn universal. 0.7 TO126 Bipolar DIP NPN 1.2Вт 200pcs 60В 50МГц 480
22797 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Transistors silicon planar structures npn universal. 0.7 TO126 Bipolar DIP NPN 1.2Вт 200pcs 150В 50МГц 480
22798 СНГ
3.50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
Transistors silicon epitaxial-planar structures p-p-p amplifying with non-normalized noise figure at a frequency of 1 kHz. 0.3 TO92 Bipolar DIP NPN 150мВт 200pcs 20В 20мА 10МГц 60
23557 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN 150мВт 800 pcs. 40В 100мА 250МГц 90
СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN 150мВт 800 pcs. 35В 100мА 250МГц 350
22802 ST MICROELECTRONICS
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Protective 600Вт 1000pcs 12V
22837 ON SEMICONDUCTOR
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
1 SO20 SMD Logics 1000pcs
22838 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Silicon planar field-effect transistors with an insulated gate and an induced p-type channel. Designed for use in the input stages of low-noise amplifiers, nonlinear low-signal circuits, stages with high input impedance. 0.43 КТ-14 Field DIP MOS p-channel 20В 15мА 200мВт 100 pieces.