Active radio components

Results: 8086

Sort by: Name Price Bestsellers Customer rating Date added In stock
MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Type of shell Transistor case type Transistor type Mounting type Type of shell Urev. max, V Ipr. max. Appointment Diode type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain Diode design
Transistor FGH40N60SMD
Transistor FGH40N60SMD
#12587
 24924 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
 — 6.5 — TO247 IGBT DIP — — — — — — — — 349Вт 30pcs 600В 40А — — —
Transistor FGH60N60SFD
Transistor FGH60N60SFD
#12588
 24175 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
92 грн.
10+87,40 грн.
50+82,80 грн.
100+73,60 грн.
 — 7 — TO247 IGBT DIP — — — — — — — — 378Вт 30pcs 600В 60А — — —
Transistor FGH60N60SMD
Transistor FGH60N60SMD
#12589
 24174 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
95 грн.
10+90,25 грн.
50+85,50 грн.
100+76 грн.
 — 7 — TO247 IGBT DIP — — — — — — — — 600Вт 30pcs 600В 60А — — —
Transistor IKW30N60H3 (=K30H603)
Transistor IKW30N60H3 (=K30H603)
#12590
 24172 INFINEON TECHNOLOGIES —
58 грн.
10+55,10 грн.
50+52,20 грн.
100+46,40 грн.
 — 7 — TO247 IGBT DIP — — — — — — — — 187Вт 30pcs 600В 30А — — —
Transistor IKW40N60H3 (=K40H603)
Transistor IKW40N60H3 (=K40H603)
#12591
 24171 INFINEON TECHNOLOGIES —
64 грн.
10+60,80 грн.
50+57,60 грн.
100+51,20 грн.
 — 7 — TO247 IGBT DIP — — — — — — — — 306Вт 30pcs 600В 40А — — —
Transistor IKW50N60H3 (=K50H603)
Transistor IKW50N60H3 (=K50H603)
#12592
 24170 INFINEON TECHNOLOGIES —
85 грн.
10+80,75 грн.
50+76,50 грн.
100+68 грн.
 — 7 — TO247 IGBT DIP — — — — — — — — 333Вт 30pcs 600В 50А — — —
Transistor FGL60N100BNTD (=G60N100BNTD)
Transistor FGL60N100BNTD (=G60N100BNTD)
#12593
 24161 ON SEMICONDUCTOR —
235 грн.
10+223,25 грн.
50+211,50 грн.
100+188 грн.
 — 8 — TO264 IGBT DIP — — — — — — — — 180Вт 25pcs 1кВ 60А — — —
Transistor SGT40N60NPFDPN (=40N60NPFD)
Transistor SGT40N60NPFDPN (=40N60NPFD)
#12594
 24160 Silan Semiconductor —
63 грн.
10+59,85 грн.
50+56,70 грн.
100+50,40 грн.
 — 5.7 — TO3P IGBT DIP — — — — — — — — 290Вт 30pcs 600В 40А — — —
Transistor GT50JR22 (=50JR22)
Transistor GT50JR22 (=50JR22)
#12595
 24159 TOSHIBA —
65 грн.
10+61,75 грн.
50+58,50 грн.
100+52 грн.
 — 5.7 — TO3P IGBT DIP — — — — — — — — 230Вт 25pcs 600В 50А — — —
Transistor SGT60N60FD1PN (=60N60FD1)
Transistor SGT60N60FD1PN (=60N60FD1)
#12596
 24158 Silan Semiconductor —
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
 — 5.7 — TO3P IGBT DIP — — — — — — — — 321Вт 30pcs 600В 60А — — —
Transistor FMH23N50E (=23N50E)
Transistor FMH23N50E (=23N50E)
#12597
 24157 FUJI —
39 грн.
10+37,05 грн.
50+35,10 грн.
100+31,20 грн.
 — 5.7 — TO3P Field DIP — — — — — MOS n-channel 500В 23А 315Вт 25pcs — — — — —
Transistor 2SK2370 (=K2370)
Transistor 2SK2370 (=K2370)
#12598
 24156 NEC —
46 грн.
10+43,70 грн.
50+41,40 грн.
100+36,80 грн.
 — 5.7 — TO3P Field DIP — — — — — MOS n-channel 500В 20А 140Вт 30pcs — — — — —
Transistor SVF3878PN (=3878)
Transistor SVF3878PN (=3878)
#12599
 24153 Silan Semiconductor —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
 — 5.7 — TO3P Field DIP — — — — — MOS n-channel 900В 9А 150Вт 30pcs — — — — —
Diode MUR3020WT
Diode MUR3020WT
#12600
 24152 ON SEMICONDUCTOR —
40 грн.
100+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
 — 6.5 — — — DIP TO-247 200V 2x15A — Fast — — — — 30pcs — — — — double common cathode
Diode STTH3003CW
Diode STTH3003CW
#12601
 24151 ST MICROELECTRONICS —
72 грн.
100+64,80 грн.
200+57,60 грн.
500+50,40 грн.
 — 4.5 — — — DIP TO-247 300V 2x15A — Fast — — — — 30pcs — — — — double common cathode
Diode RHRG30120
Diode RHRG30120
#12602
 24150 ON SEMICONDUCTOR —
48 грн.
100+43,20 грн.
200+38,40 грн.
500+33,60 грн.
 — 5 — — — DIP TO247-2 1200V 30A — Fast — — — — 30pcs — — — — single
Diode STTH6012W
Diode STTH6012W
#12603
 24149 ST MICROELECTRONICS —
120 грн.
100+108 грн.
200+96 грн.
500+84 грн.
 — 5 — — — DIP TO247-2 1200V 60A — Fast — — — — 30pcs — — — — single
Diode FF60UP30DN (=F60UP30DN, FFA60UP30DN)
Diode FF60UP30DN (=F60UP30DN, FFA60UP30DN)
#12609
 24089 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
54 грн.
100+48,60 грн.
200+43,20 грн.
500+37,80 грн.
 — 5 — — — DIP TO-3P 300V 2x30A — Fast — — — — 30pcs — — — — double common cathode
Diode FFA30U60DN (=F30U60DN, FF30U60DN)
Diode FFA30U60DN (=F30U60DN, FF30U60DN)
#12610
 24090 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
48 грн.
100+43,20 грн.
200+38,40 грн.
500+33,60 грн.
 — 5 — — — DIP TO-3P 600V 2x15A — Fast — — — — 30pcs — — — — double common cathode
Chip K174XA34
Chip K174XA34
#12621
 24927 СНГ —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
 — FM path of the radio receiver for receiving and processing signals with frequency modulation of the VHF range, as well as amplifying low-frequency signals. 1.1 DIP16 — — DIP — — — radio reception — — — — — 90pcs — — — — —
Chip KS561ID1
Chip KS561ID1
#12622
 24935 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Binary Decimal Decoder. 1.3 DIP16 — — DIP — — — Logics — — — — — 90pcs — — — — —
Chip TDA7021
Chip TDA7021
#12623
 24940 СНГ —
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
 — FM path of the radio receiver for receiving and processing signals with frequency modulation of the VHF range, as well as amplifying low-frequency signals. 1.2 DIP16 — — DIP — — — radio reception — — — — — 90pcs — — — — —
Chip A277D (=K1003PP1)
Chip A277D (=K1003PP1)
#12624
 24941 Telefunken —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — Designed to indicate the signal level on the LED lines. 1.2 DIP18 — — DIP — — — Drivers — — — — — 25pcs — — — — —
Transistor BSP17
Transistor BSP17
#12627
 24949 PHILIPS —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — 0.3 — SOT223 Field SMD — — — — — MOS n-channel 50В 3.2А 1.8Вт 1000pcs — — — — —
Diode MUR1660AC
Diode MUR1660AC
#12639
 24991 HKZ —
16 грн.
100+14,40 грн.
200+12,80 грн.
500+11,20 грн.
 — TO220-2pin(16A; 600V; 35ns). 2.5 — — — DIP TO-220 600V 16A — Fast — — — — 50pcs — — — — single
Diode SF28
Diode SF28
#12641
 24994 MIC —
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
 — 0.3 — — — DIP DO-15 600V 2A — Fast — — — — 500pcs — — — — single
Transistor 2T312V (=KT312V)
Transistor 2T312V (=KT312V)
#12642
 24998 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Transistors 2T312V silicon epitaxial-planar structures npn universal. Designed for use in switching devices, amplifiers and generators. 0.6 — КТЮ-3-1 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 225мВт 200pcs 30В 30мА 120МГц 250 —
Transistor 2T312A (=KT312A)
Transistor 2T312A (=KT312A)
#12643
 24999 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Transistors 2T312A silicon epitaxial-planar structures npn universal. Designed for use in switching devices, amplifiers and generators. 0.6 — КТЮ-3-1 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 225мВт 200pcs 30В 30мА 80МГц 100 —
Transistor 2T312B (=KT312B)
Transistor 2T312B (=KT312B)
#12644
 25000 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Transistors 2T312B silicon epitaxial-planar structures npn universal. Designed for use in switching devices, amplifiers and generators. 0.6 — КТЮ-3-1 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 225мВт 200pcs 30В 30мА 120МГц 100 —
Transistor 2T608A (=KT608A) Au
Transistor 2T608A (=KT608A) Au
#12645
 25001 СНГ —
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
 — Transistors 2T608A silicon epitaxial-planar structures npn switching. Designed for use in high-speed pulsed and high-frequency devices. 1.5 — КТЮ-3-6 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 500мВт 100 pieces. 60В 400мА 200МГц 80 —