Діоди вітчизняні
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне
Бренд «СНГ»
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип виводів | Тип корпусу | Діаметр корпусу D, мм | Довжина корпусу L, мм | Тип транзистора | Тип монтажу | Призначення | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Опір | Потужність резистора | Точність | Тип корпусу резистора |
|---|
| 26987 | СНГ | 9 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 6,8 кОм (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 6,8 кОм | — | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26984 | СНГ | 7 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 5,6 кОм (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 5,6 кОм | — | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26983 | СНГ | 1 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 3,3 кОм (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 3,3 кОм | — | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26981 | СНГ | 810 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 1,8 кОм (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 1,8 кОм | — | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26980 | СНГ | 12 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 1,3 ком (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 1,3 кОм | — | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26979 | СНГ | 1 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2910 Ом (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 910 Ом | 2 Вт | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26977 | СНГ | 69 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2620 Ом (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | 620 Ом | 2 Вт | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26976 | СНГ | 76 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2510 Ом (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 510 Ом | 2 Вт | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26970 | СНГ | 2 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 4,7 кОм (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 4,7 кОм | — | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26967 | СНГ | 9 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 8,2 Ом (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 8,2 Ом | 2 Вт | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26966 | СНГ | 1 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МОН-2 7,5 Ом (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | — | — | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 7,5 Ом | 2 Вт | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26952 | СНГ | 15 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2910 Ом (+/-10%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 910 Ом | 2 Вт | 10 % | металоплівковий | |||||||||
| 26951 | СНГ | 1 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 270 кОм (+/-10%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 270 кОм | — | 10 % | металоплівковий | |||||||||
| 26947 | СНГ | 7 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 36 кОм (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 36 кОм | — | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26945 | СНГ | 258 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2750 Ом (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | 750 Ом | 2 Вт | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26943 | СНГ | 406 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 1,0 кОм (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 1 кОм | — | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26942 | СНГ | 9 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 91 кОм (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 91 кОм | — | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26941 | СНГ | 6 шт |
2,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-2 1,5 Ом (+/-5%). | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 8 | 17 | — | DIP | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 1,5 Ом | 2 Вт | 5 % | металоплівковий | |||||||||
Транзистор П216Д
#14718
|
26936 | СНГ | 135 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П216Д: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 15...30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. | 10 | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | PNP | 24Вт | 20шт. | 50В | 7,5A | 0,1МГц | 30 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П306А
#14717
|
26935 | СНГ | 266 шт |
15 грн.
|
|
Транзистори П306А германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. | 10 | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | PNP | 10Вт | 40шт. | 80В | 400мА | — | 35 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П216В
#14716
|
26934 | СНГ | 227 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. | 10 | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | PNP | 24Вт | 20шт. | 30В | 7,5A | 0,1МГц | 30 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П216Б
#14715
|
26933 | СНГ | 115 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. | 10 | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | PNP | 24Вт | 20шт. | 30В | 7,5A | 0,1МГц | 10 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П216А
#14714
|
26932 | СНГ | 327 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 40 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...80; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. | 10 | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | PNP | 30Вт | 20шт. | 40В | 7,5A | 0,1МГц | 80 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П216
#14713
|
26931 | СНГ | 179 шт |
15 грн.
|
|
Транзистори П216 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. | 10 | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | PNP | 30Вт | 20шт. | 40В | 7,5A | 0,1МГц | 20 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П214
#14712
|
26930 | СНГ | 230 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 10 | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | PNP | 10Вт | 20шт. | 55В | 5А | 0,15МГц | 60 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П213Б
#14711
|
26929 | СНГ | 65 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 40; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,25 Ом. | 10 | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | PNP | 10Вт | 20шт. | 30В | 5А | 0,15МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П213
#14710
|
26928 | СНГ | 232 шт |
15 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 11,5 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,16 Ом. | 10 | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | PNP | 11,5Вт | 20шт. | 40В | 5А | 0,15МГц | 50 | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К1102АП16
#14709
|
26927 | СНГ | 1 шт |
8 грн.
|
|
Здвоєний швидкодіючий формувач імпульсів з прямим та інверсним виходом. | 0.5 | — | DIP8 | — | — | — | DIP | Логіка | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 26923 | СНГ | 10824 шт |
1 грн.
|
|
Резистор С2-23-0.5 620 Ом (+/-5%). | 0.5 | Гнучкі виводи | — | — | — | — | DIP | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | 620 Ом | 0,5 Вт | 5 % | металоплівковий | |||||||||
| 26922 | СНГ | 9839 шт |
1 грн.
|
|
Резистор С2-23-0.5 6,8 Ом (+/-10%). | 0.5 | Гнучкі виводи | — | — | — | — | DIP | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | 6,8 Ом | 0,5 Вт | 10 % | металоплівковий |
