Діоди вітчизняні
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне

Бренд «СНГ»

Результатів: 4144

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип виводів Тип корпусу Робоча напруга,В Діаметр корпусу D, мм Довжина корпусу L, мм Тип транзистора Тип монтажу Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Ємність Опір Потужність резистора Точність Тип корпусу резистора
26941 СНГ 6 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 1,5 Ом (+/-5%). 2.5 Гнучкі виводи 8 17 DIP 200шт. 1,5 Ом 2 Вт 5 % металоплівковий
26936 СНГ 135 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216Д: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 15...30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 24Вт 20шт. 50В 7,5A 0,1МГц 30
26935 СНГ 266 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П306А германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 Біполярний DIP PNP 10Вт 40шт. 80В 400мА 35
26934 СНГ 227 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 30
26933 СНГ 115 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 10
26932 СНГ 327 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 40 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...80; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 80
26931 СНГ 179 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П216 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 Біполярний DIP PNP 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 20
26930 СНГ 230 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 10Вт 20шт. 55В 0,15МГц 60
26929 СНГ 87 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 40; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,25 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 10Вт 20шт. 30В 0,15МГц 40
26928 СНГ 252 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 11,5 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,16 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 11,5Вт 20шт. 40В 0,15МГц 50
26927 СНГ 1 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Здвоєний швидкодіючий формувач імпульсів з прямим та інверсним виходом. 0.5 DIP8 DIP Логіка 200шт.
26923 СНГ 10824 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Резистор С2-23-0.5 620 Ом (+/-5%). 0.5 Гнучкі виводи DIP 2000шт. 620 Ом 0,5 Вт 5 % металоплівковий
26922 СНГ 9839 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Резистор С2-23-0.5 6,8 Ом (+/-10%). 0.5 Гнучкі виводи DIP 2000шт. 6,8 Ом 0,5 Вт 10 % металоплівковий
26921 СНГ 1956 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Резистор С2-23-0.5 510 Ом (+/-10%). 0.5 Гнучкі виводи DIP 2000шт. 510 Ом 0,5 Вт 10 % металоплівковий
26920 СНГ 4180 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
500+0,80 грн.
1000+0,70 грн.
Конденсатори керамічні одношарові, постійної ємності. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струмів та в імпульсних режимах. Конструкція корпусу ізольована прямокутна із односпрямованим розташуванням висновків. 0.5 Гнучкі виводи 50 DIP 1000шт. 390pF 10 %
26919 СНГ 35 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
500+0,80 грн.
1000+0,70 грн.
Конденсатори керамічні одношарові, постійної ємності. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струмів та в імпульсних режимах. Конструкція корпусу ізольована прямокутна із односпрямованим розташуванням висновків. 0.5 Гнучкі виводи 50 DIP 300шт. 22nF (0.022µF) +80-20%
26918 СНГ 117 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
500+0,80 грн.
1000+0,70 грн.
Конденсатори керамічні одношарові, постійної ємності. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струмів та в імпульсних режимах. Конструкція корпусу ізольована прямокутна із односпрямованим розташуванням висновків. 0.5 Гнучкі виводи 50 DIP 500шт. 10nF (0.01µF) +50% -20%
26917 СНГ 298 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
500+0,80 грн.
1000+0,70 грн.
Конденсатори керамічні одношарові, постійної ємності. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струмів та в імпульсних режимах. Конструкція корпусу ізольована прямокутна із односпрямованим розташуванням висновків. 0.4 Гнучкі виводи 50 DIP 500шт. 1.5nF (1500pF) +50% -20%
26916 СНГ 5316 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
500+0,80 грн.
1000+0,70 грн.
Конденсатори керамічні одношарові, постійної ємності. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струмів та в імпульсних режимах. Конструкція корпусу ізольована прямокутна із односпрямованим розташуванням висновків. 0.5 Гнучкі виводи 50 DIP 1000шт. 820pF 10 %
26915 СНГ 1956 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
500+0,80 грн.
1000+0,70 грн.
Конденсатори керамічні одношарові, постійної ємності. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та змінного струмів та в імпульсних режимах. Конструкція корпусу ізольована прямокутна із односпрямованим розташуванням висновків. 0.5 Гнучкі виводи 50 DIP 1000шт. 620pF 10 %
26914 СНГ 1969 шт
0,50 грн.
100+0,40 грн.
500+0,30 грн.
1000+0,25 грн.
Резистор С2-23-0,25 4,7 МОм (+/-10%). 0.12 Гнучкі виводи DIP 2500шт. 4,7 МОм 0,25 Вт 10 % металоплівковий
26913 СНГ 1733 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Резистор С2-23-0.5 100 Ом (+/-5%). 0.5 Гнучкі виводи DIP 2000шт. 100 Ом 0,5 Вт 5 % металоплівковий
26912 СНГ 3861 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Резистор С2-23-0.5 100 Ом (+/-10%). 0.5 Гнучкі виводи DIP 2000шт. 100 Ом 0,5 Вт 10 % металоплівковий
26911 СНГ 9639 шт
0,50 грн.
100+0,40 грн.
500+0,30 грн.
1000+0,25 грн.
Резистор С2-23-0,125Вт 33 кОм (+/-5%). 0.2 Гнучкі виводи DIP 2500шт. 33 кОм 5 % металоплівковий
26910 СНГ 9884 шт
0,50 грн.
100+0,40 грн.
500+0,30 грн.
1000+0,25 грн.
Резистори МЛТ-0,25 постійні металоплівкові лаковані теплостійкі. 0.2 Гнучкі виводи 2.5 7 DIP 2500шт. 5,1 МОм 0,25 Вт 5 % металоплівковий
26909 СНГ 1974 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Резистор С2-23-0.5 270 кОм (+/-5%). 0.5 Гнучкі виводи DIP 2000шт. 270 кОм 0,5 Вт 5 % металоплівковий
26908 СНГ 8087 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Резистор С2-23-0.5 270 кОм (+/-10%). 0.5 Гнучкі виводи DIP 2000шт. 270 кОм 0,5 Вт 10 % металоплівковий
26905 СНГ 34 шт
3 грн.
Основні технічні параметри варикапу КВ122А: • Сд min - Загальна місткість мінімальна: 2,3 пФ при Uобр 25 В; • Сд max – Загальна ємність максимальна: 2,8 пФ при Uобр 25 В; • Qв – Добротність варикапа: 450; • Iобр - Постійний зворотний струм: 0,2 мкА при Uобр 28 Ст. 0.06 DIP Варікап 20шт.
26904 СНГ 9387 шт
0,50 грн.
100+0,40 грн.
500+0,30 грн.
1000+0,25 грн.
Резистор С2-23-0,25 100 Ом (+/-5%). 0.12 Гнучкі виводи DIP 2500шт. 100 Ом 0,25 Вт 5 % металоплівковий
26884 СНГ 9154 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Резистор С2-23-0.5 3,9 Ом (+/-10%). Габарити: 10x4 mm, Dвив = 0,8 mm. 0.5 Гнучкі виводи 4 10 DIP 2000шт. 3,9 Ом 0,5 Вт 10 % металоплівковий