Диоды отечественные
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное
Бренд «СНГ»
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип выводов | Тип корпуса | Рабочее напряжение,В | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Емкость | Сопротивление | Мощность резистора | Точность | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Цвет |
|---|
|
Резистор ПЭВ-100 680 Ом 5%
#12310
|
24672 | СНГ | — |
100 грн.
|
— | Резисторы ПЭВ-100 постоянные проволочные, нагрузочные для навесного монтажа. Предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов радиоэлектронной аппаратуры. | 200 | Жесткие выводы | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1шт. | — | — | — | — | — | 680 Ом | 100 Вт | 5 % | — | — | — | ||||||||
|
Резистор ПЭ-150 100 Ом 10%
#12309
|
24671 | СНГ | — |
120 грн.
|
— | Проволочный эмалированный резистор с гибкими выводами, предназначен для работы в цепях постоянного и переменного тока с умеренным и холодным климатом. | 250 | Гибкие выводы | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1шт. | — | — | — | — | — | 100 Ом | 150 Вт | 10 % | — | — | — | ||||||||
|
Резистор ПЭВР-100 100 Ом 5%
#12308
|
24670 | СНГ | — |
105 грн.
|
— | Резисторы ПЭВР-100 постоянные проволочные, нагрузочные, с возможностью регулирования сопротивления перемещением хомутика, для навесного монтажа. Предназначен для работы в цепях постоянного и переменного токов радиоэлектронной аппаратуры. | 230 | Жесткие выводы | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1шт. | — | — | — | — | — | 100 Ом | 100 Вт | 5 % | — | — | — | ||||||||
|
Транзистор П422
#12280
|
24662 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные, маломощные с нормированным коэффицентом шума на частоте 1,6 МГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах каскадах ВЧ. | 1.5 | — | — | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | PNP | — | — | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 50МГц | 100 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Микросхема К140УД1Б Au
#12279
|
24661 | СНГ | — |
48 грн.
|
|
— | Микросхемы представляют собой операционые усилители средней точности без частотной коррекции. | 1.3 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | Усилители | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Тиристор 2У202Л (=КУ202Л)
#12278
|
24660 | СНГ | — |
35 грн.
|
— | Тиристоры кремниевые 2У202Л планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. | 11 | — | — | — | — | — | Винт | 300V | 10A | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Транзистор КТ808А с крепежом
#12276
|
24658 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ808А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ. | 30 | — | — | — | КТЮ-3-20 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 50Вт | 10шт. | 120В | 10А | — | 50 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ603Б Au
#12274
|
24656 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. | 1.5 | — | — | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 30В | 300мА | 200МГц | 60 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ601А Au
#12273
|
24655 | СНГ | — |
45 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ601А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 40 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 16; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 600 пс. | 2 | — | — | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 500мВт | 100шт. | 100В | 30мА | 40МГц | 25 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор МП37
#12272
|
24654 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзисторы МП37 германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. | 1.8 | — | — | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор П28
#12271
|
24653 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзисторы П28 - германиевые, усилительные, малой мощности низкочастотные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1КГц, структуры - p-n-p. | 1.8 | — | — | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 5МГц | 200 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор П27
#12270
|
24652 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы П27 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. | 1.8 | — | — | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | PNP | — | — | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 1МГц | 100 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ3102А
#12269
|
24651 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 100...250; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс. | 0.34 | — | — | — | КТ-1 | — | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 250мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 300МГц | 250 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
| 24650 | СНГ | — |
40 грн.
|
— | Одноразрядные цифро-буквенные индикаторы АЛС324Б1 с высотой цифры 7,5 мм из семи сегментов с децимальной точкой. Изготавливаются на основе светодиодных структур галлий-фосфор-мышьяк по эпитаксиально-диффузионной технологии. | 1.6 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Красный | |||||||||
|
Транзистор КП303Е Au
#12267
|
24649 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 0.4 | — | — | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | — | — | МОП n-канальный | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ817В
#12266
|
24648 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817В кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | — | — | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 60В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ817А
#12265
|
24647 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817А кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | — | — | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 40В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ940Б
#12264
|
24646 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | — | — | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 10Вт | 200шт. | 250В | 100мА | 90МГц | 25 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Микросхема КР544УД1А
#12263
|
24645 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Микросхемы КР544УД1А представляют собой операционные дифференциальные усилители с высоким входным сопротивлением и низким уровнем входных токов, с внутренней частотной коррекцией, обеспечивающей устойчивую работу при любых режимах отрицательной обратной связи, включая режимы интеграторов и повторителей напряжения. | 0.5 | — | DIP8 | — | — | — | DIP | — | — | Усилители | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Тиристор КУ202Д1
#12262
|
24644 | СНГ | — |
15 грн.
|
— | Тиристоры кремниевые КУ202Д1 планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. | 2.1 | — | — | — | — | — | DIP | 100V | 10A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Транзистор КТ812В
#12261
|
24643 | СНГ | — |
50 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. | 16 | — | — | — | kt-9 | Биполярный | DIP | — | — | — | NPN | — | — | 50Вт | 20шт. | 200В | 8А | 3МГц | 10 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
| 24636 | СНГ | — |
18 грн.
|
— | К71-7В конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. | 7.5 | Гибкие выводы | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | 200nF (0.2µF) | — | — | 2 % | — | — | — | |||||||||
| 24635 | СНГ | — |
15 грн.
|
— | К71-7 конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. | 7.5 | Гибкие выводы | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | 200nF (0.2µF) | — | — | 5 % | — | — | — | |||||||||
| 24634 | СНГ | — |
10 грн.
|
— | К71-7В конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. | 5 | Гибкие выводы | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 75шт. | — | — | — | — | 100nF (0.1µF) | — | — | 5 % | — | — | — | |||||||||
| 24633 | СНГ | — |
12 грн.
|
— | К71-7 конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. | 5 | Гибкие выводы | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 75шт. | — | — | — | — | 100nF (0.1µF) | — | — | 2 % | — | — | — | |||||||||
| 24632 | СНГ | — |
15 грн.
|
— | К71-7 конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. | 5 | Гибкие выводы | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 75шт. | — | — | — | — | 100nF (0.1µF) | — | — | 1 % | — | — | — | |||||||||
|
Микросхема К142ЕН6А (К16) Au
#12246
|
27628 | СНГ | — |
270 грн.
|
|
— | Микросхема К142ЕН6А представляет собой двухполярный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением ±15 В и током нагрузки 200 мА. При эксплуатации допускается подключение нагрузки к какому-либо одному или одновременно к двум входам (каналам) микросхемы. | 2.5 | — | — | — | — | — | SMD | — | — | Питание | — | — | — | — | 5шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Стабилитрон Д818Д
#12244
|
24626 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Основные технические параметры стабилитрона Д818Д: • Номинальное напряжение стабилизации: 9 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 7,6... 10 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0,002 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 0,12 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 0.8 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | 9V | kd-8 | — | |||||||
| 24625 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Стабилитроны 2С156А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 3...55 мА. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. | 0.8 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | 5V6 | — | — | ||||||||
| 24624 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Стабилитроны 2С168А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 6,8 В в диапазоне токов стабилизации 3...45 мА. | 0.2 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | 6V8 | — | — |