Диоды отечественные
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное

Бренд «СНГ»

Результатов: 4144

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип выводов Тип корпуса Рабочее напряжение,В Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Емкость Точность Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Цвет Конструкция диода
24650 СНГ —
40 грн.
— Одноразрядные цифро-буквенные индикаторы АЛС324Б1 с высотой цифры 7,5 мм из семи сегментов с децимальной точкой. Изготавливаются на основе светодиодных структур галлий-фосфор-мышьяк по эпитаксиально-диффузионной технологии. 1.6 — — — — — DIP — — — — — — — — — — 20шт. — — — — — — — — Красный —
24649 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 — — — КТ-1 Полевой DIP — — — — — — МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — — — — — — — —
24648 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзистор КТ817В кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 — — — TO126 Биполярный DIP — — — — — — NPN — — 25Вт 200шт. 60В 3А 3МГц 40 — — — — — —
24647 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— Транзистор КТ817А кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 — — — TO126 Биполярный DIP — — — — — — NPN — — 25Вт 200шт. 40В 3А 3МГц 40 — — — — — —
24646 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный структуры n-p-n усилительный. 0.7 — — — TO126 Биполярный DIP — — — — — — NPN — — 10Вт 200шт. 250В 100мА 90МГц 25 — — — — — —
24645 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Микросхемы КР544УД1А представляют собой операционные дифференциальные усилители с высоким входным сопротивлением и низким уровнем входных токов, с внутренней частотной коррекцией, обеспечивающей устойчивую работу при любых режимах отрицательной обратной связи, включая режимы интеграторов и повторителей напряжения. 0.5 — DIP8 — — — DIP — — — — Усилители — — — — — 200шт. — — — — — — — — — —
24644 СНГ —
15 грн.
— Тиристоры кремниевые КУ202Д1 планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. 2.1 — — — — — DIP — 100V 10A — — — — — — — 50шт. — — — — — — — — — —
24643 СНГ —
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
— Основные технические характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 16 — — — kt-9 Биполярный DIP — — — — — — NPN — — 50Вт 20шт. 200В 8А 3МГц 10 — — — — — —
24636 СНГ —
18 грн.
— К71-7В конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. 7.5 Гибкие выводы — 250 — — DIP — — — — — — — — — — 50шт. — — — — 200nF (0.2µF) 2 % — — — —
24635 СНГ —
15 грн.
— К71-7 конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. 7.5 Гибкие выводы — 250 — — DIP — — — — — — — — — — 50шт. — — — — 200nF (0.2µF) 5 % — — — —
24634 СНГ —
10 грн.
— К71-7В конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. 5 Гибкие выводы — 250 — — DIP — — — — — — — — — — 75шт. — — — — 100nF (0.1µF) 5 % — — — —
24633 СНГ —
12 грн.
— К71-7 конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. 5 Гибкие выводы — 250 — — DIP — — — — — — — — — — 75шт. — — — — 100nF (0.1µF) 2 % — — — —
24632 СНГ —
15 грн.
— К71-7 конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. 5 Гибкие выводы — 250 — — DIP — — — — — — — — — — 75шт. — — — — 100nF (0.1µF) 1 % — — — —
27628 СНГ —
270 грн.
10+256,50 грн.
50+243 грн.
100+216 грн.
— Микросхема К142ЕН6А представляет собой двухполярный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением ±15 В и током нагрузки 200 мА. При эксплуатации допускается подключение нагрузки к какому-либо одному или одновременно к двум входам (каналам) микросхемы. 2.5 — — — — — SMD — — — — Питание — — — — — 5шт. — — — — — — — — — —
24626 СНГ —
20 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
250+15 грн.
— Основные технические параметры стабилитрона Д818Д: • Номинальное напряжение стабилизации: 9 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 7,6... 10 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0,002 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 0,12 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 0.8 — — — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 100шт. — — — — — — 9V kd-8 — —
24625 СНГ —
40 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
250+30 грн.
— Стабилитроны 2С156А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 3...55 мА. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. 0.8 — — — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 100шт. — — — — — — 5V6 — — —
24624 СНГ —
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
— Стабилитроны 2С168А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 6,8 В в диапазоне токов стабилизации 3...45 мА. 0.2 — — — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 500шт. — — — — — — 6V8 — — —
24621 СНГ —
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
— Стабилитроны 2С133А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,3 В в диапазоне токов стабилизации 3...81 мА. 0.8 — — — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 200шт. — — — — — — 3V3 — — —
24620 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
— Стабилитроны Д814Д кремниевые, сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 11,5-14,0 В в диапазоне токов стабилизации 3...24 мА. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип стабилитрона приводится на корпусе. 0.8 — — — — — DIP — — — — — — — — — 340мВт 200шт. — — — — — — 13V — — —
24618 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
— К574УД1Б Микросхемы изготовлены по совмещенной биполярно-полевой технологии (BIFET). Микросхемы К574УД1Б представляют собой быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением. Предназначены для построения схем выборки и хранения, высокоомных широкополосных усилителей и компараторов, широкополосных генераторов с большим выходным напряжением. Не имеют внутренней частотой коррекции. 1 — — — — — DIP — — — — Усилители — — — — — 50шт. — — — — — — — — — —
24616 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзистор КТ816В кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 — — — TO126 Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 25Вт 200шт. 60В 3А 3МГц 25 — — — — — —
24610 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
— Основные технические характеристики транзистора П210А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 15. 34 — — — — Биполярный DIP — — — — — — PNP — — 60Вт 10шт. 65В 12А — 15 — — — — — —
24609 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
— Основные технические характеристики транзистора 2Т809А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом. 22 — — — КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — — NPN — — 40Вт 20шт. 400В 5А — 100 — — — — — —
24605 СНГ —
9 грн.
50+8,10 грн.
200+7,20 грн.
500+6,30 грн.
— Основные технические характеристики диода 2Д202Д: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 200 В. 5 — — — — — Винт КДЮ-11 200V 5A — — Выпрямительный — — — — 100шт. — — — — — — — — — одиночный
24602 СНГ —
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
— Основные технические характеристики диода Д232А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 400 В. 11 — — — — — Винт КДЮ-11 400V 10A — — Выпрямительный — — — — 40шт. — — — — — — — — — одиночный
24601 СНГ —
90 грн.
— Т25-7 Тиристор низкочастотный штыревого исполнения. Тиристоры Т25-7 предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок частотой до 500 Гц. Выпускаются в корпусе с гибким выводом. Максимально допустимый средний прямой ток в открытом состоянии - 25 А Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение - 700 В Охлаждение воздушное естественное или принудительное. Обозначение типономинала приводятся на корпусе. Габаритные размеры: - общая длина - 150 мм - длина шпильки - 16 мм - резьба - М10. 135 — — — — — Винт — 700V 25A — — — — — — — 1шт. — — — — — — — — — —
24595 СНГ —
20 грн.
— Основные технические параметры тиристора 2У201И: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 200 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 11 — — — — — Винт — 200V — 30A — — — — — — 40шт. — — — — — — — — — —
24594 СНГ —
15 грн.
— Основные технические параметры тиристора 2У201Л: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 300 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 11 — — — — — Винт — 300V — 30A — — — — — — 40шт. — — — — — — — — — —
24592 СНГ —
20 грн.
— Тиристоры кремниевые КУ202И планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. 11 — — — — — Винт — 200V 10A — — — — — — — 40шт. — — — — — — — — — —
24586 СНГ —
2 грн.
— К31-11 - конденсаторы слюдяные окукленые - предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего тока и в импульсных режимах. Выводы гибкие проволочные. Конденсаторы предназначены для навесного и печатного монтажа. 0.6 Гибкие выводы — 250 — — DIP — — — — — — — — — — 100шт. — — — — 470pF 5 % — — — —