Диоды отечественные
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное

Бренд «СНГ»

Результатов: 4144

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип выводов Тип корпуса Рабочее напряжение,В Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Емкость Сопротивление Мощность резистора Точность Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Цвет
24672 СНГ
100 грн.
Резисторы ПЭВ-100 постоянные проволочные, нагрузочные для навесного монтажа. Предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов радиоэлектронной аппаратуры. 200 Жесткие выводы DIP 1шт. 680 Ом 100 Вт 5 %
24671 СНГ
120 грн.
Проволочный эмалированный резистор с гибкими выводами, предназначен для работы в цепях постоянного и переменного тока с умеренным и холодным климатом. 250 Гибкие выводы DIP 1шт. 100 Ом 150 Вт 10 %
24670 СНГ
105 грн.
Резисторы ПЭВР-100 постоянные проволочные, нагрузочные, с возможностью регулирования сопротивления перемещением хомутика, для навесного монтажа. Предназначен для работы в цепях постоянного и переменного токов радиоэлектронной аппаратуры. 230 Жесткие выводы DIP 1шт. 100 Ом 100 Вт 5 %
24662 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные, маломощные с нормированным коэффицентом шума на частоте 1,6 МГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах каскадах ВЧ. 1.5 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 50МГц 100
24661 СНГ
48 грн.
10+45,60 грн.
50+43,20 грн.
100+38,40 грн.
Микросхемы представляют собой операционые усилители средней точности без частотной коррекции. 1.3 DIP Усилители 20шт.
24660 СНГ
35 грн.
Тиристоры кремниевые 2У202Л планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. 11 Винт 300V 10A 40шт.
24658 СНГ
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ808А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ. 30 КТЮ-3-20 Биполярный DIP NPN 50Вт 10шт. 120В 10А 50
24656 СНГ
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN 500мВт 100шт. 30В 300мА 200МГц 60
24655 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ601А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 40 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 16; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 600 пс. 2 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN 500мВт 100шт. 100В 30мА 40МГц 25
24654 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы МП37 германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 30
24653 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы П28 - германиевые, усилительные, малой мощности низкочастотные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1КГц, структуры - p-n-p. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 30мВт 100шт. 6mA 5МГц 200
24652 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы П27 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 30мВт 100шт. 6mA 1МГц 100
24651 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 100...250; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс. 0.34 КТ-1 DIP NPN 250мВт 100шт. 50В 200мА 300МГц 250
24650 СНГ
40 грн.
Одноразрядные цифро-буквенные индикаторы АЛС324Б1 с высотой цифры 7,5 мм из семи сегментов с децимальной точкой. Изготавливаются на основе светодиодных структур галлий-фосфор-мышьяк по эпитаксиально-диффузионной технологии. 1.6 DIP 20шт. Красный
24649 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт.
24648 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистор КТ817В кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 25Вт 200шт. 60В 3МГц 40
24647 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор КТ817А кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 25Вт 200шт. 40В 3МГц 40
24646 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 10Вт 200шт. 250В 100мА 90МГц 25
24645 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Микросхемы КР544УД1А представляют собой операционные дифференциальные усилители с высоким входным сопротивлением и низким уровнем входных токов, с внутренней частотной коррекцией, обеспечивающей устойчивую работу при любых режимах отрицательной обратной связи, включая режимы интеграторов и повторителей напряжения. 0.5 DIP8 DIP Усилители 200шт.
24644 СНГ
15 грн.
Тиристоры кремниевые КУ202Д1 планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. 2.1 DIP 100V 10A 50шт.
24643 СНГ
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 16 kt-9 Биполярный DIP NPN 50Вт 20шт. 200В 3МГц 10
24636 СНГ
18 грн.
К71-7В конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. 7.5 Гибкие выводы 250 DIP 50шт. 200nF (0.2µF) 2 %
24635 СНГ
15 грн.
К71-7 конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. 7.5 Гибкие выводы 250 DIP 50шт. 200nF (0.2µF) 5 %
24634 СНГ
10 грн.
К71-7В конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. 5 Гибкие выводы 250 DIP 75шт. 100nF (0.1µF) 5 %
24633 СНГ
12 грн.
К71-7 конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. 5 Гибкие выводы 250 DIP 75шт. 100nF (0.1µF) 2 %
24632 СНГ
15 грн.
К71-7 конденсаторы полистирольные металлизированные однослойные. Выпускаются в прямоугольных корпусах с проволочными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. 5 Гибкие выводы 250 DIP 75шт. 100nF (0.1µF) 1 %
27628 СНГ
270 грн.
10+256,50 грн.
50+243 грн.
100+216 грн.
Микросхема К142ЕН6А представляет собой двухполярный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением ±15 В и током нагрузки 200 мА. При эксплуатации допускается подключение нагрузки к какому-либо одному или одновременно к двум входам (каналам) микросхемы. 2.5 SMD Питание 5шт.
24626 СНГ
20 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
250+15 грн.
Основные технические параметры стабилитрона Д818Д: • Номинальное напряжение стабилизации: 9 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 7,6... 10 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0,002 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 0,12 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 0.8 DIP 300мВт 100шт. 9V kd-8
24625 СНГ
40 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
250+30 грн.
Стабилитроны 2С156А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 3...55 мА. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. 0.8 DIP 300мВт 100шт. 5V6
24624 СНГ
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
Стабилитроны 2С168А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 6,8 В в диапазоне токов стабилизации 3...45 мА. 0.2 DIP 300мВт 500шт. 6V8