Диоды отечественные
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное
Бренд «СНГ»
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип выводов | Тип корпуса | Рабочее напряжение,В | Диаметр корпуса D,мм | Длина корпуса L,мм | Тип транзистора | Тип монтажа | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Емкость | Сопротивление | Мощность резистора | Точность | Тип корпуса резистора |
|---|
Транзистор П306А
#14717
|
26935 | СНГ | 266 шт |
15 грн.
|
|
Транзисторы П306А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. | 10 | — | — | — | — | — | Биполярный | DIP | — | — | PNP | 10Вт | 40шт. | 80В | 400мА | — | 35 | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П216В
#14716
|
26934 | СНГ | 227 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 30; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 10 | — | — | — | — | — | Биполярный | DIP | — | — | PNP | 24Вт | 20шт. | 30В | 7,5A | 0,1МГц | 30 | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П216Б
#14715
|
26933 | СНГ | 115 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 10 | — | — | — | — | — | Биполярный | DIP | — | — | PNP | 24Вт | 20шт. | 30В | 7,5A | 0,1МГц | 10 | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П216А
#14714
|
26932 | СНГ | 327 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 80; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом. | 10 | — | — | — | — | — | Биполярный | DIP | — | — | PNP | 30Вт | 20шт. | 40В | 7,5A | 0,1МГц | 80 | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П216
#14713
|
26931 | СНГ | 179 шт |
15 грн.
|
|
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. | 10 | — | — | — | — | — | Биполярный | DIP | — | — | PNP | 30Вт | 20шт. | 40В | 7,5A | 0,1МГц | 20 | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П214
#14712
|
26930 | СНГ | 230 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...60; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. | 10 | — | — | — | — | — | Биполярный | DIP | — | — | PNP | 10Вт | 20шт. | 55В | 5А | 0,15МГц | 60 | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П213Б
#14711
|
26929 | СНГ | 87 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом. | 10 | — | — | — | — | — | Биполярный | DIP | — | — | PNP | 10Вт | 20шт. | 30В | 5А | 0,15МГц | 40 | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П213
#14710
|
26928 | СНГ | 252 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,16 Ом. | 10 | — | — | — | — | — | Биполярный | DIP | — | — | PNP | 11,5Вт | 20шт. | 40В | 5А | 0,15МГц | 50 | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К1102АП16
#14709
|
26927 | СНГ | 1 шт |
8 грн.
|
|
Сдвоенный быстродействующий формирователь импульсов с прямым и инверсным выходом. | 0.5 | — | DIP8 | — | — | — | — | DIP | Логика | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 26923 | СНГ | 10824 шт |
1 грн.
|
|
Резистор С2-23-0.5 620 Ом (+/-5%). | 0.5 | Гибкие выводы | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | 620 Ом | 0,5 Вт | 5 % | металлопленочный | |||||||||
| 26922 | СНГ | 9839 шт |
1 грн.
|
|
Резистор С2-23-0.5 6,8 Ом (+/-10%). | 0.5 | Гибкие выводы | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | 6,8 Ом | 0,5 Вт | 10 % | металлопленочный | |||||||||
| 26921 | СНГ | 1956 шт |
1 грн.
|
|
Резистор С2-23-0.5 510 Ом (+/-10%). | 0.5 | Гибкие выводы | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | 510 Ом | 0,5 Вт | 10 % | металлопленочный | |||||||||
| 26920 | СНГ | 4180 шт |
1 грн.
|
|
Конденсаторы керамические однослойные, постоянной ёмкости. Предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов и в импульсных режимах. Конструкция корпуса изолированная прямоугольная с однонаправленным расположением выводов. | 0.5 | Гибкие выводы | — | 50 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | 390pF | — | — | 10 % | — | |||||||||
| 26919 | СНГ | 35 шт |
1 грн.
|
|
Конденсаторы керамические однослойные, постоянной ёмкости. Предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов и в импульсных режимах. Конструкция корпуса изолированная прямоугольная с однонаправленным расположением выводов. | 0.5 | Гибкие выводы | — | 50 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 300шт. | — | — | — | — | 22nF (0.022µF) | — | — | +80-20% | — | |||||||||
| 26918 | СНГ | 117 шт |
1 грн.
|
|
Конденсаторы керамические однослойные, постоянной ёмкости. Предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов и в импульсных режимах. Конструкция корпуса изолированная прямоугольная с однонаправленным расположением выводов. | 0.5 | Гибкие выводы | — | 50 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | 10nF (0.01µF) | — | — | +50% -20% | — | |||||||||
| 26917 | СНГ | 298 шт |
1 грн.
|
|
Конденсаторы керамические однослойные, постоянной ёмкости. Предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов и в импульсных режимах. Конструкция корпуса изолированная прямоугольная с однонаправленным расположением выводов. | 0.4 | Гибкие выводы | — | 50 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | 1.5nF (1500pF) | — | — | +50% -20% | — | |||||||||
| 26916 | СНГ | 5316 шт |
1 грн.
|
|
Конденсаторы керамические однослойные, постоянной ёмкости. Предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов и в импульсных режимах. Конструкция корпуса изолированная прямоугольная с однонаправленным расположением выводов. | 0.5 | Гибкие выводы | — | 50 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | 820pF | — | — | 10 % | — | |||||||||
| 26915 | СНГ | 1956 шт |
1 грн.
|
|
Конденсаторы керамические однослойные, постоянной ёмкости. Предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов и в импульсных режимах. Конструкция корпуса изолированная прямоугольная с однонаправленным расположением выводов. | 0.5 | Гибкие выводы | — | 50 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | 620pF | — | — | 10 % | — | |||||||||
| 26914 | СНГ | 1969 шт |
0,50 грн.
|
|
Резистор С2-23-0,25 4,7 МОм (+/-10%). | 0.12 | Гибкие выводы | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | 4,7 МОм | 0,25 Вт | 10 % | металлопленочный | |||||||||
| 26913 | СНГ | 1733 шт |
1 грн.
|
|
Резистор С2-23-0.5 100 Ом (+/-5%). | 0.5 | Гибкие выводы | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | 100 Ом | 0,5 Вт | 5 % | металлопленочный | |||||||||
| 26912 | СНГ | 3861 шт |
1 грн.
|
|
Резистор С2-23-0.5 100 Ом (+/-10%). | 0.5 | Гибкие выводы | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | 100 Ом | 0,5 Вт | 10 % | металлопленочный | |||||||||
| 26911 | СНГ | 9639 шт |
0,50 грн.
|
|
Резистор С2-23-0,125Вт 33 кОм (+/-5%). | 0.2 | Гибкие выводы | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | 33 кОм | — | 5 % | металлопленочный | |||||||||
| 26910 | СНГ | 9884 шт |
0,50 грн.
|
|
Резисторы МЛТ-0,25 постоянные металлопленочные лакированные теплостойкие. | 0.2 | Гибкие выводы | — | — | 2.5 | 7 | — | DIP | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | 5,1 МОм | 0,25 Вт | 5 % | металлопленочный | |||||||||
| 26909 | СНГ | 1974 шт |
1 грн.
|
|
Резистор С2-23-0.5 270 кОм (+/-5%). | 0.5 | Гибкие выводы | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | 270 кОм | 0,5 Вт | 5 % | металлопленочный | |||||||||
| 26908 | СНГ | 8087 шт |
1 грн.
|
|
Резистор С2-23-0.5 270 кОм (+/-10%). | 0.5 | Гибкие выводы | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | 270 кОм | 0,5 Вт | 10 % | металлопленочный | |||||||||
Варикап КВ122А
#14688
|
26905 | СНГ | 34 шт |
3 грн.
|
Основные технические параметры варикапа КВ122А: • Сд min - Общая емкость минимальная: 2,3 пФ при Uобр 25 В; • Сд max - Общая емкость максимальная: 2,8 пФ при Uобр 25 В; • Qв - Добротность варикапа: 450; • Iобр - Постоянный обратный ток: 0,2 мкА при Uобр 28 В. | 0.06 | — | — | — | — | — | — | DIP | — | Варикап | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 26904 | СНГ | 9387 шт |
0,50 грн.
|
|
Резистор С2-23-0,25 100 Ом (+/-5%). | 0.12 | Гибкие выводы | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | 100 Ом | 0,25 Вт | 5 % | металлопленочный | |||||||||
| 26884 | СНГ | 9154 шт |
1 грн.
|
|
Резистор С2-23-0.5 3,9 Ом (+/-10%). Габариты: 10x4 mm, Dвыв=0,8 mm. | 0.5 | Гибкие выводы | — | — | 4 | 10 | — | DIP | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | 3,9 Ом | 0,5 Вт | 10 % | металлопленочный | |||||||||
| 26883 | СНГ | 10337 шт |
1 грн.
|
|
Резистор МЛТ-0,5 240 Ом (+/-5%). | 0.5 | Гибкие выводы | — | — | 4 | 10 | — | DIP | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | 240 Ом | 0,5 Вт | 5 % | металлопленочный | |||||||||
| 26882 | СНГ | 395 шт |
1,50 грн.
|
|
Резистор МЛТ-1 20 кОм (+/-5%) 1Вт. | 1.1 | Гибкие выводы | — | — | 6 | 12 | — | DIP | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | 20 кОм | 1 Вт | 5 % | металлопленочный |
