Диоды отечественные
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное

Бренд «СНГ»

Результатов: 4144

Сортировать: Новые и популярные Название Цена Хиты продаж Оценка покупателей Дата добавления На складе
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип выводов Тип корпуса Диаметр корпуса D,мм Длина корпуса L,мм Тип транзистора Тип монтажа Назначение Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Сопротивление Мощность резистора Точность Тип корпуса резистора
Резистор МЛТ-2 6,8 кОм (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 6,8 кОм (+/-5%)
#14770
 26987 СНГ 9 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 6,8 кОм (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 6,8 кОм — 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 5,6 кОм (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 5,6 кОм (+/-5%)
#14767
 26984 СНГ 7 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 5,6 кОм (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 5,6 кОм — 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 3,3 кОм (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 3,3 кОм (+/-5%)
#14766
 26983 СНГ 1 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 3,3 кОм (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 3,3 кОм — 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 1,8 кОм (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 1,8 кОм (+/-5%)
#14764
 26981 СНГ 810 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 1,8 кОм (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 1,8 кОм — 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 1,3 кОм (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 1,3 кОм (+/-5%)
#14763
 26980 СНГ 12 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 1,3 кОм (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 1,3 кОм — 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 910 Ом (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 910 Ом (+/-5%)
#14762
 26979 СНГ 1 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 910 Ом (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 910 Ом 2 Вт 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 620 Ом (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 620 Ом (+/-5%)
#14760
 26977 СНГ 69 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 620 Ом (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 90шт. — — — — 620 Ом 2 Вт 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 510 Ом (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 510 Ом (+/-5%)
#14759
 26976 СНГ 76 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 510 Ом (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 510 Ом 2 Вт 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 4,7 кОм (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 4,7 кОм (+/-5%)
#14752
 26970 СНГ 2 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 4,7 кОм (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 4,7 кОм — 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 8,2 Ом (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 8,2 Ом (+/-5%)
#14749
 26967 СНГ 9 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 8,2 Ом (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 8,2 Ом 2 Вт 5 % металлопленочный
Резистор МОН-2 7,5 Ом (+/-5%)
Резистор МОН-2 7,5 Ом (+/-5%)
#14748
 26966 СНГ 1 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МОН-2 7,5 Ом (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — — — — DIP — — — 200шт. — — — — 7,5 Ом 2 Вт 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 910 Ом (+/-10%)
Резистор МЛТ-2 910 Ом (+/-10%)
#14734
 26952 СНГ 15 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 910 Ом (+/-10%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 910 Ом 2 Вт 10 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 270 кОм (+/-10%)
Резистор МЛТ-2 270 кОм (+/-10%)
#14733
 26951 СНГ 1 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 270 кОм (+/-10%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 270 кОм — 10 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 36 кОм (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 36 кОм (+/-5%)
#14729
 26947 СНГ 7 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 36 кОм (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 36 кОм — 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 750 Ом (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 750 Ом (+/-5%)
#14727
 26945 СНГ 258 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 750 Ом (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 90шт. — — — — 750 Ом 2 Вт 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 1,0 кОм (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 1,0 кОм (+/-5%)
#14725
 26943 СНГ 406 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 1,0 кОм (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 1 кОм — 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 91 кОм (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 91 кОм (+/-5%)
#14724
 26942 СНГ 9 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 91 кОм (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 91 кОм — 5 % металлопленочный
Резистор МЛТ-2 1,5 Ом (+/-5%)
Резистор МЛТ-2 1,5 Ом (+/-5%)
#14723
 26941 СНГ 6 шт
2,50 грн.
20+2,25 грн.
50+2,12 грн.
100+2 грн.
Резистор МЛТ-2 1,5 Ом (+/-5%). 2.5 Гибкие выводы — 8 17 — DIP — — — 200шт. — — — — 1,5 Ом 2 Вт 5 % металлопленочный
Транзистор П216Д
Транзистор П216Д
#14718
 26936 СНГ 135 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216Д : • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15... 30; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 10 — — — — Биполярный DIP — PNP 24Вт 20шт. 50В 7,5A 0,1МГц 30 — — — —
Транзистор П306А
Транзистор П306А
#14717
 26935 СНГ 266 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы П306А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 10 — — — — Биполярный DIP — PNP 10Вт 40шт. 80В 400мА — 35 — — — —
Транзистор П216В
Транзистор П216В
#14716
 26934 СНГ 227 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 30; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 10 — — — — Биполярный DIP — PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 30 — — — —
Транзистор П216Б
Транзистор П216Б
#14715
 26933 СНГ 115 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 10 — — — — Биполярный DIP — PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 10 — — — —
Транзистор П216А
Транзистор П216А
#14714
 26932 СНГ 327 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 80; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом. 10 — — — — Биполярный DIP — PNP 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 80 — — — —
Транзистор П216
Транзистор П216
#14713
 26931 СНГ 179 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 10 — — — — Биполярный DIP — PNP 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 20 — — — —
Транзистор П214
Транзистор П214
#14712
 26930 СНГ 230 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...60; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 — — — — Биполярный DIP — PNP 10Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 60 — — — —
Транзистор П213Б
Транзистор П213Б
#14711
 26929 СНГ 65 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом. 10 — — — — Биполярный DIP — PNP 10Вт 20шт. 30В 5А 0,15МГц 40 — — — —
Транзистор П213
Транзистор П213
#14710
 26928 СНГ 232 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,16 Ом. 10 — — — — Биполярный DIP — PNP 11,5Вт 20шт. 40В 5А 0,15МГц 50 — — — —
Микросхема К1102АП16
Микросхема К1102АП16
#14709
 26927 СНГ 1 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Сдвоенный быстродействующий формирователь импульсов с прямым и инверсным выходом. 0.5 — DIP8 — — — DIP Логика — — 200шт. — — — — — — — —
Резистор С2-23-0.5 620 Ом (+/-5%)
Резистор С2-23-0.5 620 Ом (+/-5%)
#14705
 26923 СНГ 10824 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Резистор С2-23-0.5 620 Ом (+/-5%). 0.5 Гибкие выводы — — — — DIP — — — 2000шт. — — — — 620 Ом 0,5 Вт 5 % металлопленочный
Резистор С2-23-0.5 6,8 Ом (+/-10%)
Резистор С2-23-0.5 6,8 Ом (+/-10%)
#14704
 26922 СНГ 9839 шт
1 грн.
100+0,90 грн.
200+0,80 грн.
500+0,70 грн.
Резистор С2-23-0.5 6,8 Ом (+/-10%). 0.5 Гибкие выводы — — — — DIP — — — 2000шт. — — — — 6,8 Ом 0,5 Вт 10 % металлопленочный