Active radio components

Results: 8086

Sort by: Name Price Bestsellers Customer rating Date added In stock
MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Type of shell Transistor case type Transistor type Mounting type Type of shell Urev. max, V Ipr. max. Ipr. imp. max. Appointment Diode type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain Stabilization voltage Zener diode housing type Breakdown voltage Diode design
Optocoupler EL817(A)-F CTR=80...160% (=PC817A, LTV817A)
Optocoupler EL817(A)-F CTR=80...160% (=PC817A, LTV817A)
#17225
 29478 EVERLIGHT 458 шт
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.3 DIP4 — — DIP — — — — — — — — — — 100 pieces. — — — — — — — —
Transistor MP25
Transistor MP25
#10814
 23007 СНГ 457 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Transistor MP25 germanium alloyed pnp universal low-frequency. Designed to amplify and switch low frequency signals. 1.8 — КТЮ-3-3 Bipolar DIP — — — — — — PNP — — 200мВт 100 pieces. 40В 150мА — 25 — — — —
Generator lamp GS-14
Generator lamp GS-14
#9921
 21712 СНГ 456 шт
120 грн.
10+108 грн.
20+102 грн.
50+96 грн.
Generator triode GS-14 for operation as a generator and amplifier of high-frequency oscillations in the centimeter and decimeter wave bands. Design - titanium-ceramic. 17.5 — — — Clamp — — — — — — — — — — 50pcs — — — — — — — —
P6KE150A, Protective Diode, 600W, 150V
P6KE150A, Protective Diode, 600W, 150V
#10765
 22835 ST MICROELECTRONICS 454 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
30+3,60 грн.
50+3,20 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — — Protective — — — 600Вт 1000pcs — — — — — — 150V —
Transistor 2N3906
Transistor 2N3906
#2338
 20406 DIOTEC SEMICONDUCTOR 452 шт
0.70 грн.
10+0,66 грн.
50+0,63 грн.
100+0,56 грн.
500+0,49 грн.
0.25 — TO92 Bipolar DIP — — — — — — PNP — — 625мВт 1000pcs 40В 200мА — 300 — — — —
Zener diode BZX55C 4V3
Zener diode BZX55C 4V3
#4190
 20202 Rectron Semiconductor 447 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Zener diode 4.3V 0.5W (BZX55C 4V3) 0.12 — — — DIP — — — — — — — — — 500мВт 500pcs — — — — 4V3 DO-35 — —
Transistor SS9018H (S9018)
Transistor SS9018H (S9018)
#8840
 20493 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 445 шт
1.50 грн.
10+1,42 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 — TO92 Bipolar DIP — — — — — — NPN — — 400мВт 500pcs 30В 50мА 1100МГц 140 — — — —
Chip KM561IR11
Chip KM561IR11
#9816
 21403 СНГ 442 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Multipurpose register (8 x 4 bits) 3.5 DIP24 — — DIP — — — — Logics — — — — — 180pcs — — — — — — — —
Chip LM217LZ-TR
Chip LM217LZ-TR
#16114
 28355 ST MICROELECTRONICS 441 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
LM217LZ-TR, Positive Voltage Adjustable Low Dropout Regulator, 1.2V-37V, 0.1A. 0.3 TO-92 — — DIP — — — — Nutrition — — — — — 1000pcs — — — — — — — —
Chip P3PS850BHG-08CR (DGX)
Chip P3PS850BHG-08CR (DGX)
#16986
 29237 ON SEMICONDUCTOR 436 шт
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
0.2 8-WDFN — — SMD — — — — Timers — — — — — 1000pcs — — — — — — — —
Diode KD204B
Diode KD204B
#14036
 26215 СНГ 434 шт
10 грн.
50+9 грн.
200+8 грн.
500+7 грн.
Designed to convert alternating voltage with a frequency of up to 50 kHz. The main technical characteristics of the KD204B diode: • Uobr and max - Maximum impulse reverse voltage: 200 V; • Inp max - Maximum forward current: 600 mA; • fd - Operating frequency of the diode: 1 kHz; • Unp - DC forward voltage: no more than 1.4 V at Inp 600 mA; • Iobr - Constant reverse current: no more than 100 µA at Uobr 200 V; • tvoc - Reverse recovery time: 1.5 µs 5 — — — Screw КД-11 200V 600mA — — Rectifier — — — — 50pcs — — — — — — — single
Chip KR140UD1B
Chip KR140UD1B
#812
 22143 СНГ 431 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Medium-precision operational amplifier without frequency correction. 1 DIP14 — — DIP — — — — Amplifiers — — — — — 400pcs — — — — — — — —
Chip K293LP1B dip8
Chip K293LP1B dip8
#901
 21975 СНГ 428 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Opto-switch-inverter. 0.5 DIP8 — — DIP — — — — Logics — — — — — 200pcs — — — — — — — —
Triac BT136S-600E
Triac BT136S-600E
#12281
 24663 NXP 427 шт
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
0.5 — — — SMD DPAK;TO-252 600V 4А — — — — — — — 2500pcs — — — — — — — —
Zener diode KS210B
Zener diode KS210B
#3415
 24465 СНГ 426 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Dissipation power, W 0.15 Rated stabilization voltage, V 10 Static resistance Rst., Ohm 22 Hole mounting method Minimum stabilization voltage, V 9.3 Maximum stabilization voltage, V 11 Temperature coefficient of stabilization voltage aUst.,% /С 0.07 Temporary instability of stabilization voltage dUst., V 1.5 Minimum stabilization current Ist.min., mA 3 Maximum stabilization current Ist.max., mA 14 Operating temperature, С -60...125 0.3 — — — DIP — — — — — — — — — 150мВт 100 pieces. — — — — 10V kd25 — —
Diode GS1M (1.0A, 1000V) smd
Diode GS1M (1.0A, 1000V) smd
#4271
 20156 DC COMPONENTS 425 шт
1.50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.1 — — — SMD DO-214AC, SMA 1000V 1A — — Rectifier — — — — 2000pcs — — — — — — — single
Transistor KT209E
Transistor KT209E
#10313
 22262 INTEGRAL 425 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 — TO92 Bipolar DIP — — — — — — PNP — — 200мВт 1000pcs 30В 300мА — 240 — — — —
Chip ARF3.438.010 layer.
Chip ARF3.438.010 layer.
#11798
 24027 СНГ 425 шт
55 грн.
10+52,25 грн.
50+49,50 грн.
100+44 грн.
differential system. 10 — — — DIP — — — — Telephony — — — — — 40pcs — — — — — — — —
Chip K172LM1
Chip K172LM1
#874
 21956 СНГ 424 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
2 logical elements 4OR-NOT/4OR. 1 DIP14 — — DIP — — — — Logics — — — — — 100 pieces. — — — — — — — —
Diode HER157 (1.5A/800V/70ns)
Diode HER157 (1.5A/800V/70ns)
#4266
 20144 DC COMPONENTS 423 шт
2 грн.
100+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Diode 1.5A, 1000V, 70ns 0.4 — — — DIP DO-15 800V 1.5A — — Fast — — — — 500pcs — — — — — — — single
Transistor KT680A
Transistor KT680A
#14422
 26631 СНГ 422 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Transistor KT680A silicon epitaxial-planar structure npn amplifying. Designed for use in low frequency amplifiers. 0.3 — TO92 Bipolar DIP — — — — — — NPN — — 350мВт 1000pcs 25В 600мА 120МГц 300 — — — —
Transistor KT805AM
Transistor KT805AM
#10782
 22970 СНГ 420 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Transistors silicon epitaxial structures npn switching. Designed for use in line-scan output stages, ignition devices for internal combustion engines and other switching devices. 2.5 — TO220 Bipolar DIP — — — — — — NPN — — 30Вт 100 pieces. 60В 5А 20МГц 15 — — — —
Transistor CSD17308Q3
Transistor CSD17308Q3
#17127
 29378 TEXAS INSTRUMENTS 420 шт
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
0.12 — VSON-CLIP-8(3.3x3.3) Field SMD — — — — — — MOS n-channel 30В 50А 28Вт 2500pcs — — — — — — — —
Chip K155IE6
Chip K155IE6
#769
 22233 СНГ 417 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Binary Decimal Reversible Counter. 1.2 DIP16 — — DIP — — — — Logics — — — — — 90pcs — — — — — — — —
P6KE15CA, Protective Diode Bidirectional, 600W, 15V
P6KE15CA, Protective Diode Bidirectional, 600W, 15V
#11234
 23364 Taychipst 417 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 — — — DIP DO-15 — — — — Protective — — — 600Вт 1000pcs — — — — — — 15V —
Diode bridge KTS405I
Diode bridge KTS405I
#14128
 26309 СНГ 417 шт
7 грн.
The main technical characteristics of the KTS405I diode: • Uopp max - Maximum direct reverse voltage: 500 V; • Inp max - Maximum forward current: 600 mA; • fd - Operating frequency of the diode: 5 kHz; • Unp - DC forward voltage: no more than 4 V at Inp 600 mA; • Iobr - Constant reverse current: no more than 125 μA at Uobr 500 V. 5.2 — — — DIP — 500V 600mA — — Diode bridge — — — — 500pcs — — — — — — — —
Diode SS10P6HM3
Diode SS10P6HM3
#16773
 29019 VISHAY 414 шт
22 грн.
100+19,80 грн.
200+17,60 грн.
500+15,40 грн.
Diode SS10P6HM3. 0.3 — — — SMD SMPC (TO-277A) 60V 7А 280A — Schottky — — — — 6500шт. — — — — — — — single
Transistor KT6114V (=SS8050)
Transistor KT6114V (=SS8050)
#10102
 21840 INTEGRAL 413 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 — TO92 Bipolar DIP — — — — — — NPN — — 1Вт 1000pcs 25В 1.5А 100МГц 80 — — — —
ESDA14V2L (EL15) protection diode
ESDA14V2L (EL15) protection diode
#12752
 25106 ST MICROELECTRONICS 410 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
30+1,80 грн.
50+1,60 грн.
0.12 — — — SMD SOT-23 — — — — Protective — — — 300Вт 3000pcs — — — — — — 15.8V double common anode
Transistor KT520A (=MPSA42)
Transistor KT520A (=MPSA42)
#10101
 21839 INTEGRAL 409 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 — TO92 Bipolar DIP — — — — — — NPN — — 625мВт 1000pcs 300В 500мА 50МГц 40 — — — —