Active radio components

Results: 8086

MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Type of shell Transistor case type Transistor type Mounting type Type of shell Urev. max, V Ipr. max. Appointment Diode type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain Stabilization voltage Zener diode housing type Breakdown voltage Diode design
21416 СНГ 464 шт
34 грн.
10+32,30 грн.
50+30,60 грн.
100+27,20 грн.
8-channel analog key. 5 SMD Logics 50pcs
22835 ST MICROELECTRONICS 464 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
30+3,60 грн.
50+3,20 грн.
0.4 DIP DO-15 Protective 600Вт 1000pcs 150V
22140 СНГ 460 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
256-bit (256 x 1) static RAM with control circuit. 1.2 DIP16 DIP Memory 100 pieces.
22516 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 458 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 TO92 Bipolar DIP PNP 625мВт 4000pcs 50В 800мА 400
23007 СНГ 457 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Transistor MP25 germanium alloyed pnp universal low-frequency. Designed to amplify and switch low frequency signals. 1.8 КТЮ-3-3 Bipolar DIP PNP 200мВт 100 pieces. 40В 150мА 25
21712 СНГ 456 шт
120 грн.
10+108 грн.
20+102 грн.
50+96 грн.
Generator triode GS-14 for operation as a generator and amplifier of high-frequency oscillations in the centimeter and decimeter wave bands. Design - titanium-ceramic. 17.5 Clamp 50pcs
21821 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 452 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 TO92 Bipolar DIP NPN 500мВт 1000pcs 65В 100мА 200
20406 DIOTEC SEMICONDUCTOR 452 шт
0.70 грн.
10+0,66 грн.
50+0,63 грн.
100+0,56 грн.
500+0,49 грн.
0.25 TO92 Bipolar DIP PNP 625мВт 1000pcs 40В 200мА 300
20156 DC COMPONENTS 450 шт
1.50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.1 SMD DO-214AC, SMA 1000V 1A Rectifier 2000pcs single
23061 DIOTEC SEMICONDUCTOR 449 шт
0.60 грн.
10+0,57 грн.
50+0,54 грн.
100+0,48 грн.
500+0,42 грн.
0.05 SOT23 Bipolar SMD PNP 250мВт 3000pcs 50В 100мА 520
20493 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 448 шт
1.50 грн.
10+1,42 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.3 TO92 Bipolar DIP NPN 400мВт 500pcs 30В 50мА 1100МГц 140
20202 Rectron Semiconductor 447 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Zener diode 4.3V 0.5W (BZX55C 4V3) 0.12 DIP 500мВт 500pcs 4V3 DO-35
21403 СНГ 443 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Multipurpose register (8 x 4 bits) 3.5 DIP24 DIP Logics 180pcs
28355 ST MICROELECTRONICS 441 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
LM217LZ-TR, Positive Voltage Adjustable Low Dropout Regulator, 1.2V-37V, 0.1A. 0.3 TO-92 DIP Nutrition 1000pcs
22233 СНГ 437 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Binary Decimal Reversible Counter. 1.2 DIP16 DIP Logics 90pcs
29237 ON SEMICONDUCTOR 436 шт
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
0.2 8-WDFN SMD Timers 1000pcs
22970 СНГ 435 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Transistors silicon epitaxial structures npn switching. Designed for use in line-scan output stages, ignition devices for internal combustion engines and other switching devices. 2.5 TO220 Bipolar DIP NPN 30Вт 100 pieces. 60В 20МГц 15
26215 СНГ 434 шт
10 грн.
50+9 грн.
200+8 грн.
500+7 грн.
Designed to convert alternating voltage with a frequency of up to 50 kHz. The main technical characteristics of the KD204B diode: • Uobr and max - Maximum impulse reverse voltage: 200 V; • Inp max - Maximum forward current: 600 mA; • fd - Operating frequency of the diode: 1 kHz; • Unp - DC forward voltage: no more than 1.4 V at Inp 600 mA; • Iobr - Constant reverse current: no more than 100 µA at Uobr 200 V; • tvoc - Reverse recovery time: 1.5 µs 5 Screw КД-11 200V 600mA Rectifier 50pcs single
22143 СНГ 431 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Medium-precision operational amplifier without frequency correction. 1 DIP14 DIP Amplifiers 400pcs
21939 СНГ 430 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
1024-bit (256x4) open-collector programmable read-only memory. Information is recorded in the PROM (programming) by the consumer by burning nichrome jumpers with a current pulse 1 time during the operation of the IC 1.3 DIP16 DIP Memory 90pcs
21975 СНГ 428 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Opto-switch-inverter. 0.5 DIP8 DIP Logics 200pcs
24663 NXP 427 шт
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
0.5 SMD DPAK;TO-252 600V 2500pcs
24465 СНГ 426 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Dissipation power, W 0.15 Rated stabilization voltage, V 10 Static resistance Rst., Ohm 22 Hole mounting method Minimum stabilization voltage, V 9.3 Maximum stabilization voltage, V 11 Temperature coefficient of stabilization voltage aUst.,% /С 0.07 Temporary instability of stabilization voltage dUst., V 1.5 Minimum stabilization current Ist.min., mA 3 Maximum stabilization current Ist.max., mA 14 Operating temperature, С -60...125 0.3 DIP 150мВт 100 pieces. 10V kd25
22262 INTEGRAL 425 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 TO92 Bipolar DIP PNP 200мВт 1000pcs 30В 300мА 240
24027 СНГ 425 шт
55 грн.
10+52,25 грн.
50+49,50 грн.
100+44 грн.
differential system. 10 DIP Telephony 40pcs
21956 СНГ 424 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
2 logical elements 4OR-NOT/4OR. 1 DIP14 DIP Logics 100 pieces.
20144 DC COMPONENTS 423 шт
2 грн.
100+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Diode 1.5A, 1000V, 70ns 0.4 DIP DO-15 800V 1.5A Fast 500pcs single
26631 СНГ 422 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Transistor KT680A silicon epitaxial-planar structure npn amplifying. Designed for use in low frequency amplifiers. 0.3 TO92 Bipolar DIP NPN 350мВт 1000pcs 25В 600мА 120МГц 300
29378 TEXAS INSTRUMENTS 420 шт
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
0.12 VSON-CLIP-8(3.3x3.3) Field SMD MOS n-channel 30В 50А 28Вт 2500pcs
23364 Taychipst 417 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Protective 600Вт 1000pcs 15V