Active radio components

Results: 8086

Sort by: Name Price Bestsellers Customer rating Date added In stock
MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Transistor case type Transistor type Mounting type Type of shell Urev. max, V Ipr. max. Ipr. imp. max. Diode type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain
Diode Bridge DF04S
Diode Bridge DF04S
#3419
 20557 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
5 грн.
10+4,50 грн.
50+4 грн.
100+3,75 грн.
 — 1 — — SMD — 400V 1.5A 50A Rectifier — — — — 1000pcs — — — —
Diode bridge DF01S
Diode bridge DF01S
#3420
 24947 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
 — 1 — — SMD — 100V 1.5A — — — — — — 1000pcs — — — —
DF08S
DF08S
#3421
 — — —
6.40 грн.
10+5,76 грн.
50+5,12 грн.
100+4,80 грн.
 — Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 800 I пр: 1,5 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — —
DF10M
DF10M
#3422
 — — —
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
 — Корпус: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP Uобр: 1000 I пр: 1 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — —
DF10S
DF10S
#3423
 — — —
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
 — Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 1000 I пр: 1 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — —
DF1510S
DF1510S
#3424
 — — —
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
 — Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 1000 I пр: 1,5 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — —
GBJ1010
GBJ1010
#3425
 — — —
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
100+7,50 грн.
 — Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 10 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — —
Diode Bridge GBJ1510
Diode Bridge GBJ1510
#3426
 21628 SEP —
14 грн.
10+12,60 грн.
50+11,20 грн.
100+10,50 грн.
 — 3.7 — — DIP GBJ 1000V 15A — Rectifier — — — — 250pcs — — — —
GBJ2010
GBJ2010
#3427
 — — —
12 грн.
10+10,80 грн.
50+9,60 грн.
100+9 грн.
 — Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 20 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — —
GBJ610
GBJ610
#3428
 — — —
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
100+7,50 грн.
 — Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 6 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — —
GBJ810
GBJ810
#3429
 — — —
10.40 грн.
10+9,36 грн.
50+8,32 грн.
100+7,80 грн.
 — Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 8 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — —
GBL10
GBL10
#3430
 — — —
7.80 грн.
10+7,02 грн.
50+6,24 грн.
100+5,85 грн.
 — Корпус: GBL Uобр: 1000 I пр: 4 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — —
Transistor KP103E
Transistor KP103E
#3433
 — СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — P-FET Structure Maximum drain-source voltage Usi, V 10 Maximum gate-source voltage Uzi max., V 10 Maximum dissipated power Psi max., W 0.007 Slope of characteristic S, mA/V 0.4…2.4 Housing KT-17 0.7 — Field DIP — — — — — — — — 125мВт 200pcs — — — —
Transistor KT3107I
Transistor KT3107I
#3434
 23590 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 300мВт 1000pcs 50В 200мА 200МГц 450
Transistor GT905A
Transistor GT905A
#3435
 22330 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
 — Transistors GT905A germanium diffusion-alloy structures pnp universal. Designed for use in switching and pulse amplifying devices, in the output stages of low-frequency power amplifiers. 5 — Bipolar DIP — — — — — PNP — — 6Вт 50pcs 65В 7А 30МГц 100
Transistor KT315B
Transistor KT315B
#3437
 23553 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 150мВт 800 pcs. 20В 100мА 250МГц 350
Transistor P416B
Transistor P416B
#3438
 23029 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Transistor P416B germanium alloy pnp universal. Designed for use in amplifying and generator cascades in the range from long to short and ultrashort waves, as well as in pulse cascades of radio electronic devices. 1.8 КТЮ-3-3 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 100мВт 100 pieces. 12В 25мА 80МГц 200
Transistor MP42B
Transistor MP42B
#3439
 25861 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
 — PNP structure Max. e.g. k-b at a given reverse current to and open circuit e. (Ukbo max), V 15 Max. e.g. k-e at a given current to and a given resist. in the circuit b-e. (Uker max), V 15 The maximum allowable current to (Ik max, A) 0.2 Static current transfer coefficient h21e min 45…100 Limiting frequency of the current transfer coefficient fgr, MHz 1 Maximum dissipated power k (Pk, W) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 200мВт 100 pieces. 15В 200мА 1МГц 100
2T603B nickel
2T603B nickel
#3442
 — — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — 77,79 г. — — — — — — — — — — — — — — — — — —
Transistor MP15A
Transistor MP15A
#3443
 23011 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Transistor MP15A germanium alloyed pnp universal low-frequency low-power. Designed for small low frequency signal amplification, amplification, switching, pulse shaping 1.8 КТЮ-3-3 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 150мВт 100 pieces. 15В 20мА 2МГц 100
Transistor MP41
Transistor MP41
#3444
 24617 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Transistor MP41 germanium alloyed pnp amplifying low-frequency with non-normalized noise figure. Designed to amplify low frequency signals. 1.8 КТЮ-3-3 Bipolar DIP — — — — — PNP — — 150мВт 100 pieces. 15В 30мА 1МГц 60
Transistor KT808AM
Transistor KT808AM
#3445
 26623 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
 — Transistors KT808AM silicon mezaplanar structures npn high-voltage, switching. Designed for use in switching devices, horizontal scanning generators, electronic voltage regulators. 13 TO3 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 70Вт 20pcs 130В 10А 8МГц 125
Transistor KP327B (=BF961)
Transistor KP327B (=BF961)
#3463
 23004 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — KP327B silicon planar transistor with two insulated gates protected by diodes and an n-type channel 0.3 КТ-29 Field SMD — — — — — MOS n-channel 14В 30мА 200мВт 100 pieces. — — — —
2P903A
2P903A
#3464
 — — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — 89,90 г. — — — — — — — — — — — — — — — — — —
2P903V OS
2P903V OS
#3465
 — — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — 87 г. — — — — — — — — — — — — — — — — — —
2P903V
2P903V
#3466
 — — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — 89,83 г. — — — — — — — — — — — — — — — — — —
KP903B
KP903B
#3467
 — — —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
 — Structure: N-FET Maximum drain-source voltage Usi, V: 20 Maximum gate-source voltage Uzi max., V: 6.5 Channel resistance in the open state Rsi on, mOhm: - Maximum dissipated power Psi max., W: - Slope characteristic S,mA/V: 90 — — — — — — — — — — — — — — — — — —
KP903A
KP903A
#3468
 — — —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
 — 89 г. — — — — — — — — — — — — — — — — — —
KT921B
KT921B
#3469
 — — —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
 — 91 г. — — — — — — — — — — — — — — — — — —
Transistor MP37A
Transistor MP37A
#3475
 25678 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — NPN structure Max. e.g. k-b at a given reverse current to and open circuit e. (Ukbo max), V 30 Max. e.g. k-e at a given current to and a given resist. in the circuit b-e. (Uker max), V 15 The maximum allowable current to (Ik max, A) 0.2 Static current transfer coefficient h21e min 15…30 Limiting frequency of the current transfer coefficient fgr, MHz 1 Maximum dissipated power k (Pk, W) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Bipolar DIP — — — — — NPN — — 150мВт 100 pieces. 30В 20мА 1МГц 30