Active radio components

Results: 8086

MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Transistor case type Transistor type Mounting type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging Frequency
ON SEMICONDUCTOR
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
download datasheet NTD20N06L pdf,124 KB 0.6 DPAK Field SMD MOS n-channel 60В 20А 60Вт 75pcs
236 грн.
Корпус: SO-10RF Uds,V: 40 Idd,A: 4 Примечание: 8Вт
21.40 грн.
Корпус: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 34 Rds(on), Ohm: 0,057 Ciss, pF/Qg, nC: 1500/42
1 грн.
Корпус: SOT-23 Uds,V: 200 Idd,A: 0.1 Rds(on), Ohm: 0.28 Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
92 грн.
Корпус: TO-220 Uds,V: 50 Idd,A: 3 Примечание: 175 Mz, 28W
22903 MITSUBISHI
104 грн.
10+98,80 грн.
50+93,60 грн.
100+83,20 грн.
2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 50В 56Вт 50pcs 30МГц
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
download datasheet RFP70N06 pdf,235 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 60В 70А 150Вт 50pcs
8 грн.
Корпус: SOT-23 Uds,V: 30 Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 0.03 Ciss, pF/Qg, nC: 475/5,9
1,520 грн.
Корпус: M243 Uds,V: 65 Idd,A: 5 Примечание: 945мГц,
1,780 грн.
Корпус: М250 Uds,V: 65 Idd,A: 7 Примечание: до 1ГГц
13.20 грн.
Корпус: SO-8 Uds,V: 20 Idd,A: 10.5 Rds(on), Ohm: 0.0135 Ciss, pF/Qg, nC: 2150/43
VISHAY
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
download datasheet SI9945AEY pdf,248 KB 0.3 SO8 Field SMD MOS n-channel 60В 3.7А 1.7Вт 95pcs
20792 ROHM SEMICONDUCTOR
11 грн.
0.3 SO8 Field SMD MOS n+p-channel 30В 2Вт 2500pcs
INFINEON TECHNOLOGIES
58 грн.
10+55,10 грн.
50+52,20 грн.
100+46,40 грн.
2.8 TO220 Field DIP MOS n-channel 650В 11А 125Вт 50pcs
INFINEON TECHNOLOGIES
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
download datasheet SPP16N50C3 pdf,741 KB 2.8 TO220 Field DIP MOS n-channel 560В 16А 34Вт 50pcs
INFINEON TECHNOLOGIES
220 грн.
10+209 грн.
50+198 грн.
100+176 грн.
download datasheet SPW47N60C3 pdf,848 KB 8 TO247 Field DIP MOS n-channel 650В 47А 415Вт 30pcs
22863 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
2.5 TO220F Field DIP MOS n-channel 600В 33Вт 50pcs
30 грн.
Корпус: TO-220F Uds,V: 600 Idd,A: 3.2 Rds(on), Ohm: 1.8 Ciss, pF/Qg, nC: 350/9.3
18.40 грн.
Uds,V: 35 Idd,A: 0.001
ST MICROELECTRONICS
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
download datasheet STB55NF06LT4 pdf,343 KB 2.8 D2PAK Field SMD MOS n-channel 60В 55А 95Вт 50pcs
ST MICROELECTRONICS
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
download datasheet STB9NK50Z pdf,373 KB 2.5 D2PAK Field SMD MOS n-channel 500В 7.2А 110Вт 800 pcs.
ST MICROELECTRONICS
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
0.7 DPAK Field SMD MOS n-channel 900В 2.1А 70Вт 75pcs
ST MICROELECTRONICS
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
download datasheet STN4NF03L pdf,233 KB 0.4 SOT223 Field SMD MOS n-channel 30В 6.5А 3.3Вт 4000pcs
ST MICROELECTRONICS
21.40 грн.
10+20,33 грн.
50+19,26 грн.
100+17,12 грн.
download datasheet STP10NK60Z pdf,961 KB 2.8 TO220 Field DIP MOS n-channel 600В 10А 115Вт 50pcs
21480 ST MICROELECTRONICS
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
download datasheet STP10NK60ZFP pdf,961 KB 2.8 TO220FP Field DIP MOS n-channel 600В 10А 35Вт 50pcs
ST MICROELECTRONICS
16.80 грн.
10+15,96 грн.
50+15,12 грн.
100+13,44 грн.
download datasheet STP11NK40Z pdf,512 KB 2.8 TO220 Field DIP MOS n-channel 400В 10А 110Вт 50pcs
ST MICROELECTRONICS
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
download datasheet STP14NK50ZFP pdf,633 KB 2.8 TO220FP Field DIP MOS n-channel 500В 14А 35Вт 50pcs
32.80 грн.
Корпус: TO-220FP Uds,V: 600 Idd,A: 12 Rds(on), Ohm: 0,5
10.80 грн.
Корпус: TO-220 Uds,V: 250 Idd,A: 16 Rds(on), Ohm: 0.22 Ciss, pF/Qg, nC: 1000/29
13.60 грн.
Корпус: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 15 Rds(on), Ohm: 0,16